Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников





НазваниеАннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников
страница9/10
Дата публикации19.08.2014
Размер1.24 Mb.
ТипПрограмма
100-bal.ru > История > Программа
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10

Б.3.В.3. Физика полупроводников

1. Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ООП:

Дисциплина «Физика полупроводников» является базовой частью модуля профессионального цикла (блок Б.3) дисциплин подготовки студентов по направлению подготовки 011200 «Физика».

Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальнейшем в практической профессиональной деятельности выпускника – бакалавра физики. Изучение данной дисциплины базируется на вузовской подготовке студентов по высшей математике и квантовой физике.

2. Цель изучения дисциплины

Целью дисциплины является: изучение целостного курса «Физика полупроводников» совместно с другими дисциплинами цикла; формирование у студентов современных представлений о роли физики полупроводников в современной микро - и наноэлектронике.

3. Структура дисциплины

Введение в физику полупроводников. Кристаллическая  решетка. Энергетическая структура твердых тел. Статика носителей заряда в собственных и примесных полупроводниках. Оптические свойства. Фотоэлектрические эффекты. Диффузия носителей заряда. Эффект Дембера.

4. Требования к результатам освоения дисциплины:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:

ОК-1, ОК-16, ПК-1-8, ПК-10

В результате изучения модуля студент должен:

знать: основы зонной теории; основные сведения о структуре и характеристики полупроводников, механизмы поглощения света в полупроводниках; фотоэлектрических и фотомагнитных эффектах в полупроводниках;

уметь: рассчитывать концентрацию носителей заряда в полупроводниках; определять и анализировать основные полупроводниковые материалы.

владеть: фундаментальными понятиями, явления и эффектами современной теории полупроводников, а также методами физического исследования полупроводников; некоторыми основными методами изучения структуры твердых тел;

5. Общая трудоемкость дисциплины 6 зачётных единиц (216 академических часов)

6. Формы контроля Экзамены (6, 7 семестры)
Б.3.В.4. Кристаллофизика

1. Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ООП:

Дисциплина «Кристаллофизика» является базовой частью модуля профессионального цикла (блок Б.3) дисциплин подготовки студентов по направлению подготовки 011200 «Физика».

Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальнейшем в практической профессиональной деятельности выпускника – бакалавра физики. Изучение данной дисциплины базируется на вузовской подготовке студентов по высшей математике, общей физики и теоретической физики.

2. Цели изучения дисциплины

Целью дисциплины является изучение целостного курса «Кристаллофизика» совместно с другими дисциплинами цикла; включающего основной принцип симметрии в кристаллофизике и тензорное описание физических свойств кристаллов.

3. Структура дисциплины

Симметрия кристаллов: Точечные и пространственные (федоровские) группы. Обратная решетка. Дифракция в кристаллах. Основные методы экспериментального определения структуры кристаллов. Основные формулы структурной кристаллографии.

Тензорное описание физических свойств кристаллов. Кристаллофизические системы координат.

4. Требования к результатам освоения дисциплины:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:

ОК-1, ОК-16, ПК-1-8, ПК-10

В результате изучения модуля студент должен:

Знать: методы и приемы решения прикладных задач по расчету основных параметров кристаллических тел;

уметь: работать с современной научной аппаратурой, проводить измерения основных физических параметров кристаллов;

владеть: фундаментальными понятиями, законами и теориями современной теории кристаллов, а также методами тензорного описания физических свойств кристаллов;

5. Общая трудоемкость дисциплины 3 зачётные единицы (108 академических часов).

6. Формы контроля Экзамен (5 семестр)
Б.3.В.5. Физика наноструктур

1. Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ООП:

Дисциплина «Физика наноструктур» является базовой частью модуля профессионального цикла (блок Б.3) дисциплин подготовки студентов по направлению подготовки 011200 «Физика».

Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальнейшем в практической профессиональной деятельности выпускника – бакалавра физики. Изучение данной дисциплины базируется на вузовской подготовке студентов по высшей математике, общей физики и теоретической физики.

2. Цели изучения дисциплины

Целью дисциплины «Физика наноструктур» является изучение современных представлений о физических основах нанообъектов, основ нанотехнологий, современного состоянию нанотехнологий и тенденций их развития механики.

3. Структура дисциплины

Современное состояние нанотехнологий и тенденции их развития. Физические основы нанотехнологий. Основные типы наносистем. Квантовые ямы, нити, точки. Сверхрешетки. Гетероструктуры.  Нанокластеры. Графен. Нанотрубки и фуллерены. Пористые и композитные системы. Технологии изготовления и методы исследования наносистем. Инструменты нанотехнологий. Технологии изготовления наносистем по принципу «снизу вверх» и «сверху вниз». Самоорганизация и самосборка в нанотехнологиях. Применение наноразмерных систем в электронике. Особенности электропроводности наноразмерных систем. Одноэлектронные устройства. Спинотроника. Квантовая оптоэлектроника. Лазеры с квантовыми ямами и точками. Каскадные лазеры. Нанотехнологии в различных отраслях народного хозяйства.  Перспективы развития нанотехнологий.

