Отчет «Создание баз данных в области наноэлектроники как элементов информационной составляющей инфраструктуры наноиндустрии»

Скачать 1.13 Mb.

Название	Отчет «Создание баз данных в области наноэлектроники как элементов информационной составляющей инфраструктуры наноиндустрии»
страница	12/12
Дата публикации	17.01.2015
Размер	1.13 Mb.
Тип	Отчет

100-bal.ru > Информатика > Отчет

1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12

188, 249 (1995).

47. H.H. Леденцов, B.M. Устинов, C.B. Иванов, Б.Я. Meльцер, M.B. Maкcимов, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Aлферов. УФН, 166, 423 (1996).

48. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства. Обзор. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11. С.1281 – 1299.

49. Y. Chen, J. Washburn. Phys. Rev. Lett., 77, 4046 (1996).

50. D.E. Jesson, G. Chen, K.M. Chen, S.J. Pennycook. Phys. Rev. Lett., 80, 5156 (1998).

51. M. Kastner, B. Voigtl¨ander. Phys. Rev. Lett.,¨ 82, 2745 (1999).

52. X.L Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R. Stanley Williams. J. Appl. Phys., 85, 1159 (1999).

53. X.L Kamins, E.C. Carr, R.S. Williams, S.J. Rosner. J. Appl. Phys., 81, 211 (1997).

54. G. Medeiros-Ribeiro, A.M. Bratkovski, T.I. Kamins, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. Science, 279, 353 (1998).

55. G. Medeiros-Ribeiro, T.I. Kamins, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. Phys. Rev. B, 58, 3533 (1998).

56. T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. Appl. Phys. A, 67, 727 (1998).

57. R.S. Williams, G. Medeiros-Ribeiro, T.I. Kamins, D.A.A. Ohlberg. J. Phys. Chem. B, 102, 9605 (1998).

58. T.I. Kamins, G.A.D. Briggs, R. Stanley Williams. Appl. Phys. Lett., 73, 1862 (1998).

59. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995).

60. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Abstracts Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 26-30, 1995; p. 392.

61. V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Low-Dim. Structur., 12, 43 (1995).

62. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp., December 1995, Charlottesville, Virginia, USA; v. 2. p. 581.

63. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, P.S. Kop'ev, D Bimberg. Surf Sci., 352-354, 117 (1996).

64. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, V.G. Malyshkin, I.P. Ipa-tova, P.S. Kop'ev, D Bimberg. Abstracts Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 24-28, 1996; p. 439.

65. J.D. Eshelby. Proc. R. Soc. London, Ser. A, 241, 376 (1957).

66. V.A. Markov, O.P. Pchelyakov, L.V. Sokolov et al. Surf Sci., 250, 229 (1991).

67. I. Goldfarb, P.T Hayden, J.H.G. Owen, G.A.D. Briggs. Phys. Rev. Lett., 78, 3959 (1997); Phys. Rev. B, 56, 10459 (1997).

68. Y Kim, B.D. Min, E.K. Kim. J. Appl. Phys., 85, 2140 (1999).

69. J. Zhu, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 73, 620 (1998).

70. J. Johansson, W Seifert Appl. Surf Sci., 148, 86 (1999).

71. O.P. Pchelyakov, I.G. Neisvestnyi, Z.Sh. Yanovitskaya Phys. Low-Dim. Structur., 10/11, 389 (1995).

72. J.A. Floro, E. Chason, M.B. Sinclair, L.B. Freund, G.A. Lucadamo. Appl. Phys. Lett., 73, 951 (1998).

73. H. Omi, T. Ogino. Appl. Surf Sci., 130-132, 781 (1998).

74. G. Springholz, V Holy, M. Pinczolits, G. Bauer. Science, 282, 734 (1998).

75. Y.W. Zhang. S.J. Xu, C.-H. Chiu. Appl. Phys. Lett., 74, 1809 (1999).

76. J.A. Floro, V.B. Sinclair, E. Chason et al. Phys. Rev. Lett., 84, 701 (2000).

77. F. Liu, M.G. Lagally. Surf Sci., 386, 169 (1997).

78. G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, E. Silveira, A. Zrenner, D. Meertens, W Jager. Semicond. Sci. Technol., ¨11, 1521 (1996).

79. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Yu.Yu. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. Appl. Phys. Lett., 75, 1413 (1999).

