Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы»





Скачать 208.61 Kb.
НазваниеПрограмма дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы»
Дата публикации22.04.2015
Размер208.61 Kb.
ТипПрограмма дисциплины
100-bal.ru > Литература > Программа дисциплины


Федеральное государственное автономное учреждение высшего

профессионального образования

«Московский институт электроники и математики -

Национальный исследовательский университет

«Высшая школа экономики»»

Факультет Электроники и телекоммуникаций

Программа дисциплины
«Проектирование и технология электронной компонентной базы»
Направление подготовки 210100.68 - Электроника и наноэлектроника
Квалификация выпускника - магистр

Авторы – доц., к.т.н. Б.А. Лапшинов, проф., к.т.н. Харитонов И.А.


Одобрена на заседании кафедры электроника и наноэлектроника «___»_____________2012 г.

Заведующий кафедрой _______________ К.О.Петросянц

Рекомендована секцией УМС «Электроника» «__» ______________ 2012 г.

Председатель _______________
Утверждена УС факультета Электроники и телекоммуникаций

Ученый секретарь _______________ «___»_____________2012 г.

Москва 2012
Настоящая программа не может быть использована другими подразделениями университета и другими вузами без разрешения кафедры-разработчика программы


Область применения и нормативные ссылки

Настоящая программа учебной дисциплины устанавливает минимальные требования к знаниям и умениям студента и определяет содержание и виды учебных занятий и отчетности.

Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов направления 210100 - Электроника и наноэлектроника подготовки магистра, изучающих дисциплину «Проектирование и технология электронной

компонентной базы»

Программа разработана в соответствии с:

  • Федеральным государственным образовательным стандартом по направлению подготовки магистра 210100.68 «Электроника и наноэлектроника»;

  • Образовательной программой подготовки магистра 210100.68 «Электроника и наноэлектроника»;

  • Рабочим учебным планом университета по направлению подготовки магистра 210100.68 «Электроника и наноэлектроника», утвержденным в 2012 г.



Цели освоения дисциплины

Целями освоения дисциплины "Проектирование и технология электронной компонентной базы" является формирования у студентов знаний о методах проектирования электронной компонентной базы современных и перспективных изделий микро- и наноэлектроники, назначении, физических принципах и методики выполнения основных технологических процессов производства приборов микро- и наноэлектроники.

Компетенции обучающегося,
формируемые в результате освоение дисциплины

В результате освоения дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» студент должен:

- изучить особенности электронной компонентной базы аналоговой и цифровой техники, принципы работы элементов аналоговых и цифровых микросхем;

- изучить методы расчета, проектирования, конструирования и модернизации электронной компонентной базы с учетом заданных требований и с использованием систем автоматизированного проектирования;

- изучить современные программные средства для проектирования и конструирования приборов, схем и устройств электроники и наноэлектроники различного функционального назначения;

- изучить физические принципы и основные технологические процессы формирования структур приборов твердотельной электроники;

- изучить физические принципы и технологические процессы сборки приборов твердотельной электроники;

- изучить конструктивные особенностей приборов твердотельной электроники;

В результате освоения дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» студент осваивает следующие компетенции:

Компетенция

Код по

ФГОС

Дескрипторы – основные признаки освоения (показатели достижения результата)

Формы и методы обучения, способствующие формированию и развитию компетенции

Способностью совершенствовать и развивать свой интеллектуальный и общекультурный уровень.


ОК-1

Подготовка к практическим занятиям, обсуждение тем домашних заданий, подготовка к написанию реферата

Посещение лекций, подготовка к практическим занятиям
и работа на них, написание реферата

Способностью адаптироваться к изменяющимся условиям, переоценивать накопленный опыт, анализировать свои возможности


ОК-7

Выбирает необходимые технологические процессы, оценивает режимы их выполнения, изучает и анализирует методы проектирования приборов, изучает соответствующие литературные источники


Подготовка реферата, дискуссии на практических занятиях,

Готовностью определять цели, осуществлять постановку задач проектирования электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения, подготавливать технические задания на выполнение проектных работ

ПК-8

Работает на практических занятиях, рассчитывает режимы выполнения технологических процессов, анализирует схемотехнические решения


Активность на практических занятиях, написание реферата

Способностью владеть методами проектирования технологических процессов производства материалов и изделий электронной техники с использованием автоматизированных систем технологической подготовки производства


ПК-12

Изучает и анализирует технологические варианты изготовления приборов, методы их проектирования, изучает соответствующие литературные источники




Место дисциплины в структуре образовательной программы
Дисциплина " Проектирование и технология электронной компонентной базы " относится к базовой части Профессионального цикла.

