Министерство образования
Российской Федерации
Саратовский ордена Трудового красного знамени
государственный университет имени Н. Г. Чернышевского.
кафедра прикладной физики
Реферат
на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах.
Выполнил:
Проверил:
Саратов 2005
Содержание
Введение.
Устройство полевых транзисторов.
Эквивалентная шумовая схема ПТПЗ.
Шумовые параметры МОП-транзисторов.
Проектирование малошумящих видеоусилителей на полевых транзисторах.
Заключение.
Использованная литература.
Введение.
Шумовые свойства полевых транзисторов значительно лучше биполярных. Объясняется это тем, что основной источник шума полевых транзисторов – тепловое движение носителей в канале, тогда как у биполярных – процесс рекомбинации основных и неосновных носителей, шумы которого больше теплового шума. Вследствие этого коэффициент шума полевых транзисторов может иметь очень малую величину, менее
0,5 дБ. К этому следует добавить, что полевые транзисторы шумят меньше биполярных как на самых низких, так и на самых высоких частотах. У них, например, нижняя граничная частота шума f = 100 – 200 Гц, а верхняя граничная частота приближается к граничной частоте усиления. Кроме того, полевые транзисторы обладаю высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в отсутствии усиливаемого сигнала, по сравнению с биполярными. Все это делает целесообразным использование полевых транзисторов во входных каскадах различных усилительных устройств, а также в качестве элементов интегральных микросхем.
Устройство полевых транзисторов.
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем. В отличие от биполярных работа полевых транзисторов основана на использовании основных носителей заряда в полупроводнике. По конструктивному исполнению и технологии изготовления полевые транзисторы можно разделить на две группы: полевые транзисторы с управляющим р-n переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором.
 
Рис.1. Структура полевого транзистора
Полевой транзистор с управляющим р-n переходом – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-n переходом, смещенным в обратном направлении. Электрод, из которого в канал входят носители заряда, называют истоком; электрод, через который из канала уходят носители заряда, - стоком; электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, - затвором. При подключении к истоку отрицательного (для n-канала), а к стоку положительного напряжения (рис. 1) в канале возникает электрический ток, создаваемый движением электронов от истока к стоку, т.е. основными носителями заряда. В этом заключается существенное отличие полевого транзистора от биполярного. Движение носителей заряда вдоль электронно-дырочного перехода (а не через переходы, как в биполярном транзисторе) является второй характерной особенностью полевого транзистора.
Электрическое поле, создаваемое между затвором и каналом, изменяет плотность носителей заряда в канале, т.е. величину протекающего тока. Так как управление происходит через обратно смещенный р-n -переход, сопротивление между управляющим электродом и каналом велико, а потребляемая мощность от источника сигнала в цепи затвора ничтожно мала. Поэтому полевой транзистор может обеспечить усиление электромагнитных колебаний как по мощности, так и по току и напряжению.
 
Рис. 2. Структура полевого транзистора с изолированным затвором: а - с индуцированным каналом ; б - со встроенным каналом.
Полевой транзистор с изолированным затвором (ПТПЗ) - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Полевой транзистор с изолированным затвором состоит из пластины полупроводника (подложки) с относительно высоким удельным сопротивлением, в которой созданы две области с противоположным типом электропроводности (рис. 2). На эти области нанесены металлические электроды - исток и сток. Поверхность полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем диэлектрика (обычно слоем оксида кремния). На слой диэлектрика нанесен металлический электрод - затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП транзисторами или МОП транзисторами (металл - оксид- полупроводник).
Существуют две разновидности МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами. В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока и, следовательно, заметный ток стока появляются только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока (отрицательного при р -канале и положительного при п -канале). Это напряжение называют пороговым (Ugs.пор). Так как появление и рост проводимости индуцированного канала связаны с обогащением его основными носителями заряда, то считают, что канал работает в режиме обогащения.