80. C.S. Peng, Q. Huang, W.Q. Cheng et al. Appl. Phys. Lett., 72, 2541 (1998).

81. M. Abdallah, I. Berbezier, P. Dawson, M. Serpentini, G. Bremond, B. Joyce. Thin Sol. Films, 336, 256 (1998).

82. J. Zhu, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 72, 424 (1998).

83. K. Sakamoto, H. Matsuhata, M.O. Tanner, D. Wang, K.L. Wang. Thin Sol. Films, 321, 55 (1998).

84. H. Omi, T. Ogino. Appl. Surf. Sci., 130-132, 781 (1998).

85. H. Omi, T. Ogino. Phys. Rev. B, 59, 7521 (1999).

86. D. Martou, P. Gentile, N. Magnea J. Cryst Growth. 201/202, 101 (1999).

87. Y. Homma, P. Finnie, T. Ogino, H. Noda, T. Urisu. J. Appl. Phys., 86, 3083 (1999).

88. C.W Oh, E. Kim, Y.H. Lee. Phys. Rev. Lett., 76, 776 (1996).

89. A. Nagashima, T. Kimura, J. Yoshino. Appl. Surf. Sci., 130-132, 248 (1998).

90. T. Tezuka, N. Sugiyama J. Appl. Phys., 83, 5239 (1998).

91. V. Le Thanh. Thin Sol. Films, 321, 98 (1998).

92. X. Deng, M. Krishnamurthy. Phys. Rev. Lett., 81, 1473 (1998).

93. O.G. Schmidt, С Lange, K. Eberl, О Kienzle, F. Ernst Thin Sol. Films, 321 70 (1998).

94. О. Leifeld, R. Hartmann, E. Muller, E. Kaxiras, K. Kern, D. Grutzmacher. Nanotechnol., 10, 122 (1999).

95. E.S. Kim, N. Usami, Y Shiraki. Appl. Phys. Lett., 72, 1617 (1998).

96. A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa Appl. Phys. Lett., 72, 320 (1998).

97. T.I. Kamins, R.S. Williams. Appl. Phys. Lett., 71, 1201 (1997).

98. T.I. Kamins, R.S. Williams, D.P. Basile. Nanotechnol., 10, 117 (1999).

99. B.Г. Maлышкин, B.A. Щукин. ФTП, 27, 1932 (1993).

100. V.A. Shchukin. Abstracts Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 24-28, 1996; p. 175.

101. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich. ¨Proc. 7th Int Conf. Modulated Semicond. Struct., Madrid, July, 10-14, 1995 [Sol. St Electron., 40, 785 (1996)].

102. Ж.И. Алферов, H.A. Беpт, A.IO. Eropов, A.E. Жуков, П.С. Копьев, И.JI. Kpecтников, H.H. Jleденцов, A.B. Лунев, M.B. Maксимов, A.B. Caxapов, B.M. Устинов, A. Ф. Цапульников, IO.M. Шерняков, Д. Бимбepr. ФТT, 30, 351 (1996).

103. N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.V. Zaitsev, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, O.A. Kosogov, U. Gosele, S.S. Ruvimov. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 421, 133 (1996).

104. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, S.V Zaitsev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, O.A. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996).

105. N.N. Ledentsov. Proc. 23rd Int. Conf on the Physics of Semiconductors, Berlin, Germany, July 21-26, 1996, ed.by M. Scheffler, R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, 1996), v. 1. p. 19.

106. N.N. Ledentsov, D. Bimberg, I.V. Kochnev, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, O.A. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele. Appl. Phys. Lett.,¨ 69, 1095 (1996).