4. Требования к результатам освоения дисциплины:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций: ОК-1, ОК-16, ПК-1-8, ПК-10

В результате изучения модуля студент должен:

Знать: основные сведения о наноструктурах и их характеристиках; основы нанотехнологий;

Уметь: определять и анализировать структуру нанообъектов;

Владеть: навыками расчета некоторых наносистем;

5. Общая трудоемкость дисциплины. 3 зачётные единицы (108 академических часов)

6. Формы контроля. Экзамен (6 семестр)
Б.3.В.6. Полупроводниковые приборы

1. Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ООП:

Дисциплина «Полупроводниковые приборы» является базовой частью модуля профессионального цикла (блок Б.3) дисциплин подготовки студентов по направлению подготовки 011200 «Физика». Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальнейшем на производственной практике. Изучение данной дисциплины базируется на вузовской подготовке студентов по общей физике и теоретической физике. Он посвящен изучению современных представлений о полупроводниковых приборах. Для успешного изучения студентами спецкурса «Полупроводниковые приборы» необходимо усвоения студентами основных положений «Физики твердого тела», «Кристаллофизики» и курса «Физики полупроводников».

2. Цели изучения дисциплины

Целью является ознакомления студентов с задачами полупроводниковой электроники и с полупроводниковыми приборами, основанными как на свойствах электронно-дырочных переходов, так и на свойствах объема и поверхности полупроводников, управляемых внешними энергетическими воздействиями.

3. Структура дисциплины

Полупроводниковые приборы на основе однородных полупроводников.  Принцип действия, технология изготовления. Технология изготовления и конструкция варисторов. Физическая сущность тензоэффекта. Технология изготовления, основные параметры и характеристики тензорезисторов.  Эффект Ганна. Технология изготовления генераторов Ганна. Термоэлектрические генераторы. Холодильники и нагреватели.

Потенциальные барьеры в полупроводниковых приборах.  Потенциальный барьер в p-n переходе. Полупроводниковые диоды. Выпрямляющие, импульсные, преобразовательные диоды СВЧ. Принцип действия, параметры и применение полупроводниковых стабилитронов. Принцип действия, основные параметры туннельных диодов. Обращенные диоды. Принцип работы варикапа в качестве усилителя. Параметры варикапа. Физические принципы действия, основные параметры лавинно-пролетных диодов. Физические принципы работы, конструкция и параметры фотодиодов и фотоэлементов.

Транзисторы и тиристоры.  Технология изготовления транзисторов. Принцип действия транзистора в качестве усилителя. Расчет постоянных токов в транзисторе. Статические параметры и частотные свойства биполярного транзистора. Конструкции, принцип действия и выходные характеристики полевого транзистора с p-n переходом в качестве затвора. Параметры и частотные свойства полевого транзистора. Конструкция и выходные характеристики полевого транзистора с изолированным затвором. Конструкция и принцип действия энергонезависимых элементов памяти. Принцип действия приборов с зарядовой связью. Диодный и триодный тиристоры

4. Требования к результатам освоения дисциплины:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:

ОК-1, ОК-16, ПК-1-8, ПК-10

В результате изучения модуля студент должен:

знать: концептуальные и теоретические основы физики полупроводниковых приборов, ее место в общей системе наук и ценностей;

уметь: планировать и осуществлять учебный и научный эксперимент, организовывать экспериментальную и исследовательскую деятельность; оценивать результаты эксперимента, готовить отчетные материалы о проведенной исследовательской работе; анализировать информацию по физике полупроводниковых приборов из различных источников с разных точек зрения, структурировать, оценивать, представлять в доступном для других виде; приобретать новые знания по физике полупроводниковых приборов, используя современные информационные и коммуникационные технологии;

владеть: методологией исследования в области физики полупроводниковых приборов.

5. Общая трудоемкость дисциплины 2 зачётные единицы (72 академических часа)

6. Формы контроля Зачет (5 семестр)
Б.3.В.7. Методы компьютерного моделирования в физике

1. Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ООП:

Дисциплина «Методы компьютерного моделирования в физике» является базовой частью модуля профессионального цикла (блок Б.3) дисциплин по направлению подготовки 011200 «Физика».

Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальнейшем при изучении следующих дисциплин вариативной части профессионального цикла (блок Б.3). Изучение данной дисциплины базируется на вузовской подготовке студентов по высшей математике, общей физики и информатики.

2. Цель изучения дисциплины

Целью дисциплины является: изучение способов создания современными программными средствами графических объектов достаточно широкого профиля и получения навыков работы в современных графических системах.

3. Структура дисциплины

Технологии обработки и представления информации в графической форме, их применение в физических исследованиях. Ознакомление с основными принципами построения растровых, векторных и трехмерных изображений, базовыми элементами этих изображений, достоинствами и недостатками растровой, векторной и трехмерной графики, а также с основными особенностями различных видов графических пакетов и программ. Ознакомление с системами цветов в компьютерной графике и форматами графических файлов. Практическое освоение ряда стандартных графических систем и их применение в профессиональной деятельности для визуализации физических экспериментов и результатов физических измерений.

