Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti





Скачать 323.25 Kb.
НазваниеРазработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti
страница3/3
Дата публикации11.01.2015
Размер323.25 Kb.
ТипАвтореферат
100-bal.ru > Физика > Автореферат
1   2   3

ЦИТИРУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
1.Асеев, А.Л. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике [Текст] / А.Л. Асеев. – Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004. – 368 с.

2. Белов, А.Н. Нанотехнологии на основе анодных оксидов материалов [Текст] / А.Н. Белов, С.А. Гаврилов, М.Г. Путря, В.И. Шевяков // Известия Вузов. Электроника. – 2006. – № 5. – С. 93-98.

3. Кравченко, А.Ф. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности [Текст] / А.Ф. Кравченко, В.Н. Овсюк. – Новосибирск: Изд-во Новосиб. ун-та, 2004. – 448 с.
Основные публикации по теме диссертационной работы


  1. Агеев О.А., Смирнов В.А. Нанолитография методом локального анодного окисления полупроводников и металлов // Известия ТРТУ, 2005, №9, с. 97

  2. Агеев О.А., Коломийцев А..С., Поляков В.В., Светличный А.А., Смирнов В.А. Исследование процесса локального анодного окисления пленки титана при стимуляции ультрафиолетовым излучением // Труды МНК «Тонкие пленки и наноструктуры» (ПЛЕНКИ - 2005) 22-26 ноября 2005 г., г. Москва, – Ч.1, – С. 160-163

  3. Смирнов В.А. Формирование наноразмерных структур методом локального анодного окисления пленки титана // Материалы первой ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН. г. Ростов-на-Дону, 2005, с. 268-269.

  4. Смирнов В.А. Исследование фотонно-стимулированных процессов локального анодного окисления для формирования элементов металлической наноэлектроники // Материалы второй ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН. г. Ростов-на-Дону, 2006, с. 156-157.

  5. Агеев О.А., Поляков В.В., Смирнов В.А. Исследование влияния фотонной стимуляции на процессы локального анодного окисления // Известия ТРТУ №9 Материалы LII Научно-технической конференции профессорско-преподовательского состава, аспирантов и сотрудников Таганрогского государственного радиотехнического университета (ТРТУ), Таганрог, 2006, с. 117.

  6. Агеев О.А., Коломийцев А.С., Светличный А.М., Смирнов В.А. Исследование режимов формирования элементов наноэлектроники методом локального анодного окисления // материалы VIII Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления», Таганрог, 2006, стр. 262-263.

  7. Агеев О.А., Светличный А.М., Смирнов В.А. Исследование влияния режимов фотонной стимуляции на процессы нанолитографии методом локального анодного окисления // материалы конференции «Микроэлектроника и информатика 2006», Зеленоград, 2006, стр. 4.

  8. Агеев О.А., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Исследование режимов активируемых процессов локального анодного окисления пленки титана // Материалы конференции “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники, ПЭМ 2006”, п. Дивноморское, Краснодарский край, 24-29 сентября 2006г., с. 32-35.

  9. Агеев О.А., Коломийцев А.С., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Исследование режимов зондовых технологических процессов формирования оксидных наноструктур // Материалы VI Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» г. Кисловодск, 2006, с. 421-422.




  1. Агеев О.А., Коломийцев А.С., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Формирование наноразмерных структур в пленке титана методом фотонно-стимулированного локального анодного окисления // Материалы IV Международной научной школы-конференции “Молодыеученые – науке, технологии и профессиональному образованию в электронике”«Молодые ученые - 2006» г. Москва, 2006 г., Т. 2, стр. 219-222.

  2. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Зондовая фотонно-стимулированная нанолитография структур на основе пленки титана // Микроэлектроника, Том 36, № 6, 2007. - С. 403-408

  3. Агеев О.А., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А., Коломийцев А.С. Исследование режимов фотонностимулированной зондовой нанолитографии методом локального анодного окисления // Материалы XI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» Нижний Новгород, 2007, с. 448-449

  4. Смирнов В.А. Влияние УФ- и ИК- излучения на закономерности образования наноразмерных структур методом локального анодного окисления // Материалы третьей ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр ЮНЦ РАН. Ростов-на-Дону, 5-24 апреля 2007 г., стр. 189-190

  5. Смирнов В.А. Исследование влияния процессов термической активации на формирование наноструктур методом локального анодного окисления // Тезисы докладов IV ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН. 9-18 апреля Ростов-на-Дону. Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2008. – С. 152-153.