Cho А. К, Arthur J. R. — Progr. Solid State Chem., 1975, v. 10, p. 157.
Chang L. L., Esaki L., Howard W. E, Ludeke R. — J. Vacuum Sci. Technol.1973, v. 10, p. 11.
Esaki L., Chang L.L. — Thin Solid Films, 1976, v. 36, p. 285.
Dingle R. — In: Advances in Solid State Physics, v. 15./Ed. H. J. Queisser. —Braunschweig: Pergamon-Vieweg, 1975, p. 21.
Manuel P., Sai-Halasz G. A., Chang L. L., Chang С A., Esaki L. — Phys.Rev. Lett., 1976, v. 37, p. 1701.
Chang L. L., Sakaki H., Chang С A., Esaki L. — Phys. Rev. Lett., 1977,v. 38, p. 1489.
Gossard A. C,- Petroff P. M., Wiegmann W., Dingle R., Savage A. — Appl.Phys. Lett., 1976, v. 29, p. 323.
Holonyak N, Kolbas R. M., Laidig W. D., Vojak B. A. — Appl. Phys. Lett.,1978, v. 33, p. 737.
Dingle R., Stormer H. L., Gossard A. C, Wiegmann W. — Appl. Phys. Lett.,1978, v. 33, p. 665.
von Klitzing K., Obloh H., Ebert G., Knecht J., Ploog K. — In: Precision Measurement and Fundamental Constants. II./Eds. B. N. Taylor,W. D. Phillips. — Nat. Bur. Stand. (USA) Spec Publ. No. 617, 1984, p. 519.
Tsui D. C, Stormer H. L., Gossard А. С — Phys. Rev. B, 1982, v. 25, p. 1405. [Имеется пер. в сб.: Квантовый эффект Холла. М.: Мир,1986, с. 69.]
Tsui D. С, Stormer Н. L., Gossard А. С. - Phys. Rev. Lett., 1982, v. 48, p. 1559. [Имеется пер. в сб.: Квантовый эффект Холла. М.: Мир, 1986, с. 83]
Chang L. L., Esaki L. — Surf. Sci., 1980, v. 98, p. 70
Sai-Halasz G. A., Tsu R., Esaki L. — Appl. Phys. Lett., 1977, v. 30, p. 651.
Sakaki H., Chang L. L., Ludeke R., Chang С A., Sai-Halasz G. A., Esaki L. — Appl. Phys. Lett., 1977, v. 31, p. 211.
Sai-Halasz G. A., Esaki L., Harrison W. A. — Phys. Rev. B, 1978, v. 18,p. 2812.
Chang L. L., Kawai N., Sai-Halasz G. A., Ludeke R., Esaki L. — Appl. Phys.Lett., 1979, v. 35, p. 939.
Kawai N., Chang L. L., Sai-Halasz G. A^ Chang С A., Esaki L. — Appl.Phys. Lett., 1980, v. 36, p. 369.
Ploog K., Fischer A., Kunzel H.- J. Electrochem. Soc, 1981, v. 128, p. 400.
Dohler G. H. — Phys. Stat. Sol. (b), 1972, v. 52, p. 79, 533.
Dohler G. H. — In: Advances in Solid State Physics, /Ed. P. Grosse. — Braunschweig: Vieweg, 1983, v. 23, p. 207.
Galazka R. R. — In: Physics of Semiconductors 1978. Inst. Phys. Conf. Ser.43./Ed. R L. H. Wilson. — London: Inst. of Physics, 1979, p. 133.
von Ortenberg M. — Phys. Rev. Lett., 1982, v. 49, p. 1041.
Datta S., Furdyna J. K., Gunshar R. L. — Superlattices and Microstructures,1985, v. 1, p. 327.
Kolodziejski L. A., Bonsett T. C, Gunshor R. L., Datta S., 'Bylsma R. R, Becker W. M, Otsuka N. —Appl. Phys. Lett., 1984, v. 45, p. 440.
Bicknell R. N, Yanka R. W., Giles-Tbylor N. С Blanks D. K., Buckland E L.Schetzina J. F. — Appl. Phys. Lett., 1984, v. 45, p. 92.
Esaki L., Chang L. L., Mendez E. E. — Japan J. Appl. Phys., 1981, v. 20, p. L529.
Gobelli G. W., Allen EG— Phys. Rev., 1965, v. 137A, p. 245.
Шик А. Я. — ФТП, 1974, т. 8, с. 1841.
Miller R. С, Gossard А. С, Kleinman D. A., Munteanu О. — Phys. Rev. В,1984, v. 29, р. 3740.
Miller R. С, Kleinman D. A., Gossard А. С. — Phys. Rev. В, 1984, v. 29, p. 7085.
Batey 1, Wright S. L., DiMaria D. J. — J. Appl. Phys., 1985, v. 57, p.484.
Okumura H, Misawa S., Yoshida S., Gonda S. — Appl. Phys. Lett., 1985,v. 46, p. 377.
Kroemer H. — Appl. Phys. Lett., 1985, v. 46, p. 504.
Arnold D., Ketterson A Henderson T.Klem J., Morkoc H. — J. Appl. Phys., 1985, v. 57, p. 2880.