4. Требования к результатам освоения дисциплины:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:

ОК-1, ПК-1, ПК-2, ПК-4.

В результате изучения модуля студент должен:

Знать: основные элементы наиболее распространенных универсальных и специализированных графических программных средств;

уметь: квалифицированно выбрать графический пакет в соответствие с решаемой задачей на основании понимания и анализа физической информации, содержащейся в ней;

владеть: навыками работы в нескольких универсальных и специализированных графических системах и пакетах, применяя на практике методы обработки и анализа экспериментальной и теоретической физической информации при ее графическом представлении (визуализация физических экспериментов и результатов различных физических измерений).

5. Общая трудоемкость дисциплины 2 зачётные единицы (72 академических часа)

6. Формы контроля Зачет (7 семестр)
Б.3.В.8. Спецфизпрактикум

1. Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ООП:

Дисциплина «Спецфизпрактикум» является базовой частью модуля профессионального цикла (блок Б.3) дисциплин по направлению подготовки 011200 «Физика».

Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальнейшем при изучении следующих дисциплин вариативной части профессионального цикла (блок Б.3). Изучение данной дисциплины базируется на вузовской подготовке студентов по высшей общей физике и дисциплин по выбору. Дисциплина относится к базовой части общенаучного цикла учебного плана ООП.

2. Цель изучения дисциплины

Цель дисциплины является знакомство с техникой современного физического эксперимента в областях физики твердого тела, наноматериалов и наноструктур. Формирование целостных представлений о месте этих разделов физики в современной физической картине мира. Приобретение основных навыков работы с современным научным оборудованием, методами обработки результатов эксперимента.

3. Структура дисциплины

Атомно-силовая микроскопия, туннельная микроскопия, литография, металлография.

4. Требования к результатам освоения дисциплины:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:

ОК-1, ОК-3, ПК-1, ПК-2, ПК-4, ПК-5, ПК-6,

В результате изучения модуля студент должен:

Знать: основы физики твердого тела, наноматериалов и наноструктур; экспериментальные основы и технику проведения современного научного эксперимента в этих областях; современные методы измерений и приборную базу; определения основных физических величин и понятий спектроскопии, физики твердого тела и наноматериалов, физики наноструктур; историю развития, основные достижения, современные тенденции и современную экспериментальную базу.

Уметь: проводить измерения характеристик наноструктур; осуществлять приготовление образцов и подготовку приборов для проведения измерений; обрабатывать

полученные экспериментальные данные; проводить необходимые математические преобразования массивов данных; делать оценки по порядку величины.

Владеть: навыками работы с современным экспериментальным оборудованием;

компьютерного управления современными экспериментальными установками с

использованием специального программного обеспечения; компьютерной

обработки полученных экспериментальных данных; использования электронно-вычислительной техники для расчетов и презентации полученных результатов; грамотного использования физического научного языка.

5. Общая трудоемкость дисциплины 3 зачётные единицы(108 академических часов)

6. Формы контроля Экзамен (8 семестр)
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10

Похожие:

Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации и к программам основной образовательной программы высшего...
Профиль подготовки: «Документоведение и документационное обеспечение управления»
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации и к программам основной образовательной программы высшего...
Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ооп
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации и к программам основной образовательной программы высшего...
Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ооп
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации и к программам основной образовательной программы высшего...
Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ооп
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации и к программам основной образовательной программы высшего...
Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ооп
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации и к программам основной образовательной программы высшего...
Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ооп
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации и к программам основной образовательной программы высшего...
Дисциплина относится к циклу «Гуманитарный, социальный и экономический цикл» (базовая часть)
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconОсновная образовательная программа высшего профессионального образования...
Основная образовательная программа высшего профессионального образования, реализуемая вузом по направлению подготовки 011200 Физика...
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации и к программам основной образовательной программы высшего...
Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ооп
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconОсновная образовательная программа высшего профессионального образования...
Требования к уровню подготовки абитуриента, необходимому для освоения ооп
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации и к программам основной образовательной программы высшего...
Изучение основных законов и концепций применения информационных технологий в области обеспечения техносферной безопасности
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации к рабочим программам учебных дисциплин основной образовательной...
Аннотации к рабочим программам учебных дисциплин основной образовательной программы высшего профессионального образования
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации и к программам основной образовательной программы высшего...
«История» относится к «Гуманитарному, социальному и экономическому циклу». Базовая часть (Б. 1) для направления 050400. 62 Психолого-педагогическое...
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации и к программам основной образовательной программы высшего...
Целью изучения дисциплины является практическое владение разговорно-бытовой речью и языком специальности для активного применения...
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconПеречень образовательных программ подготовки бакалавров по специальностям,...
Настоящий государственный образовательный стандарт высшего профессионального образования (гос впо) регламентирует требования к основной...
Аннотации и к программам основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 011200. 62 Физика Профиль подготовки: Физика полупроводников iconАннотации и к программам основной образовательной программы высшего...
Целью изучения дисциплины является практическое владение разговорно-бытовой речью и языком специальности для активного применения...


Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2013
контакты
100-bal.ru
Поиск