Дисциплина требует наличия у студента знаний, умений и навыков, полученных в ходе изучения дисциплин бакалавриата «Физика», «Химия», «Материалы электронной техники», «Теоретические основы электротехники», «Физические основы электроники», «Схемотехника», «Основы технологии электронной компонентной базы».
Для изучения дисциплины студент должен обладать следующими компетенциями:

ОК-1 – Способность владеть культурой мышления, способностью к обобщению, анализу, восприятию информации, постановке цели и выбору путей её достижения;

ОК-2 - Способность к самостоятельному обучению новым методам исследования, к изменению научного и научно-производственного профиля своей профессиональной деятельности;

ПК-1 – Способность представлять адекватную современному уровню знаний научную картину мира на основе знания основных положений, законов и методов естественных наук и математики;

ПК-6 – Способность собирать, обрабатывать, анализировать и систематизировать научно-техническую информацию по тематике исследования, использовать достижения отечественной и зарубежной науки, техники и технологии;

ПК-14 – Способность выполнять работы по технологической подготовке производства материалов и изделий электронной техники;

ПК-18 – Способность собирать, анализировать и систематизировать отечественную и зарубежную научно-техническую информацию по тематике исследования в области электроники и наноэлектроники;

ПК-21 – Готовность анализировать и систематизировать результаты исследований, представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций.


Дисциплина " Проектирование и технология электронной компонентной базы ":

-:изучается на первом курсе магистратуры в 3 и 4 модулях;

- имеет междисциплинарные связи с дисциплинами «Методы математического моделирования» (1, 2 модули), «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники» (1. 2 модули), «Основы проектирования оборудования микро- и нанотехнологий» (3. 4 модули).

Объем дисциплины и виды учебной работы

Вид учебной работы


Всего часов / зачетных единиц

Модули

3

4

-

Общая трудоемкость дисциплины

180










Аудиторные занятия (всего)

100

40

60




В том числе:

-

-







Лекции

20

10

10




Практические занятия (ПЗ)

80

30

50




Семинары (С)

-

-







Лабораторные работы (ЛР)

-

-







Самостоятельная работа (всего)

80

40

40




В том числе:

-

-







Контрольная работа

1

-

10




Домашнее задание

2

-

30




Реферат

1

40







Другие виды самостоятельной работы

-

-










-

-







Промежуточная аттестация (зачет)

-

Зач.

Экз.




Общая трудоемкость часы


180










-

-









Тематический план учебной дисциплины

№ п/п

Наименование раздела дисциплины

Лекц.

Практ.

зан.

СРС

Все-го

1.

Введение. Технологические особенности производства электронной компонентной базы.

2

4

6




2.

Основные технологические процессы микроэлектронного производства

3

10

10




3.

Возможности, ограничения и перспективы развития литографических процессов

3

10

14




4.

Плазменные и плазмохимические процессы в технологии производства электронной компонентной базы

2

6

10




5.

Современные подходы к автоматизированному проектированию электронной компонентной базы.


2

16

8




6

Проектирование БИС на основе базовых матричных кристаллов (БМК)

3

12

10




7

Проектирование фрагментов аналоговых микросхем

3

12

12




8

Перспективные направления развития элементной базы БИС и СБИС

2

10

10





Формы контроля знаний студентов

Тип контроля

Форма контроля

Модуль

Параметры

Текущий

контроль активности на практических занятиях

3, 4

ответы на вопросы, решение задач, участие в дискуссиях

Промежуточный

(зачет 3-й мод.), выполнение контрольной работы и домашних заданий

Подготовка и выполнение реферата

3, 4

Активность работы над рефератом.

Объем реферата 15-20 стр. по выбранной тематике


Итоговый

экзамен

4






Порядок формирования оценок по дисциплине

  • текущий контроль предусматривает учет активности студентов в ходе проведения практических занятий;

  • промежуточный контроль предусматривает оценку за реферат (3-й модуль), выполнение контрольной работы и домашних заданий (4-й семестр);

  • итоговый контроль проводится по результатам экзамена

Итоговая оценка формируется как взвешенная сумма оценки, накопленной в течение курса, и оценки за реферат, экзамен и оценок промежуточного контроля.

Критерии оценки знаний, навыков

Активность на практических занятиях оценивается по следующим критериям:

  • Ответы на вопросы, предлагаемые преподавателем;

  • Выступления у доски;

  • Участие в дискуссии по предложенной тематике.


