“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора”





Скачать 250.88 Kb.
Название“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора”
страница3/3
Дата публикации06.03.2016
Размер250.88 Kb.
ТипКурсовой проект
100-bal.ru > Физика > Курсовой проект
1   2   3


Рисунок 7- Температурная зависимость обратного тока диода

5 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК МДП-ТРАНЗИСТОРА
Исходные данные: Zk=500 (мкм), Lk=5 (мкм), d=0,2 (мкм), Na=8*1015 (см-3), Nпов=2*1010 (см-2), hU=3 (мкм), LU=6 (мкм), hс=3(мкм), Lс=6 (мкм), Rтем=50 (К/Ват)

Справочные данные: ni=1,45*1010 (см-3), ε0=8,85,*10-14 (Ф/см), φмп=-0,95, ρ=0,0156 (Ом*см)

Вычисления

Рассчитаем важнейший параметр МДП-транзистора с индуцированным каналом –пороговое напряжение:

;

где φMn- разность работ выхода в системе металл-затвор-полупроводник;

φF- потенциал уровня Ферми, отсчитанный от середины запрещенной зоны;

(В);

Qпов- плотность фиксированного заряда на поверхности раздела диэлектрик-полупроводник

(Кл/см2)

Qn-плотность заряда нескомпенсированых ионизированных атомов примеси в подложке

(см)-ширина обедненного слоя в канале при Uзи=0.

(Кл/см2)

(Ф)- удельная емкость затвор-исток

(В)

Находим напряжение смыкания:



- (В)

Усилительные свойства МДП-транзистора характеризуются крутизной, максимальное значение которой:



Передаточная характеристика диода
Ic=K[Uзи-Uпор]2
Коэффициент К представляет собой характеристический параметр МДП-транзистора, который зависит от его геометрии и электрофизических свойств:


представим передаточную характеристику в таблице и графически:

Таблица 5





Рисунок 4- передаточная характеристика МДП-транзистора

Семейство ВАХ в триодной области описывается выражением:

Расчеты представим в виде таблицы:
Таблица 6

Ic

Uзи

Uси

0

2

0

4,50E-05

2

0,5

4,50E-05

2

1

4,50E-05

2

1,5

4,50E-05

2

2

4,50E-05

2

2,5

4,50E-05

2

3

4,50E-05

2

3,5

4,50E-05

2

4

Ic

Uзи

Uси

0

3,2

0

1,13E-04

3,2

0,3

2,43E-04

3,2

0,9

2,59E-04

3,2

1,2

2,59E-04

3,2

2

2,59E-04

3,2

2,5

2,59E-04

3,2

3

Ic

Uзи

Uси

0

4,2

0

2,88E-04

4,2

0,4

5,67E-04

4,2

0,9

7,83E-04

4,2

1,5

8,64E-04

4,2

2

8,71E-04

4,2

2,66

8,71E-04

4,2

3

8,71E-04

4,2

3,5

8,71E-04

4,2

4



Рисунок 5- семейство стоковых ВАХ МДП-транзистора

Паразитные емкости Сзи , Сзс принимаются равными между собой:

(Ф)

максимальная мощность, рассеиваемая в кристалле, рассчитывается по формуле:

(Вт)

Граничная частота равна:

(Гц)

Сопротивление стока и истока рассчитываем по формуле:

(Ом)

ВЫВОД
В ходе выполнения курсового проекта рассчитал параметры и характеристики диода. Изображена прямая ВАХ диода, на которой показана зависимость тока диода от напряжения диода. Рассчитан максимальный прямой ток диода Iпрmax=13 А. Представлена обратная ветвь ВАХ- обратный ток слабо зависит от обратного напряжения, рабочее обратное напряжение Uобр=106,5 В.

Рассчитан МДП-транзистор, изображены ВАХ передаточной и ВАХ в триодной области. Uпор=2 В -пороговое напряжение МДП-транзистора. Передаточная характеристика характеризует зависимость тока стока Iс от напряжения затвор-исток Uзи (при Uси=const)- зависимость имеет экспоненциальный вид. На графике ВАХ в триодной области видно участок резкого изменения тока и участок с малым изменением тока (область насыщения). Можно с уверенностью сказать, что для МДП-транзистора параметром является напряжение на затворе, следовательно, прибор управляется напряжением.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ


  1. Тугов М.Н. Полупроводниковые приборы –Москва. 1990 г. 575 стр.

  2. Герасимов Г.В. Основы промышленной электроники -Москва. 1986 г. 336 стр.

  3. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твердотельная электроника - Москва. 1986 г. 304 стр.

4 Переверзева О.Н., Переверзев А.В. Методические указания к курсовому проектированию по курсу “Твердотельная электроника”- Запорожье ЗГИА 2000г.

1   2   3

Похожие:

“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconМоделирование полупроводникового диода
Планируемые результаты освоения обучающимися основной образовательной программы начального общего образования ооп
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconМоделирование полупроводникового диода
Омский институт водного транспорта (филиал) фбоу впо «Новосибирская государственная академия водного транспорта»
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconВ соответствии с Конвенцией мдп
Для упрощения осуществления таможенных формальностей применяется книжка мдп, действующая на основании «Таможен­ной конвенции о международной...
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconИзмерения параметров транзисторов
Как оценить качество транзистора? Какие параметры транзистора надо знать, чтобы предугадать его работу в приемнике, усилителе? Как...
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconКлиническая картина. Стадии протекания мдп
Отсутствие дефекта личности даже после многократных приступов свидетельство благоприятного прогноза заболевания в целом. Мдп считается...
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconПояснительная записка содержит: 5 рис., 4 источника, 22 стр
Цель работы: произвести кинематический анализ и расчёт станка 1П 365, расчёт метчика и расчёт призматического фасонного резца
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconКак обеспечить функционирование системы таможенного транзита в России без применения книжек мдп?
При этом сроки оформления процедуры таможенного транзита по национальной процедуре и с применением книжек мдп практически равны при...
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconТаможенная конвенция о международной перевозке грузов с применением...
Чем больше будет учитель учиться сам, обдумывать каждый урок и соразмерять с силами ученика, чем больше будет следить за ходом мысли...
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconТема: «Разработать оптимальное рабочее место инженера-программиста,...

“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconРеферат Работа содержит 22 листа, 12 рисунков, 4 таблицы, 7 источников литературы
Расчет посадок цилиндрических, шпоночных соединений, подшипников качения и расчет размерной цепи
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconРасчет настроек автоматического регулятора
Исследовать работу комбинированной автоматической системы управления в целом и ее отдельных контуров. Провести расчет оптимальных...
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconО применении с 14 сентября 2013 года мер по обеспечению соблюдения...
О применении с 14 сентября 2013 года мер по обеспечению соблюдения таможенного транзита, предусмотренных тктс при перевозках в соответствии...
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconИнструкция по импорту данных из пп «Парус Расчет заработной платы»
Данное руководство содержит последовательность действий, необходимых для импорта данных из пп «Парус Расчет заработной платы»
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconРеферат Алаева В. С. Расчет и моделирование системы электросвязи....
Целью курсовой работы является расчёт и моделирование системы электросвязи в системе схемотехнического моделирования micro-cap 9
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconКнига I
Охватывает до 200 работ, расчет ее может выполняться вручную (определение затрат времени, материально-технических ресурсов, технико-экономических...
“Расчет полупроводникового диода и мдп-транзистора” iconУчебное пособие По выполнение практического занятия и расчетно-графической...
В учебном пособии приводятся методические рекомендации по выполнению расчетно-графической работы «Расчет усилительного каскада с...


Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2013
контакты
100-bal.ru
Поиск