Рабочая учебная программа дисциплины





Скачать 334.41 Kb.
НазваниеРабочая учебная программа дисциплины
страница2/3
Дата публикации24.05.2015
Размер334.41 Kb.
ТипРабочая учебная программа
100-bal.ru > Химия > Рабочая учебная программа
1   2   3

5.2. Разделы дисциплины и междисциплинарные связи с обеспечиваемыми (последующими) дисциплинами

№ п/п

Наименование обеспечиваемых

(последующих) дисциплин

№ разделов данной дисциплины, необходимых для изучения обеспечиваемых (последующих) дисциплин

1

2

3

1.

Процессы микро и нанотехнологий;

+







2.

Технология материалов электронной техники

+

+

+

3.

Технология тонких пленок и покрытий

+







4.

Технология и оборудование производства материалов и изделий электронной техники

+









5.3. Разделы дисциплин и виды занятий

№ п/п

Наименование раздела дисциплины

Лекц.

Практ.

зан.

Лаб.

зан.

Семин

СРС

Все-го

час.

1.

Вакуумная и плазменная электроника

19

6

19

-

52

96

2.

Твердотельная электроника и микроэлектроника

19

6

19

-

52

96

3.

Оптическая и квантовая электроника

19

7

19

-

51

96




  1. Лабораторный практикум


Модуль 1. Лабораторные занятия. 15 часов

- компьютерное моделирование простых форм кристаллов;

- определение параметров кристаллической структуры твердых тел рентгеновским методом;

- исследование топографии поверхности твердых тел методом атомно-силовой микроскопии в контактном режиме;

- определение кристаллографического строения и структурных дефектов полупроводников;

- тестовый контроль знаний студентов по изученному модулю с применением ЭВМ.

Модуль 2. Лабораторные занятия. 15 часов

- определение собственного дипольного момента полярной молекулы;

- исследование упругих видов поляризации в твердых диэлектриках;

- диэлектрические потери в материалах с тепловыми видами поляризации;

- исcледование фазового перехода серое олово-белое олово;

- исследование фазового перехода металл-диэлектрик в диоксиде ванадия;

- определение ширины запрещенной зоны полупроводников по температурной зависимости электропроводности;

- тестовый контроль знаний студентов по изученному модулю с применением ЭВМ.

Модуль 3. Лабораторные занятия. 15 часов.

- метод избирательного травления для выявления дислокаций в кристаллах;

- зависимость микротвердости кристаллов от ориентации и плотности дислокаций;

- изучение дефектов кристаллического строения в пленках кремния, полученных методом эпитаксии;

- тестовый контроль знаний студентов по изученному модулю с применением ЭВМ.

Модуль 4. Лабораторные занятия. 15 часов.

- определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках;

- исследование температурной зависимости электропроводности ионных кристаллов.

- определение коэффициента диффузии атомов углерода в решетке α-Fe;

- изучение эффекта Холла в полупроводниках;

- тестовый контроль знаний студентов по изученному модулю с применением ЭВМ.

Модуль 5. Лабораторные занятия. 15 часов.

- определение электросопростивления металлов и сплавов;

- измерение диэлектрической проницаемости и угла диэлектрических потерь в твердых диэлектриках;

- определение оптических постоянных тонких слабопоглощающих слоев;

- исследование спектральной зависимости фоточувствительных полупроводников;

- определение температуры Кюри тонких ферромагнитных сплавов;

- кривая намагничивания ферро- и ферримагнетиков;

- тестовый контроль знаний студентов по изученному модулю с применением ЭВМ.

Примечание: выполняется одна работа в каждом модуле из приведенного выше списка.

  1. Практические занятия (семинары)

В рамках дисциплины не предусмотрено отдельных часов для проведения практических занятий, однако в целях качественной подготовки студентов к ведению профессиональной деятельности необходимо произвести разбор типовых профессиональных задач, что реализуется в рамках лабораторных занятий.