Реферат направлен на описание и анализ конкретного технологического процесса изготовления микроэлектронных приборов. Требования к реферату изложены в отдельном разделе программы (см. ниже). Реферат оценивается по следующим критериям:

  • Определение места технологического процесса во всей цепочке процессов;

  • Описание физических основ проведения процесса;

  • Определение технологических режимов проведения процесса и структурной схемы технологического оборудования;

  • Аккуратность в оформлении работы, стиль изложения.


Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины

Базовые учебники

Основная литература

  1. Королев М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч.\/ М.А. Королев, Т.Ю. Крупкина, М.А. Ревелева; под общей ред. Ю.А. Чаплыгина. –М.: БИНОМ. Лаборатория знаний. Ч.1: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование. – 2007.

  2. Киреев В.Ю. Введение в технологии микроэлектроники и наноэлектроники. – 2008.

  3. В.Ю. Киреев, А.А. Столяров. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. – 2006.

  4. Л.А. Коледов. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. - 2008.

  5. Лапшинов Б.А. Технология литографических процессов. Учеб. пособ. М.: МИЭМ, 2011.

6. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев Электроника и микропроцессорная техника// М., Высшая школа, 2004 г., 790 стр.

7. Казённов, Г.Г. Основы проектирования интегральных схем и систем // Г.Г. Казённов. – М.: БИНОМ. Лаборотория знаний, 2009. – 295 с.

8. Петросянц К.О., Харитонов И.А., Стародубов А.Ю. Моделирование работы цифровых устройств с помощью программы PSPICE// РИС МИЭМ, 2005.
Дополнительная литература


  1. Плазменные процессы в производстве изделий электронной техники. В 3-х т. Мн.: ФУАинформ, 2000.

  2. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии: Учеб. Пособие для вузов. М. : Высш.шк., 1988.

  3. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991.

  4. Технология СБИС /Под ред. С.Зи. Т 1, 2. – М.: Мир, 1986.

  5. Бродуай И., Мерей Д. Физические основы микротехнологии. – М.: Мир, 1985.

6. А. Бухтев, Методы и средства проектирования систем на кристалле, // Chip News», 2003 №4.

7. Разевиг В.Д. Система проектирования ORCAD 9.2. // Москва, Солон-Р, 2003.

8. Горячкин Ю. В. Физико-топологическое моделирование в САПР ТСАД / Ю. В. Горячкин, С. А. Нестеров, Б. П. Сурин. – Саранск : Изд-во Мордов. ун-та, 2006. 124 с. – (Учебники Мордовского университета).

Содержание программы
Тема 1. Введение. Технологические особенности производства электронной компонентной базы. Цели и задачи дисциплины. Микроэлектронные приборы – основа электронной компонентной базы. Характеристика и технологические особенности микроэлектронного производства. Основные типы приборов твердотельной электроники (2 часа)
Основная литература:

  1. Королев М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч.\/ М.А. Королев, Т.Ю. Крупкина, М.А. Ревелева; под общей ред. Ю.А. Чаплыгина. –М.: БИНОМ. Лаборатория знаний. Ч.1: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование. – 2007.

  2. Киреев В.Ю. Введение в технологии микроэлектроники и наноэлектроники. – 2008.



Дополнительная литература:

  1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991.



Тема 2. Основные технологические процессы микроэлектронного производства.

Физические основы и технологические особенности основных технологических процессов – формирования тонкопленочных диэлектрических и проводящих покрытий, модификации электрофизических свойств полупроводников, осуществления локальности обработки (литографические процессы).
Основная литература:

  1. Киреев В.Ю. Введение в технологии микроэлектроники и наноэлектроники. – 2008.

  2. Л.А. Коледов. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. - 2008.


Дополнительная литература:

  1. Физические методы контроля качества материалов: Учеб. пособие / Под. ред. А.А. Батаева. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000.

  2. Технология СБИС /Под ред. С.Зи. Т 1, 2. – М.: Мир, 1986

3. В.Ю. Киреев, А.А. Столяров. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. – 2006.

Тема 3. Возможности, ограничения и перспективы развития литографических процессов.

Основные цели и задачи литографических процессов. Фоторезисты и их свойства. Фотолитография и основные этапы ее проведения. Физические и технологические ограничения фотолитографии. Основы УФ- , рентгено-, электроно- и ионолитографии, их возможности и проблемы.
Основная литература:

  1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991.

  2. Лапшинов Б.А. Технология литографических процессов. Учеб. пособ. М.: МИЭМ, 2011.