В МДП транзисторах со встроенным каналом проводящий канал, изготавливается технологическим путем, образуется при напряжении на затворе равном нулю. Током стока можно управлять, изменяя значение и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор - исток транзистора с р - каналом или отрицательном напряжении транзистора с n - каналом ток в цепи стока прекращается. Это напряжение называют напряжением отсечки (Ugs.отс). МДП транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения канала основными носителями заряда.
Как и для биполярных транзисторов для полевых также используются различные схемы включения.
Рис. 3. Схемы включения полевого транзистора.
Полевой транзистор в качестве элемента схемы представляет собой активный несимметричный четырехполюсник, у которого один из зажимов является общим для цепей входа и выхода. В зависимости от того, какой из электродов полевого транзистора подключен к общему выводу, различают схемы: с общим истоком и входом затвор; с общим стоком и входом на затвор; с общим затвором и входом на исток. Схемы включения полевого транзистора показаны на рис. 3.
По аналогии с ламповой электроникой, где за типовую принята схема с общим катодом, для полевых транзисторов типовой является схема с общим истоком.
Вольт - амперные характеристики полевых транзисторов устанавливают зависимость тока стока Id от одного из напряжений Uds или Ugs при фиксированной величине второго.
Рис. 4. Вольт – амперные характеристики полевого транзистора со встроенным каналом n- типа: а – стоковые; б – стоко-затворные.
В МДП транзисторе с индуцированным каналом с подложкой р -типа при U ЗИ = 0 канал п -типа может находиться в проводящем состоянии. При некотором пороговом напряжении Ugs.пор < 0 за счет обеднения канала основными носителями проводимость его значительно уменьшается. Статические стоковые характеристики в этом случае будут иметь вид, изображенный на рис. 4, а стоко-затворная характеристика пересекает ось ординат в точке со значением тока Id нач.
Особенностью МДП транзистора с индуцированным каналом n - типа является возможность работы без постоянного напряжения смещения (Ugs = 0) в режиме как обеднения, так и обогащения канала основными носителями заряда. МДП транзистор с встроенным каналом имеет вольтамперные характеристики, аналогичные изображенным на рис. 4.
У МДП транзисторов всех типов потенциал подложки относительно истока оказывает заметное влияние на вольтамперные характеристики и соответственно параметры транзистора. Благодаря воздействию на проводимость канала подложка может выполнять функцию затвора. Напряжение на подложке относительно истока должно иметь такую полярность, чтобы р-n переход исток - подложка включался в обратном направлении. При этом р-n переход канал - подложка действует как затвор полевого транзистора с управляющим р-n переходом.
Эквивалентная шумовая схема ПТПЗ.
При расчете различных малошумящих устройств на полевых транзисторах обычно используют их эквивалентные шумовые схемы. Основу схемы полевого транзистора с плоскостным затвором (ПТПЗ) для малого сигнала (рис. 5) составляет идеализированная схема, включающая в себя входную комплексную проводимость ygs, выходную комплексную проводимость yds, комплексную проводимость обратной связи ydg и выходной источник тока ymug, управляемый входным напряжением ug. Комплексная проводимость ydg представляет собой последовательно соединенные емкость Cdg и сопротивление rdg. Предельная частота, на которой коэффициент усиления падает до единицы, определяется соотношением:
 (1)
Комплексную проводимость ygs = ggs + jbgs можно отобразить последовательно соединенными емкостью Сgs и сопротивлением rgs. Тогда ее составляющие определяются формулами:
 , 
которые справедливы при практически всегда выполняемом условии  К выводам истока и стока реального транзистора необходимо еще последовательно подключить сопротивления rs и rg, которые, несмотря на их относительно малые значения (не более нескольких десятков ом), могут заметно влиять на результирующие передаточные и шумовые свойства.
Рис. 5. Эквивалентная шумовая схема ПТПЗ.