Тематики задач для разбора и самостоятельного решения студентами:

1. Геометрия кристаллической решетки;

2. Кристаллографические проекции;

3. Точечная симметрия кристаллов;

4. Пространственная симметрия кристаллов;

5. Дефекты в кристаллах: собственный беспорядок, беспорядок, вызванный нарушениями стехиометрии, посторонними примесями в элементарных и бинарных кристаллах;

6. Явления переноса в кристаллах с дефектами: диффузия, электрическая профодимость и электорхимический перенос;

7. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и рентгеноструктурный анализ.

  1. Примерная тематика курсовых проектов (работ)

Курсовые проекты или работы данной дисциплине не планируются

  1. Образовательные технологии и методические рекомендации по организации изучения дисциплины

Чтение лекций по данной дисциплине проводится с использованием мультимедийных презентаций. Слайд-конспект курса лекций включает более 400 слайдов. Презентация позволяет преподавателю четко структурировать материал лекции, экономить время, затрачиваемое на рисование на доске схем, написание формул и других сложных объектов, что дает возможность увеличить объем излагаемого материала. Кроме того, презентация позволяет очень хорошо иллюстрировать лекцию не только схемами и рисунками которые есть в учебном пособии, но и полноцветными фотографиями, рисунками, портретами ученых и т.д. Электронная презентация позволяет отобразить физические и химические процессы в динамике, что позволяет улучшить восприятие материала. Студентам предоставляется возможность копирования презентаций для самоподготовки и подготовки к экзамену.

Поскольку лекции читаются для одной группы студентов (20 – 25 чел.) непосредственно в аудитории контролируется усвоение материала основной массой студентов путем тестирования по отдельным модулям дисциплины.

При работе в малоконтингентной группе, сформированной из достаточно успешных студентов, целесообразно использовать диалоговую форму ведения лекций с использованием элементов практических занятий, постановкой и решением проблемных задач и т.д. В рамках лекционных занятий можно заслушать и обсудить подготовленные студентами рефераты.

При проведении лабораторного практикума необходимо создать условия для максимально самостоятельного выполнения лабораторных работ. Поэтому при проведении лабораторного занятия преподавателю рекомендуется:

Провести экспресс-опрос (устно или в тестовой форме) по теоретическому материалу, необходимому для выполнения работы (с оценкой).

Проверить планы выполнения лабораторных работ, подготовленный студентом дома (с оценкой).

Оценить работу студента в лаборатории и полученные им данные (оценка).

Проверить и выставить оценку за отчет.

Любая лабораторная работа должна включать глубокую самостоятельную проработку теоретического материала, изучение методик проведения и планирование эксперимента, освоение измерительных средств, обработку и интерпретацию экспериментальных данных. При этом часть работ может не носить обязательный характер, а выполняться в рамках самостоятельной работы по курсу. В ряд работ целесообразно включить разделы с дополнительными элементами научных исследований, которые потребуют углубленной самостоятельной проработки теоретического материала.

При проведении практических занятий преподавателю рекомендуется не менее 1 часа из двух (50% времени) отводить на самостоятельное решение задач. Практические занятия целесообразно строить следующим образом:

Вводная преподавателя (цели занятия, основные вопросы, которые должны быть рассмотрены).

Беглый опрос.

Решение 1-2 типовых задач у доски.

Самостоятельное решение задач.

Разбор типовых ошибок при решении (в конце текущего занятия или в начале следующего).

Для проведения занятий необходимо иметь большой банк заданий и задач для самостоятельного решения, причем эти задания могут быть дифференцированы по степени сложности. В зависимости от дисциплины или от ее раздела можно использовать два пути:

Давать определенное количество задач для самостоятельного решения, равных по трудности, а оценку ставить за количество решенных за определенное время задач.

Выдавать задания с задачами разной трудности и оценку ставить за трудность решенной задачи.

По результатам самостоятельного решения задач следует выставлять по каждому занятию оценку. Оценка предварительной подготовки студента к практическому занятию может быть сделана путем экспресс-тестирования (тестовые задания закрытой формы) в течение 5, максимум - 10 минут. Таким образом, при интенсивной работе можно на каждом занятии каждому студенту поставить по крайней мере две оценки.

По материалам модуля или раздела целесообразно выдавать студенту домашнее задание и на последнем практическом занятии по разделу или модулю подвести итоги его изучения (например, провести контрольную работу в целом по модулю), обсудить оценки каждого студента, выдать дополнительные задания тем студентам, которые хотят повысить оценку за текущую работу.