  3. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии: Учеб. Пособие для вузов. М. : Высш.шк., 1988.


Дополнительная литература:

  1. Технология СБИС /Под ред. С.Зи. Т 1, 2. – М.: Мир, 1986.

  2. Бродуай И., Мерей Д. Физические основы микротехнологии. – М.: Мир, 1985.



Тема 4. Плазменные и плазмохимические процессы в технологии производства электронной компонентной базы. Взаимодействие энергетических ионов с материалами. Физико-химические процессы в низкотемпературной газоразрядной плазме. Процессы травления и очистки материалов с использованием НГП. Основы ионного травления, плазмохимического травления и ионно-химического травления материалов. Перспективы использования методов в технологиях производства электронной компонентной базы.
Основная литература:


  1. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии: Учеб. Пособие для вузов. М. : Высш.шк., 1988.

  2. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991.


Дополнительная литература:

  1. Плазменные процессы в производстве изделий электронной техники. В 3-х т. Мн.: ФУАинформ, 2000.


Тема 5. Современные подходы к автоматизированному проектированию электронной компонентной базы.

Проектирование «сверху-вниз» и «снизу-вверх». Поведенческое описание работы устройства. Физическое , логическое и схемотехническое проектирование. Верификация полученного проекта. Системы автоматизированного проектирования электронной компонентной базы.
Основная литература:

1. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев Электроника и микропроцессорная техника// М., Высшая школа, 2004 г., 790 стр.

2. Казённов, Г.Г. Основы проектирования интегральных схем и систем // Г.Г. Казённов. – М.: БИНОМ. Лаборотория знаний, 2009. – 295 с.
Дополнительная литература:

1. А. Бухтев, Методы и средства проектирования систем на кристалле, // Chip News», 2003 №4.

Тема 6. Проектирование БИС на основе базовых матричных кристаллов (БМК). Особенности конструкции и топологии цифровых БМК. Методы проектирования ИС и БИС на основе базовых матричных кристаллов.
Основная литература:

1. Казённов, Г.Г. Основы проектирования интегральных схем и систем // Г.Г. Казённов. – М.: БИНОМ. Лаборотория знаний, 2009. – 295 с.

2. Петросянц К.О., Харитонов И.А., Стародубов А.Ю. Моделирование работы цифровых устройств с помощью программы PSPICE// РИС МИЭМ, 2005.
Дополнительная литература:

1. Разевиг В.Д. Система проектирования ORCAD 9.2. // Москва, Солон-Р, 2003.

Тема 7. Проектирование фрагментов аналоговых микросхем.

Аппаратурное использование ОУ: пороговые устройства, генераторы импульсов, таймеры.

Интегральные аналоговые перемножители, модуляторы, детекторы. Расчет характеристик фрагментов аналоговых микросхем.
Основная литература:

1. Казённов, Г.Г. Основы проектирования интегральных схем и систем // Г.Г. Казённов. – М.: БИНОМ. Лаборотория знаний, 2009. – 295 с.
Дополнительная литература:

1. Горячкин Ю. В. Физико-топологическое моделирование в САПР ТСАД / Ю. В. Горячкин, С. А. Нестеров, Б. П. Сурин. – Саранск : Изд-во Мордов. ун-та, 2006. 124 с. – (Учебники Мордовского университета).

Тема 8. Перспективные направления развития элементной базы БИС и СБИС.

Сверхбыстродействующие БИС на основе GaAs и SiGe. Микросхемотехника оптоэлектронных ИС. Фоточувствительные СБИС на основе приборов с зарядовой связью (ПЗС) и КМОП-фотодиодных матриц.
Основная литература:

  1. Л.А. Коледов. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. - 2008.

2. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев Электроника и микропроцессорная техника// М., Высшая школа, 2004 г., 790 стр.
Дополнительная литература:

1. Разевиг В.Д. Система проектирования ORCAD 9.2. // Москва, Солон-Р, 2003

Оценочные средства для контроля и аттестации студента: реферат
Требования к реферату

Объем реферата – 15 - 20 страниц текста формата А4 содержащего таблицы, графики, схемы выполненных 12 кеглем с интервалом 1,5. Реферат должен содержать титульный лист, задание, оглавление основных разделов и список используемой литературы.

Изложение всех разделов реферата должно быть четким, технически грамотным и доходчивым для чтения.

Темы реферата выдает преподаватель с учетом интересов студентов. Темы для всех студентов не повторяются.

Примерные темы рефератов:

1. Конструктивно-технологические варианты изоляции элементов микросхем друг от друга.