Kelly M. K, Niles D. W., Colavita E., Margaritondo G, Henzler M. — Appl.Phys. Lett., 1985, v. 46, p. 768.
Hickmott T. W., Solomon P. M., Fischer R., Morkoc H. — J. Appl. Phys., 1985, v. 57, p. 2844.
Meynadie'r M. H., Delalande C, Bastard G., Vos M., Alexandre E, Lievin J. L. — Phys. Rev. B, 1985, v. 31, p. 5539.
Matthews J. W., Blakeslee A. E. - J. Vacuum Sci. Tfechnol., 1977, v. 14, p. 989.
Osbourn G. С — J. Appl. Phys., 1982, v. S3, p. 1586.
Osbourn G. С — Phys. Rev. B, 1983, v. 27, p. 5126.
Dodson B. W. — Phys. Rev. B, 1984, v. 30, p. 3545.
Quillec M., Goldstein L., LeRoux G., Burgeat J., Primot J. — J. Appl. Phys.,1984, v. 55, p. 2904.
Tamargo M. C, Hull R., Greene L: H, Hayes J. R., Cho A. Y. — Appl.Phys. Lett., 1985, v. 46, p. 569.
Brown J. M., Holonyak N.. Kaliski R. W., Ludowise M. J., Dietze W. Т., Lewis C.R.— Appl. Phys. Lett., 1984, v. 44, p. 1158.
Guorley P. L., Biefeld R. M. — Appl. Phys. Lett., 1984, v. 45, p. 749.
Speriosu V. S., Nicolet M. A., Picraux S. Т., Biefeld R. M. — Appl. Phys.Lett, 1984, v. 45, p. 223.
Fujiyasu H, Takahashi H., Sasaki A., Kuwabara H. — Proc. 17th Intern. Conf.on Physics of Semiconductors. — San Francisco, 1984, p. 539.
Voisin P., Delalande C, Bastard G., Voos Af, Chang L. £., Segmuller A.,Chang С A., Esaki L. Superlattices and Microstructures, 1985, v. 1, p. 155.
Herman M. A, Pessa M. — J. Appl. Phys., 1985, v. 57, p. 2671.
McCaldin J. O., McGill T. C, Mead G. A. — Phys. Rev. Lett., 1976, v. 36, p. 56.
Krishnamurthy S., Moriarty J. A. — Superlattices and Microstructures, 1985, v. 1, p. 209.
Abeles В., Tiedje T, — Phys. Rev. Lett., 1983, v. 51, p. 2003.
Abeles R, Tiedje Т., Stasiewski H. C, Deckman H. W., Persons P. D., Liang K. S., Roxlo С В. — Superlattices and Microstructures, 1985, v. 1, p. 115.
Stiles P. J. — Surf. Sci., 1978, v. 73, p. 252.
Murase K, Shimomura S., Takaoka S., Ishida A., Fujiyasu H. — Superlatticesand Microstructures, 1985, v. 1, p. 177.
Ambrosch K. E, Clemens H., Fantner E. J., Bauer G., Kriechbaum M.,Kocevar P., Nicholas R. J. — Surf. Sci., 1984, v. 142, p. 571.
Fujiyasu H., Ishida A., Kuwabara H, Shimomura S., Takaoka S., Kurase K. —Surf. Sci., 1984, v. 142, p. 579.
Pichler P., Fantner E. J., Bauer G., Clemens H., Pascher H, von Ortenberg А.Л, Kriechbaum M. — Superlattices and Microstructures, 1985, v. 1, p. 1.
Harrison W. A. — J. Vacuum Sci. Technol., 1977, v. 14, p. 1016.
Ploog K., Dohler G. H. — Advances in Phys., 1983, v. 32, p. 285.
Ruden P. P., Reinecke T. L., Crowne F. — Superlattices and Microstructures, 1985, v. 1, p. 197.
Stormer H. L., Pinczuk A., Gossard A. C, Wiegmann W. — Appl. Phys. Lett.,1981, v. 38, p. 691.
Hiyamizu S., Mimura T. — J. Cryst. Growth, 1982, v. 56, p. 455.
Dohler G. H. — Physica Scripta, 1981, v. 24, p. 430.
Kunzel H, Fischer A., Knecht J., Ploog K. — Appl. Phys., 1983, v. A30, p. 73.7Г. Келдыш Л. В. — ФТТ, 1962, т. 4, с. 2265.
Маслюк В. Т., Феннич П. А. — Зарубежная электронная техника, 1981, 8 (241), с. 3.
Силин А. П. — УФН, 1985, т. 147, вып. 3, с. 485
Bass К G., Tetervov А. Р. Physics Reports, 1986, v. 140, No 5, p. 237.
Katayama S., Ando T. J. Phys. Soc Japan, 1985, v. 54, No 4, p. 1615.
Levine B. E, Bethea С G., Choi K. K., Walker J, Malik R. J. — J. Appl. Phys., 1988, v. 64, No 3, p. 1591.
Stormer H. L., Eisenstein J. P., Gossard A. C, Wiegmann W., Baldwin K. — Phys.Rev. Lett., 1986, v. 56, No 1, p. 85.
Movaghar & — Semicond. Sci. Technol., J987, v. 2, No 4, p. 185.