При организации внеаудиторной самостоятельной работы по дисциплине преподавателю рекомендуется использовать следующие ее формы:

  • подготовка и написание рефератов, докладов, очерков и других письменных работ на заданные темы.

  • выполнение домашних заданий разнообразного характера. Это - решение задач; подбор и изучение литературных источников; подбор иллюстративного и описательного материала по отдельным разделам курса в сети Интернет.

  • выполнение индивидуальных заданий, направленных на развитие у студентов самостоятельности и инициативы. Индивидуальное задание может получать как каждый студент, так и часть студентов группы;

  1. Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной аттестации по итогам освоения дисциплины и учебно-методическое обеспечение самостоятельной работы студентов


Всего по текущей работе студент может набрать 50 баллов, в том числе:

- лабораторные работы - 20 балла;

- решение задач в рамках лабораторного практикума – 7 баллов;

- контрольные (тестовые) работы по каждому модулю – всего 21 балл;

- домашнее задание или реферат –2 балла.

Зачет проставляется автоматически, если студент набрал по текущей работе не менее 26 баллов. Минимальное количество баллов по каждому из видов текущей работы составляет половину от максимального.

Для самостоятельной работы и решения задач в рамках лабораторного практикума используются задания и задачи, приведенные в перечисленных ниже учебных пособиях:

1. В.В.Рыбкин, В.А.Титов, С.А. Смирнов. Физика твердого тела. Учебное пособие. Иваново, изд. ИГХТУ, 2010, 100 с.

2. В.Н. Зубковская. кристаллы с дефектами. Сборник примеров и задач по физической химии твердого тела.Москва, изд. РХТУ им. Менделеева, 2006, 336 с.

3. Е.В. Чупрунов, А.Ф. Хохлов (под ред.). Задачи по кристаллографии. Учебное издание. Москва, Физматлит, 2003, 208 с.
Комплект контрольно-измерительных материалов для текущего, промежуточного и итогового контроля

Контроль знаний студентов на всех этапах осуществляется путем компьютерного тестирования. Комплект тестовых заданий по дисциплине состоит из 150 заданий – в основном закрытого типа. Выдаваемый каждому студенту индивидуальный тест включает 20-30 заданий по каждому модулю и генерируется с помощью специальной программы. Время проведения тестирования рассчитывается исходя из одной минуты на одно задание. Примеры контрольных тестов по каждому модулю приведен ниже.
Варианты тестовых заданий для контроля учебных достижений студентов

Согласно принципу симметрии Кюри:

  1. Элементы симметрии причин должны проявляться в вызванных ими следствиях

  2. Элементы симметрии причин не могут проявляться в вызванных ими следствиях

  3. Вызванные явления не могут обладать более высокой симметрией, чем вызвавшие их причины

  4. Нет правильного ответа

Какое правило формулируется: “В результате наложения воздействий и явлений друг на друга их дисимметрии складываются, и в результате остаются лишь общие элементы симметрии”

  1. Принцип симметрии Кюри

  2. Принцип Неймана

  3. Принцип Шубникова

  4. Принцип суперпозиции Кюри

Преобразования антисимметрии вводятся для объектов…

  1. Имеющих свойство, которое может менять знак

  2. Имеющих свойство, которое не имеет знака

  3. Нет правильного ответа

Температурная зависимость теплоемкости кристаллов в широком диапазоне температур удовлетворительно описывается

  1. Уравнением Дебая

  2. Уравнением Дюлонга-Пти

  3. Уравнением кубов Дебая

  4. Нет правильного ответа

К векторным физическим свойствам относится

  1. Пьезоэлектрический эффект

  2. Пироэлектрический эффект

  3. Электрооптический эффект

Все свойства кристаллов, описываемые тензорами второго ранга, являются центросимметричными (aij=aji), за исключением

  1. Пьезоэлектричества

  2. Термоэлектричества

  3. Сегнетоэлектричества

Анизотропия физического свойства кристалла требует для своего определения тем большего числа независимых переменных, чем…