2. Сравнительная характеристика и область применения фотолитографических и электроннолитографических методов.

3. Методы нанесения металлических пленок при создании микроэлектронных приборов.

4. Технология высокотемпературного окисления кремния.

5. Сравнительные характеристики методов диффузионного и ионного легирования полупроводников.

6. Определите порядок расчета глубины залегания p-n перехода при диффузионном легировании.

7. Методы формирования эпитаксиальных слоев.

8. Опишите и сравните возможные методы нанесения металлических пленок при создании микроэлектронных приборов.

9. Сравнительный анализ рентгеновской, электронной и ионной литографий.

10. Сравнительные характеристики химических и плазменных методов травления в технологии производства микросхем.

11. Варианты плазмохимических методов обработки в микроэлектронной технологии.

14. Физические основы и технология формирования тонких диэлектрических пленок методами химического и плазмохимического осаждения.

15. Физическая сущность и основные этапы процесса фотолитографии.

16. Изготовление изделий из стекла и керамики.

17. Технология получения неразъемных соединений в производстве изделий ЭТ.

18. УЗ обработка в производстве изделий электронной техники.

19. Лазерная обработка в производстве изделий ЭТ.

20. Электронно-лучевая обработка материалов в электронной промышленности.

21. Конструкции элементов полупроводниковых микросхем, методы изоляции элементов.

22. Технология изготовления гибридных микросхем.

23. Технологические процессы сборки полупроводниковых приборов и ИМС.

24. Лазерная и электронно-лучевая микрообработка в производстве изделий ЭТ.
Рекомендации по использованию информационных технологий:
Помимо книг, учебников и статей в журналах, студенты могут широко использовать интернет-ресурсы при изучении дисциплины.

Авторы программы к.т.н., доцент: _____________ (Лапшинов Б.А.)

к.т.н., профессор ______________ (Харитонов И.А.)


Добавить документ в свой блог или на сайт

Похожие:

Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconПрограмма дисциплины «Основы технологии электронной компонентной...
Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов направления 210100 Электроника...
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconПравительство Российской Федерации Федеральное государственное автономное...
Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов направления 210100 Электроника...
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconСвч модуль на диоде ганна
Роснауки по проведению открытого конкурса на право заключения государственных контрактов на выполнение научно-исследовательских работ...
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconПротокол №8 заседания конкурсной комиссии Роснауки по проведению...
Роснауки по проведению открытого конкурса на право заключения государственных контрактов на выполнение научно-исследовательских работ...
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconПрограмма дисциплины Защита рэс от дестабилизирующих воздействий...
Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов направления подготовки для...
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconУчебно-методический комплекс по дисциплине «технология монокристаллов,...
Целью данной дисциплины является изучение типовых технологических процессов, используемых в производстве изделий электронной техники,...
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» icon«Проектирование программного пользовательского интерфейса для электронной...
Тема I: Методологический характер дисциплины «Исследование социально-экономических и политических процессов»
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconИнструкция по подготовке и передаче перечня электронных ресурсов...
«О создании Республиканской межвузовской электронной библиотеки», вузы должны создавать свои полнотекстовые базы электронных библиотек...
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconПояснительная записка На тему: «Проектирование программного пользовательского...
На тему: «Проектирование программного пользовательского интерфейса для электронной социально-ориентированной системы поддержки очного...
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconФедеральное агентство по образованию
Наименование курса: Автоматизированное проектирование современной цифровой электронной аппаратуры 13
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconМинистерство образования и науки российской федерации
Наименование курса: Автоматизированное проектирование современной цифровой электронной аппаратуры 14
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconВ связи с приказом №149 от 16. 05. 2014 «О создании в библиотеке...

Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconРеферат выпускницы 11 класса Яковлевой Александры по теме «Разработка...
Взяв данную тему Александра провела попытку систематизации и приведения к одному стандартному виду информации по учащимся Раздольнинской...
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconУчебно-методический комплекс дисциплины педагогические технологии...
Проектирование и процесс решения педагогических задач. Репродуктивные, продуктивные, алгоритмические педагогические технологии. Технология...
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconРазработка системы внешнего представления объектов базы знаний среды обучения
Рассматривается технология подготовки компьютерных уроков, основанная на активном использовании объектов базы среды обучения
Программа дисциплины «Проектирование и технология электронной компонентной базы» iconРабоч ая учебная программа дисциплины Технология материалов твердотельной электроники
Целью освоения дисциплины является изучение общих подходов к описанию и анализу технологических процессов, а так же сущности и назначения...


Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2013
контакты
100-bal.ru
Поиск