180. Эверитт Х. квантовые вычислительные устройства. Нанотехнология в ближайшем десятилетии / Ред. М.К. Роко, Р.С. Уильямс и П. Аливисатос. М.: Мир, 2002. С.45.

181. Alivisatos A.P.//Science. 1996. Vol. 271. P. 933.

182. Busch K., John S.// Phys. Rev. 1998. Vol. 58. P.3896.

183. Vlasov Yu.A., Bo X. Zh., Sturm J.C., Norris D.J. // Nature. 2001. Vol. 415. P.289.

184. Iijima S., Ichihashi T. // Nature. 1993. Vol. 363. P. 603.

185. Елецкий А.В. // УФН. 2002. Т. 172. С. 401.

186. Пул Ч., Оуэнс Ф. // Нанотехнологии. Москва: Техносфера, 2006. 336 с.

1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Похожие:

	Урок 4 Класс: 11. Тема урока: «Способы организации баз данных: иерархический,... ...		2. Поля Цель курса получение студентами знаний об этапах разработки баз данных; о перспективных направлений развития баз данных
	А. Л. Исаев, А. М. Чеповский введение в теорию баз данных Введение в теорию баз данных: Учебно-методическое пособие по курсам «Вычислительная техника и информационная технология» и «Базы...		Программа по формированию навыков безопасного поведения на дорогах... «Создание информационной инфраструктуры школы, как основы формирования икт-компетентности педагога в образовательном процессе»
	Тема: "Концептуальное и логическое проектирования баз данных" Курсовой проект предназначен для практического освоения проектирования реляционных баз данных (БД). В работе используется трехуровневый...		Методические рекомендации по курсу базы данных подготовки бакалавриата... Цель данного курса дать основные понятия теории баз данных и подходы к проектированию реляционных баз данных. Представить современные...
	Конкурсная документация открытого конкурса «Создание научно-технической... Якутского государственного университета, основанная на портальных технологиях (2 этап), включая создание баз данных для поддержки...		Программа по формированию навыков безопасного поведения на дорогах... Место урока в теме – урок проводится в ходе изучения темы “Информационные системы”, после изучения понятий базы данных, видов баз...
	Программа по формированию навыков безопасного поведения на дорогах... Место урока в теме – урок проводится в ходе изучения темы “Информационные системы”, после изучения понятий базы данных, видов баз...		Исследование методов информационной защиты баз данных в социально-экономической сфере Казанский национальный исследовательский технический университет им. А. Н. Туполева
	Конспект урока по информатике Тема: «Связывание таблиц базы данных»... Воспитательная: воспитание аккуратности, наблюдательности и упорства в достижении цели		Программа дисциплины опд. Ф. 10 «базы данных» Курс относится к общепрофессиональному циклу дисциплин и имеет целью овладение знаниями в области применения баз данных в автоматизированных...
	Т. К. Гоманова к э. н., доцент кафедры «Банковское дело» В статье рассмотрены теоретические и практические аспекты развития банковской инфраструктуры России в современных условиях. Проанализированы...		Урока. Тема урока «Отмена крепостного права» План урока Актулизация... Работа с информационными средами на основе баз данных и баз знаний, позволяющие осуществить как прямой, так и удаленный доступ к...
	Инновационная экономика. Агарунов Даниил Семенович, Бурнашев Константин... Венчурные компании являются основной составляющей инновационной инфраструктуры, ведь они объединяют инновации с капиталом. Россия...		Создание и использование комплексных баз и банков данных Информатика – комплексная научно-техническая дисциплина, изучающая вопросы хранения, передачи обработки и анализа информации с помощью...

Школьные материалы