  1. Выше симметрия кристалла

  2. Ниже симметрия кристалла

  3. Выше показатель преломления кристалла

Магнитные свойства вещества описываются с помощью

  1. скаляра

  2. вектора

  3. тензора второго ранга

  4. тензора третьего ранга

  5. тензора четвертого ранга

В отсутствие внешнего магнитного поля собственного магнитного момента не имеют

  1. Парамагнетики

  2. Диамагнетики

  3. Ферромагнетики

  4. Ферримагнетики

Наличие областей самопроизвольной намагниченности (доменов) объясняет

  1. Высокие значения магнитной восприимчивости ферромагнетиков

  2. Высокие значения магнитной восприимчивости диамагнетиков

  3. Высокие значения магнитной восприимчивости парамагнетиков

При температурах выше Тк (точки Кюри)

  1. Ферромагнитные свойства исчезают и кристалл становится парамагнетиком

  2. Парамагнитные свойства исчезают и кристалл становится диамагнетиком

  3. Диамагнитные свойства исчезают и кристалл становится ферромагнетиком

Пьезоэлектрический эффект может возникнуть только в кристаллах

  1. Обладающих центром симметрии и имеющих полярные направления

  2. Лишенных центра симметрии, но имеющих полярные направления

  3. Лишенных центра симметрии и полярных направлений

  4. Обладающих центром симметрии, но не имеющих полярных направлений

Упругие постоянные кристалла в общем случае представляют собой

  1. Скалярные величины

  2. Векторные величины

  3. Тензор второго ранга

  4. Тензор третьего ранга

  5. Тензор четвертого ранга

Луч света, падающий на кристалл, испытывает двойное преломление и поляризуется в

  1. Кристаллах высшей и средней категорий симметрии

  2. Кристаллах высшей и низшей категорий симметрии

  3. Кристаллах средней и низшей категорий симметрии

  4. Кристаллах всех категорий симметрии

Показатели преломления и скорости волн и лучей в кристалле - величины

  1. тензорные

  2. не тензорные

Вклад квадратичного электрооптического эффекта по сравнению с линейным незначителен в кристаллах

  1. Пьезоэлектриков

  2. Сегнетоэлектриков

Укажите верное определение для деффектов по Шоттки и по Френкелю:

  1. деффект по Шоттки это междоузельный атом, а деффект по Френкелю это вакантное место в узле кристаллической решетки

  2. деффект по Шоттки это междоузельный атом, а деффект по Френкелю это пара из вакантного места в узле кристаллической решетки и междоузельного атома

  3. деффект по Шоттки это вакантное место в узле кристаллической решетки, а деффект по Френкелю это пара из вакантного места в узле кристаллической решетки и междоузельного атома

  4. деффект по Шоттки это вакантное место в узле кристаллической решетки, а деффект по Френкелю это междоузельный атом

Концентрация тепловых точечных дефектов с ростом температуры

  1. экспоненциально уменьшается

  2. возрастает пропорционально температуре в степени 3/2

  3. экспоненциально возрастает

  4. уменьшается пропорционально температуре в степени -3/2

Подход к реакциям дефектов, как и к обычным химическим реакциям

  1. используется в методе статистической термодинамики

  2. используется в методе квазихимических анологий

Растворами внедрения называются растворы, в которых

  1. атомы примеси занимают регулярные узлы кристаллической решетки

  2. атомы примеси занимают междоузлия

  3. атомы примеси располагаются как в узлах кристаллической решетки, так и интерстециально

При нарушении какого из условий, благоприятствующих образованию твердых растворов замещения, могут возникнуть принципиальные изменения электрофизических свойств кристалла?

  1. условие близости атомных (ионных) радиусов частиц примеси и частиц растворителя

  2. условие одинаковости решеток, в которых кристаллизуются растворитель и растворяющаяся примесь

  3. условие близости химической природы растворителя и растворенного вещества

Если валентность атома замещающей примеси не отличается от валентности атома основного вещества, говорят о

  1. изовалентном замещении

  2. гетеровалентном замещении

  3. иновалентном замещении

Ассоциат это

  1. точечные дефекты, расположенные в кристалле по определенному закону и образующие новую (собственную) подрешетку

  2. точечные дефекты более крупных размеров, представляющие комплексы, состоящие из нескольких взаимосвязанных частиц (квазичастиц)

