Реферат по дисциплине " Технологические процессы микроэлектроники " на тему: Технологические процессы герметизации имс

Скачать 1.34 Mb.

Название	Реферат по дисциплине " Технологические процессы микроэлектроники " на тему: Технологические процессы герметизации имс
страница	14/18
Дата публикации	18.01.2015
Размер	1.34 Mb.
Тип	Реферат

100-bal.ru > Химия > Реферат

1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18

Защита p-n-переходов плёнками окислов металлов.

В полупроводниковой технологии для защиты кристаллов с p-n-переходами применяются плёнки на основе окисей металлов: алюминия, титана, бериллия, циркония. Исходный материал берут в виде порошка, а в качестве несущего агента может быть использован галоген или галоидное соединение водорода. Через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником защитного материала и полупроводниковым кристаллом. Температура источника должна быть выше температуры кристаллов, причём с увеличением разницы температуры скорость реакции повышается.

Для осаждения защитных плёнок Al₂0₃, BeO, TiO₂, ZnO₂ температуру источника выбирают в диапазоне 800–1200 С, кристаллов – в диапазоне 400–800 С, а расстояние между ними устанавливается в зависимости от требуемой разницы температур (от 10 до 15 см) В таблице 5 приведены режимы осаждения защитных плёнок окислов металлов.

Таблица 8

Материал источника	Несущий агент	Температура источника, ⁰С	Температура кристаллов,⁰С
Al₂O₃	HCl(HBr)	800–1000	400–700
BeO	HCl(HBr)	900–1200	500–750
TiO₂	HCl(HBr,Cl₂)	800–1000	500–700
ZnO₂	HCl(HBr)	1000–1200	500–800

Процесс осаждения защитной плёнки на полупроводниковые кристаллы с p-n-переходами проводят в кварцевой трубе, в одном конце которого помещают материал источника, например Al₂O₃ , а в другом – подложку с кристаллами. Сначала в трубе создают вакуум, а потом вводят необходимое количество инертного газа. Труба имеет две температурные зоны: 900 С – для источника, 500 С – для кристаллов.

В качестве защитного материала можно использовать также свинцовый сурик Pb₃O₄, растворенный в смеси из 7,5% полиэтилена и 92%полибутилена и перемещённый при температуре 125–160 ⁰С. Полученный состав при температуре 112 С наносят на поверхность кристаллов с p-n-переходами. В качестве окисляющего агента используют хромат цинка ZnCrO₄. Кроме того, защитные плёнки могут быть получены на основе смесей Pb₃O₄ и ZnCrO₄, SrCrO₄ . Порошок этих веществ смешивают с летучими растворителями получают суспензии, которые наносят на поверхность полупроводниковых кристаллов распылением. Кристаллы с напылённым защитным слоем выдерживают в течение нескольких минут при комнатной температуре до полного испарения растворителя, а затем нагревают до 200 С. В результате нагревания частицы нанесённого вещества выделяют ионы кислорода, которые замещают ионы водорода на поверхности полупроводникового материала, и на поверхности кристаллов образуется плотная защитная плёнка. Этот способ защиты позволяет снизить обратные токи приборов на один-два порядка.

Вакуумным катодным распылением Al₂O₃, MgF₂, Ta₂O₅, TiO₂, ThO₂, ZnO₂, BeO, и MgO на поверхности кристаллов с p-n-переходами могут быть получены защитные диэлектрические плёнки, которые представляют собой с поверхностью полупроводникового кристалла.

Для защиты и стабилизации электрических параметров p-n-переходов проводят процесс титанирования, который состоит в том, что на поверхность кристаллов с p-n-переходами осаждают один из сложных эфиров: негидролизированный титановый эфир, тетраизопропилтитанат, тетрабутилтитанат или тетраэтилгексинтитанат. Полученное покрытие стабилизируют термическим прогревом или при помощи катализаторов и получают прочие, химически связанные с поверхностью полупроводникового кристалла плёнки двуокиси титана.

