ALL LIST PUBLICATIONS (RUS)(ENG)
( Standard of the American Physical Society) Antimatter and POSITRONics, positron ANNIHILATION, PHYSICS OF COMPLEX SYSTEMS,
synergetics, MATERIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY, nanotechnology, OTHER ADJACENT PROBLEMS
(Научные статьи, монографии, тезисы докладов и доклады на конференциях, депонированные тезисы докладов, статьи и доклады, отчеты)
( Scientific papers, monographies, theses of the reports and reports on conferences, reports, dep. theses, papers and reports) № п/п
В.И.Гольданский, А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в гидридах щелочных металлов. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1964. Т.47. Вып.8. С.659-666.
А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Аннигиляция позитронов из связанных состояний системы е+Н-. Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий». М.: ИХФ АН СССР. 1963. С.6.
В.И.Гольданский, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции позитронов в щелочно-галоидных кристаллах. Физика твердого тела. 1964. Т.6. Вып.11. 3301-3306.
А.В.Иванова, Е.П.Прокопьев. Об аннигиляции медленных позитронов в гидридах щелочных металлов. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1965. Т.48. Вып.4. С.1155-1158.
Гольданский В.И., Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Применение метода Хартри-Фока к задачам аннигиляции позитронов в конденсированных средах ионного типа // В кн.: Ядерная химия М.: Наука, 1965. С.249-267.
Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из поляронных состояний в щелочно-галоидных кристаллах // В кн: Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.282-289.
Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Захват позитронов дефектами в щелочно-галоидных кристаллах // В кн.: Ядерная химия. М.: Наука, 1965. С.290-297.
Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.70.
Прокопьев Е.П. Об аннигиляции термализованных позитронов в ионных кристаллах. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966. С.71.
Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. и др. Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. 242 с.
Арефьев К.П., Арифов П.У., Прокопьев Е.П. и др. Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. 192 с.
19. Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции для характеристики поляронных состояний в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.464-466.
Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в ионных средах // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып.2. С.515-524.
Прокопьев Е.П. Об аннигиляции медленных позитронов в гелии // Теоретическая и экспериментальная химия. 1966. Т.2. Вып.4. С.543-545.
Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // Письма в ЖЭТФ. 1966. Т.4. Вып.5. С.422--425.
Прокопьев Е.П. О локализованных состояниях электронов на неидеальной поверхности полупроводника // Физика твердого тела. 1966. Т.8. Вып. 11. С.2770-2772.
Иванова А.В., Прокопьев Е.П. О взаимодействии медленных позитронов с ионами Н- в гидридах щелочных металлов // Теоретическая и экспериментальная химия. 1967. Т.3. Вып.4. С.471-477.
Прокопьев Е.П. Атом позитрония в твердых телах // Физика твердого тела. 1967. Т.9. Вып.7. С.1266-1268.
Прокопьев Е.П. Влияние хемосорбции свободных атомов на электрофизические свойства тонких окисных полупроводниковых пленок // Кинетика и катализ. 1968. Т.9. №2. С.450-451.
Цыганов А.Д., Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в окислах металлов // Физика твердого тела. 1969. Т.11. Вып.8. С.2079-2087.
Бартенев Г.М., Цыганов А.Д. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в кварце, облученном быстрыми нейтронами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1970. Т.58. Вып.6. С.1904-1910.
Прокопьев Е.П. О возможности применения метода аннигиляции позитронов для характеристики экситонных состояний в ионных кристаллах // Известия ТСХА. 1970. №1. С.227-230.
Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Образование и динамическая стабильность атома позитрония в ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1970. Т.12. Вып.6. С.2733-2735.
Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. О возможности применения методов аннигиляции позитронов для исследования процессов хемосорбции // Кинетика и катализ. 1970. Т.11. Вып.3. С.808-809.
Прокопьев Е.П. Аномальное тушение триплетного позитрония магнитным полем в конденсированной фазе // Известия ТСХА. 1970. №5. С.197-203.
Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Атом позитрония в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1970. №7. С.71-75.
Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов отрицательных ионов по временам жизни позитронов // Журнал структурной химии. 1970. №6. С.1123-1124.
Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в окисных полупроводниках с развитой поверхностью // ДАН СССР. 1970. Т.197. №2. С.560-563.
Бартенев Г.М., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Аннигиляция позитронов из связанных состояний системы О2-е+ в кристаллах // Физика твердого тела.1971. Т.13. С.1211-1213.
Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Термализация позитронов в ионных кристаллвх // Известия вузов. Физика. 1971. №4. С.68-72.
Гольданский В.И., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в идеальных ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1971. Т.13. Вып.10. С.2955-2964.
Гольданский В.И., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Слабо связанные поверхностные состояния атома позитрония // Физика твердого тела. 1971. Т.13. Вып.11. С.3194-3198.
Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Аннигиляция позитронов в ионных кристаллах // Успехи физических наук. 1971. Т.103. Вып.2. С.339-354.
Бартенев Г.М., Варисов А.З., Иванова А.В., Плетнев М.Н., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах с решегкой типа NaCl // Физика твердого тела 1972. Т.14. Вып.3. С.715-717.
Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Позитронные центры в дефектных ионных кристаллах // Физика твердого тела. 1972. Т.14. С.588-590.
Прокопьев Е.П. О свойствах F+ - центров в дефектных кристаллах с ионным типом связи // Физика твердого тела. 1972. Т.14. Вып.10. С.2924-2926.
Бартенев Г.М., Варисов А.З., Гольданский В.И., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Определение эффективных зарядов анионов в средах ионного типа позитронным методом // Успехи химии. 1972. Т.41. Вып.4. С.585-599.
ПрокопьевЕ.П. Энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1974. Т.36. Вып.2. С.361-367.
Варисов А.З., Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в ионных кристаллах // Химия высоких энергий. 1974. Т.8. Вып.4. С.368. - Деп. в ВИНИТИ. №59-74 Деп., 47 с.
Прокопьев Е.П. Атом позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1974. №4. С.38-40.
Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов на глубоких примесных уровнях в полупроводниках // Физика твердого тела. 1974. Т.16. Вып.3. С.730-732.
Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в щелочно-галоидных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1974. №10. С.76-79.
Прокопьев Е.П. О диффузии и кинетике распада ортопозитрония в пористых ионных системах с развитой поверхностью // Кинетика и катализ. 1977. Т.18. С.776-779.
Прокопьев Е.П. Влияние фононов решетки на энергетический спектр и аннигиляционные характеристики атома позитрония в ионных кристаллах. М., 1975. 6 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1456. РИ.75.15.3799.
52. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Воробьев С.А. Аномально сильное магнитное тушение интенсивности долгоживущей компоненты времени жизни позитрона I2 в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1975. №6. С.147-148.
53. Прокопьев Е.П. О применении метода аннигиляции позитронов в спектроскопии твердых тел. М., 1975. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1454. РИ.75.3800.
54. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О полиэлектронных системах Уилера в дефектных кристаллах // Оптика и спектроскопия. 1975. Т.39. С.998-999.
Прокопьев Е.П. О механизме аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М., 1975. 11с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1455. РИ.75.15.3797.
Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции позитронов для изучения электронной структуры и физико-химических характеристик материалов. М., 1975. 29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1422. РИ.75.09.2278.
Прокопьев Е.П. О таммовских позитронных состояниях в полупроводниках. М., 1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-1452. РИ.75.15.3795.
Прокопьев Е.П. Многоэлектронная теория моттовского состояния позитрония в ионных кристаллах. М., 1975. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1457. РИ.75.15.3796.
Прокопьев Е.П. Теория аннигиляции позитронов в ионных кристаллах. М., 1975. 11 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1453. РИ.75.15.3798.
Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в идеальных ионных кристаллах // В кн.: Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. Гл.3-4. С. 117-136.
Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Кинетические схемы процесса аннигиляции позитронов в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “3 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.275.
Прокопьев Е.П. Краткие сведения о возможной классификации и свойствах позитронных состояний в ионных кристаллах // В кн.: “3 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1975. С.271.
Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. О кинетике аннигиляционного распада позитронных состояний в реальных ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1977. №9. С.50-55.
Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г. О поверхностных позитронных и позитрониевых состояний в ионных кристаллах // Известия вузов. Физика. 1978. №1. с.76-80.
Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. , Разумовская И.В., Хашимов Ф.Р., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И. Аннигиляция позитронов в монокристаллах арсенида галлия // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.118-122.
Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positronium in ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of papers 4 Internat. Conf. on Positron Annihilation. Helsingor, Denmark. 23-26 august 1976. P.2. F-3.
Прокопьев Е.П. Об аномальных свойствах атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.2. С.472-475.
Прокопьев Е.П. Особенности позитронных аннигиляционных спектров полупроводников с глубокими примесными центрами // В кн.: Тезисы докладов “23 Всесоюзная конференция по люминесценции”. Кишинев: Штиница. 1976. С.5.
Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Батавин В.В. Феноменологическая теория глубоких примесных центров и оптические переходы в полупроводниках. М., 1976. 17 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1717. РИ.76.12.3940.
Прокопьев Е.П. Позитронные и позитрониевые состояния в реальных ионных кристаллах // В кн.: Квантовые свойства атомов и ионов и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1975. С.137-167.
Прокопьев Е.П. Метод квантового дефекта в применении к задачам аннигиляции термализованных позитронов на глубоких примесных центрах в полупроводниках // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.100-103.
Прокопьев Е.П. О процессах распада и превращений позитронных состояний в полупроводниках с глубокими примесными центрами // В кн.: Позитронсодержащие системы и позитронная диагностика. Ташкент: ФАН, 1978. С.95-100.
Прокопьев Е.П. О взаимодействии термализованных позитронов с глубокими примесными центрами в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.550.
Прокопьев Е.П. О влиянии температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.551.
Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О сопоставлении свойств позитронных и электронных центров окраски // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.101.
Прокопьев Е.П. О свойствах атомов мюония и позитрония в полупроводниках и ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.552.
Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитронных состояний и механизм аннигиляции позитронов в реальных кристаллах. М., 1976. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1664. РИ.76.07.2280.
Прокопьев Е.П. Применение метода позитронной аннигиляции для исследования сорбционных процессов // В кн.: “Ионный обмен и хроматография. Рефераты и краткие сообщения”. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1976. С.333.
Прокопьев Е.П. О роли исследования позитронных и позитрониевых состояний в науке и технике // В кн.: “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент : ФАН, 1979. С.113.
Прокопьев Е.П. Позитронные состояния и механизм процессов аннигиляции позитронов в реальных полупроводниках // Тезисы докладов 4 Всесоюзного совещания “Физика и технические применения полупроводников А2В6 “. Киев: Наукова Думка, 1976. С.165.
Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов по позитронным аннигиляционным спектрам полупроводниковых соединений А2В6”. Киев: Наукова Думка, 1976. С.166.
Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Аннигиляция позитронов в облученном электронами кристалле кремния // Физика твердого тела. 1977. Т.19. С.1339-1344.
Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония (Ps) в ионных кристаллах и полупроводниках. М.,1977. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-1974. РИ.77.01.542.
Прокопьев Е.П. О влиянии поверхностных состояний на границе раздела полупроводник n-типа - металл на величину барьера Шоттки // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1979. Вып.1. С.93-95.
Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Основы позитроники полупроводников. М.,1976. 343 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2073. РИ.77.06.3412.
Прокопьев Е.П., Батавин В.В. Применение феноменологической теории Райсса-Кауса к оптическим переходам в полупроводниках с участием примесных центров с глубоким уровнем. М., 1978. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2543. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №6. 1979. Сер. “ЭР”.
Мокрушин А.Д., Кузнецов Ю.Н., Ольховикова Т.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Аннигиляция позитронов в монокристаллах полупроводниковых соединений А3В5 // Физика твердого тела. 1977. Т.19. Вып.11. С.3339-3344.
Воробьев А.А., Арефьев К.П., Воробьев С.А., Каретников А.С., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р. Маркова Т.И. Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. 1977. Т.11. Вып.4. С.651-655.
|