Процесс случайного смещения частиц в любом направлении под действием случайных тепловых флуктуаций при тепловом воздействии на кристалл называется

  1. хаотической самодиффузией

  2. направленной диффузией

  3. электрохимическим переносом

Укажите механизмы объемной диффузии в твердом теле

  1. примесный механизм

  2. механизм вытеснения

  3. вакансионный механизм

  4. туннельный механизм

  5. междоузельный механизм

Коэффициент хаотической самодиффузии

  1. не зависит от механизма диффузии

  2. различен при различных механизмах диффузии

Укажите математическое выражение первого закона Фика для случая одномерной диффузии (D-коэффициент направленной диффузии, с-концентрация, j-поток)









В случае, если градиент концентрации меняется во времени, для описания процесса диффузии необходимо использовать

  1. I закон Фика

  2. II закон Фика

  3. III закон Фика

  4. закон Нернста-Эйнштейна

Укажите, чем определяется способность вещества переносить электрические заряды

  1. подвижностью носителей заряда

  2. концентрацией носителей заряда

  3. напряженностью внешнего электрического поля

  4. геометрией образца

Наличие индукционного периода является характерной особенностью

  1. начальной стадии твердофазной реакции

  2. основной стадии твердофазной реакции

  3. заключительной стадии твердофазной реакции

Зависимость толщины слоя продукта реакции от времени изменяет свой характер с линейного на параболический при:

  1. переходе реакции с начальной фазы на основную

  2. переходе основной стадии в заключительную

  3. переходе реакции на одной из стадий с индукционного периода на период эффективного взаимодействия

Кристаллическая структура характеризуется

  1. Ближним порядком расположения частиц

  2. Дальним порядком расположения частиц

  3. Нет правильного ответа

Количество возможных кристаллических классов

  1. равно 23

  2. равно 32

  3. бесконечно

  4. нет правильного ответа

Количество сингоний равно

  1. 6

  2. 7

  3. 8

  4. 9

  5. нет правильного ответа

Количество решеток Бравэ равно

  1. 13

  2. 14

  3. 15

  4. 16

  5. нет правильного ответа

Для определения положения частиц в кристаллической решетке пользуются:

  1. декартовой системой координат

  2. кристаллографической системой координат

  3. полярной системой координат

  4. нет правильного ответа

За осевые единицы длины принимают:

  1. длины ребер параллелепипида Браве в направлении координатных осей

  2. отрезки произвольной длины, выбранные на осях в кристаллографической системы координат

  3. половину длины ребер параллелепипеда Браве в направлении координатных осей

  4. нет правильного ответа

Эффективный радиус иона

  1. зависит только от атомного номера элемента, и не зависит от степени его ионизации

  2. зависит только от степени его ионизации и не зависит от атомного номера элемента

  3. зависит от атомного номера элемента и степени его ионизации

  4. не зависит от атомного номера элемента и степени его ионизации

Число частиц, необходимых для построения элементарной ячейки, называют

  1. координационным числом

  2. числом структурных единиц

  3. стехиометрическим показателем

  4. постоянной решетки

С увеличением радиуса иона его поляризуемость:

  1. увеличивается

  2. уменьшается

  3. не изменяется

Ван-дер Ваальсова связь характерна для

  1. ионных кристаллов

  2. атомных кристаллов

  3. молекулярных кристаллов

Электропроводность ионных кристаллов с ростом температуы

  1. падает

  2. растет

  3. не зависит от температуры

Ионные кристаллы в большинстве своем

  1. хорошие проводники

  2. диэлектрики

  3. полупроводники

Свойство химически и геометрически близких атомов, ионов и их сочетаний замещать друг друга в кристаллической решетке называется

  1. политипией

  2. полиморфизмом

  3. изоморфизмом

  4. аллотропизмом

Выделение или поглощение теплоты и скачкообразное изменение внутренней энергии и энтропии происходит при

  1. фазовом переходе первого рода

  2. фазовом переходе второго рода

Переходы, при которых нет скачкообразного изменения внутренней энергии, называются