  6. Агеев О.А., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Исследование термической активации зондовой нанолитографии методом локального анодного окисления пленки титана // Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» Нижний Новгород, 2008. – Т. 2. – С. 408-409.

  7. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Исследование режимов фотонностимулированной зондовой нанолитографии методом локального анодного окисления пленки титана // Нано- и микросистемная техника. – 2008. – №1. – С. 1-3.


В работах, опубликованных в соавторстве, лично автору принадлежат: в [1-4] – результаты теоретического анализа основных наноразмерных структр, формируемых методом ЛАО; [2,6,7-16] – экспериментальные результаты по исследованию влияния фотонного излучения на геометрические параметры формируемых методом ЛАО ОНС; [3,13] – модель расчета скорости ЛАО при формировании оксидных наноразмерных структур в пленке титана; [5,7-16] – АСМ-изображения ОНС; [10,11] – технологические маршруты формирования элементов наноэлектроники на основе каналов проводимости; [14,15] – экспериментальные зависимости влияния температуры подложки на геометрические параметры формируемых методом ЛАО ОНС; [10,11,16,] – анализ механизмов при фотонной стимуляции ЛАО.


Тип. ТТИ ЮФУ Заказ № тир. Экз. 100
Издательство Технологического института Южного федерального университета в г. Таганроге

ГСП - 17А, Таганрог, 28, Некрасовский, 44

Типография Технологического института Южного федерального университета в г. Таганроге

Таганрог, 28, ГСП 17А, Энгельса, 1
1   2   3

Похожие:

Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconИсследование вокальной речи как нестацинарного случайного процесса...
Работа выполнена на кафедре теоретических основ радиотехники Технологического института Южного федерального университета в г. Таганроге...
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconДипломную работу по теме «Исследование кинетики окисления цитохрома р-450 методом флеш-фотолиза»
Медицинский, на Медико-биологический факультет, отделение биохимии. На 6-ом курсе выполняла дипломную работу по теме «Исследование...
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка научных и технологических основ создания эффективных алюмоводородных...
Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Объединенном институте высоких температур Российской академии...
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti icon+2 их акцептором. В реакции (2) происходит перемещение электронов...
Окислительно-восстановительные реакции – реакции, протекающие с изменением степени окисления атомов, входящих в состав реагирующих...
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconОтчет о научно-исследовательской работе исследование и разработка...
Директор ресурсного центра информатизации образования (рцио), канд техн наук, доцент
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка и исследование методов распознавания объектов в массивах...

Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка и исследование алгоритмов распознавания изображений на...

Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconАннотация отчет
«Исследование влияния электромагнитных полей разных частотных диапазонов на свойства органических наноструктур и живых систем» аналитической...
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconИсследование гетерогенно-каталитических реакций окисления органичесих соединений
Курина Лариса Николаевна, д хим н., профессор, заслуженный деятель науки рф, член-корр. Рае, академик рае
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconОкислительно-восстановительные реакции
Уметь определять степени окисления элементов в простых и сложных веществах, различать понятия: степень окисления, составлять уравнения...
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconИнтенсификация обработки плоскостей с учетом технологических требований...
Ведущее предприятие: фгуп научно-производственный центр газотурбостроения «Салют», г. Москва
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconМетодическая разработка по дисциплине «Современные системы технологии»
Актуальность изучения учебной дисциплины «Современные системы технологий» определена задачами подготовки специалистов в понимании...
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка и исследование интегрированных алгоритмов размещения элементов...
Специальности: 05. 13. 12 – Системы автоматизации проектирования, 05. 13. 17 – Теоретические основы информатики
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconПрограмма по формированию навыков безопасного поведения на дорогах...
Определение степени окисления атомов по формуле вещества. Составление формулы вещества по степени окисления элементов
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка и исследование моделей поведения динамических объектов...
Специальность: 05. 13. 18 – Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconЕе Величества Реакции
Цель: продолжить формировать умения учащихся в определении степени окисления элементов, процессов окисления и восстановления в овр;...


Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2013
контакты
100-bal.ru
Поиск