Другой способ титанирования заключается в замещении слоя окиси германия на поверхности кристалла германия окисью титаната, которая наносится в потоке фтора. Фтор, проходя по трубопроводу и насыщаясь титаном, образует газообразный фторид титана, который реагирует с поверхностью кристаллов, покрытий слоем окиси германия. В результате на поверхности кристаллов образуется окись титана и парообразный фторид германия.

Для защиты поверхностей p-n-переходов может быть использован нагрев кристаллов при 1200 С в окисляющей атмосфере в присутствии ванадия или его соединения. Ванадий находится в рабочей камере в виде порошкообразной пятиокиси V₂O₅. Через рабочую камеру пропускают водяные пары, содержащие кислород с парциальным давлением 3,3*10³ Па. После получения плёнки толщиной около 1 мкм лодочку с порошком V₂O₅ медленно выдвигают из печи.

Поверхность p-n-переходов защищают также плёнками окиси вольфрама, наносимыми плазменными распылением в атмосфере кислорода. Толщина плёнок от 10 до 1000 нм. Давление кислорода в рабочей камере может быть выбрано в диапазоне от 2,6*10³ до6,6 Па. Катодом служит чашеобразный диск из вольфрама, а анодом – полупроводниковые пластины с p-n-переходами. Температура процесса не должна превышать 300 С. Напряжение на электродах от выбранного давления газа внутри рабочей камеры не должно превышать 500 В.

1 ... 10 11 12 13 14 15 16 17 18

Похожие:

$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Памятка (силлабус) Учебной дисциплины «Технологические процессы в машиностроении» Модуль Курс Технологические процессы в машиностроении, его составные части. Краткая характеристика, значение в технологической подготовке...	$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Рабочая программа дисциплины «Технологические процессы в строительстве» Дисциплина «Технологические процессы в строительстве» относится к Профессиональной части цикла б дисциплина обеспечивает логическую...
$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Реферат На тему В настоящее время разработано большое количество новых сплавов золота, а так же технологические процессы нанесения покрытия золотом...	$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Рабочая программа дисциплины «Технологические процессы в строительстве» Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Рабочая программа дисциплины «Технологические процессы в строительстве» Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования	$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Рабочая программа по дисциплине б 12. Технологические процессы технического... Рабочая программа составлена на основе фгос во и учебного плана мгту по подготовки бакалавров 190600. 62 Эксплуатация транспортно...
$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Реферат По курсу: «Технологические процессы производств и оборудования»... Знание закономерностей обработки металлов давлением помогает выбирать наиболее оптимальные режимы технологических процессов, требуемое...	$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Реферат По курсу: «Технологические процессы производств и оборудования»... Знание закономерностей обработки металлов давлением помогает выбирать наиболее оптимальные режимы технологических процессов, требуемое...
$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Методические рекомендации по дисциплине сд. 14 Технологические практикумы... Практикум по дисциплине «Технологические основы социально-культурной деятельности» предполагает овладение совокупностью способов...	$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего... «Технологические процессы в сервисе» студентам специальности «Сервис» специализация «Сервис электронных систем безопасности (информации,...
$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Учебно-методический комплекс дисциплины «специальные технологические процессы» Учебно-методический комплекс составлен в соответствии с требованиями государственного образовательного стандарта высшего профессионального...	$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Положение о проведении конкурса профессионального мастерства Технологические процессы машиностроительного производства. Технология конструкционных материалов. Обработка заготовок на фрезерных...
$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Рабочая программа учебной дисциплины «Технологические процессы в строительстве» Рабочая программа предназначена для преподавания дисциплины базовой части профессионального цикла студентам очной и заочной формы...	$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Министерство образования и науки РФ федеральное государственное бюджетное образовательное Технологические процессы машиностроительного производства. Технология конструкционных материалов. Обработка заготовок на фрезерных...
$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Перечень вопросов к Государственному междисциплинарному экзамену по специальности (первый этап) Технологические процессы машиностроительного производства. Технология конструкционных материалов. Обработка заготовок на фрезерных...	$Реферат по дисциплине \" Технологические процессы микроэлектроники \" на тему: Технологические процессы герметизации имс icon$	Примерная программа наименование дисциплины технология хранения и... Цели формирование у студентов теоретических знаний и практических навыков, позволяющих им осуществлять приемку, хранение и контроль...

Школьные материалы