  1. фазовым переходом первого рода

  2. фазовым переходом второго рода

Твердое вещество, в которой либо не все квантовые состояния валентной зоны заняты электронами, либо последняя перекрывается с зоной проводимости, называется:

  1. металлом

  2. полупроводником

  3. диэлектриком

Фаза, в которой все квантовые состояния валентной зоны заняты и ширина запрещенной зоны ΔЕ>3,2 эВ

  1. металлом

  2. полупроводником

  3. диэлектриком

Фаза, в которой все квантовые состояния валентной зоны заняты и ширина запрещенной зоны при 298 ºС 0,08<ΔЕ<3,2эВ

  1. металлом

  2. полупроводником

  3. диэлектриком

Энергетические уровни, образованные примесью As в Si, располагаются

  1. у дна зоны проводимости

  2. в середине запрещенной зоны

  3. у потолка валентной зоны

Энергетические уровни, образованные примесью Ga в Si, располагаются

  1. у дна зоны проводимости

  2. в середине запрещенной зоны

  3. у потолка валентной зоны

1   2   3

Похожие:

Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая учебная программа дисциплины пс рупд рабочая Учебная программа дисциплины
Список дисциплин, знание которых необходимо для изучения курса данной дисциплины
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая учебная программа дисциплины пс рупд рабочая Учебная программа дисциплины
Целью дисциплины является изучение современных методов программирования приложений, использующих в своей работе среду Internet. А...
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая учебная программа дисциплины пс рупд рабочая Учебная программа дисциплины
Формирование умений и навыков в области метрологии и сертификации программных средств (ПС)
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая учебная программа дисциплины пс рупд рабочая Учебная программа дисциплины
Комплексное обеспечение информационной безопасности автоматизированных систем. 10
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая учебная программа дисциплины пс рупд рабочая Учебная программа дисциплины
Целью дисциплины является приобретение базовых знаний и навыков программирования, проектирования и разработки приложений с применением...
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая учебная программа дисциплины «Энергоменеджмент»
Рабочая учебная программа дисциплины «Энергоменеджмент» составлена на основании требований Государственного образовательного стандарта...
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая учебная программа дисциплины пс рупд рабочая Учебная программа дисциплины
Целью изучения дисциплины «Основы информационной безопасности» является освоение основ информационной безопасности, необходимых специалисту...
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая учебная программа дисциплины опд. Ф. 01. 1 «Введение в языкознание»
Рабочая учебная программа составлена к ф н., доцентом кафедры французской филологии Сотниковой Т. В
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая учебная программа дисциплины «Проектная логистика»
Рабочая учебная программа составлена в соответствии с требованиями фгос впо по направлению 080200. 62 «Менеджмент»
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая Учебная программа дисциплины «Введение в профессию»
Рабочая учебная программа составлена в соответствии с требованиями фгос впо по направлению 080110. 51 «Банковское дело»
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая Учебная программа дисциплины «Введение в профессию»
Рабочая учебная программа составлена в соответствии с требованиями фгос впо по направлению 080100. 62 «Экономика» профиль «Финансы...
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая учебная программа дисциплины пс рупд рабочая Учебная программа дисциплины
Компьютерная графика применяется как для решения математических, инженерных экономических задач, так и для игровых и развлекательных...
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая учебная программа дисциплины «Гистология, эмбриология, цитология»
Рабочая учебная программа разработана в соответствии с фгос впо специальности 060103 Педиатрия, утвержденным приказом Минобрнауки...
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая Учебная программа дисциплины Практикум Организация работы службы приема и размещения
Рабочая учебная программа составлена в соответствии с требованиями фгос впо по направлению (специальности) 071800. 62 «Социально-культурная...
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая Учебная программа дисциплины «Мировая культура и искусство»
Рабочая учебная программа составлена в соответствии с требованиями фгос впо по направлениям 071800. 62 «Социально-культурная деятельность»,...
Рабочая учебная программа дисциплины iconРабочая учебная программа дисциплины «Гистология, эмбриология, цитология»
Рабочая учебная программа разработана в соответствии с фгос впо специальности 060101. 65 Лечебное дело, утвержденным приказом Минобрнауки...


Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2013
контакты
100-bal.ru
Поиск