Основной составляющей шума ПТПЗ является тепловой шум, возникающий за счет вещественной составляющей комплексной проводимости канала. Этот шум имеет белый спектр, что сказывается во всем используемом частотном диапазоне данного транзистора; однако он преобладает только на средних частотах, поскольку на нижней и верхней границах диапазона доминируют другие, более интенсивные шумовые источники. На эквивалентной схеме источник теплового шума включен между внутренними стоком и истоком. В узкой полосе частот Δf его средний квадрат определяется выражением:
 (2)
где kT – произведение постоянной Больцмана на абсолютную температуру, gm – крутизна транзистора на низких частотах, P – коэффициент, зависящий от постоянных напряжения на транзисторе. В области насыщения, где обычно используется ПТПЗ, этот коэффициент целесообразно выразить как функцию одного безразмерного параметра, называемого нормированным напряжением затвора:
где Vdif – диффузионное напряжение p–n-перехода между каналом и затвором, а Vp – напряжение отсечки затвора, т.е. напряжение, при котором исчезает ток стока. Поскольку напряжение Vdif составляет несколько десятых долей вольта, а напряжение Vp и VGS обычно единицы вольт, то z ~ VGS/VP. Зависимость коэффициента P от смещения z приведена на рисунке 6а. Если взять из этого графика как типичное значение P = 0,66, то в режиме насыщения тепловой шумовой ток ПТПЗ:
где gmax – крутизна транзистора при насыщении.
Рис. 6. К расчету теплового и индуцированного шума, в зависимости от нормированного смещения затвора z.
Выражение (2) в сущности представляет известную формулу Найквиста для теплового шума сопротивлений. Однако канал ПТПЗ ведет себя не как пассивное сопротивление, и поэтому здесь выступает более сложный член gmP, зависящий от усилительных свойств и режима транзистора по постоянному току.
Тепловой шум можно отобразить не только эквивалентным источником тока id, включенным параллельно каналу, но и так называемым эквивалентным шумовым сопротивлением Rn, включенным последовательно с затвором и определяемым в режиме насыщения соотношением Rn ~ 0,66/gmax, так что 
Другой частотно независимой составляющей шума полевого транзистора с плоскостным затвором является дробовой шум затвора, зависящий от постоянного обратного тока IG. Этот шум на рис. 5 учтен источником тока igv, подсоединенным между затвором и внутренним истоком, причем средний квадрат этого шума в частотном диапазоне Δf определяется формулой:
 (3)
В области низких частот наряду с упомянутым тепловым шумом канала и дробовым шумом затвора заметно сказывается также шум, который увеличивается с уменьшением частоты. Главной причиной его возникновения является флуктуация плотности носителей зарядов, протекающих через канал, которая обусловлена процессами генерации-рекомбинации на дефектных центрах канала и в обедненной области p–n-перехода затвора. На эквивалентной схеме этот шум можно отобразить источником тока ij, подключенным параллельно к источнику id теплового шума. Средний квадрат этого шума в полосе частот Δf около частоты f определяется выражением:
 (4)
где ρ0; ρ’0 и f0 – постоянные, определяемые материалом и внутренней геометрией транзистора, а также зависящие от температуры.
В верхней области частотного диапазона ПТПЗ наблюдается увеличение шума в результате влияния наведенного (индуцированного) шума затвора. Основной причиной его появления является тепловой шум канала, который на высоких частотах через емкость канал-затвор переносится на затвор. Шум этого типа растет с частотой. На эквивалентной схеме он отображен источником шумового тока ig, включенным между затвором и истоком. Средний квадрат этого тока:
где R’ – коэффициент, отражающий зависимость наведенного шума от режима по постоянному току, а Rn = P/gm – эквивалентное шумовое сопротивление. Шумовой ток ig можно записать также в виде:
 (5)
В обычно используемой области насыщения крутизна gm = gmax, а коэффициент
R = PR’ определен графиком на рис. 6,б. Поскольку частотная зависимость наведенного шума обусловлена членом ω2С2gs, который также определяет частотную зависимость входной активной проводимости ggs, транзистора, то величина ig тоже выражается как тепловой шум входной активной проводимости ggs. Однако этой шумовой проводимости надо «приписать» шумовую температуру T0, так что
 (5б)
причем для z = 0 Tng = T0, а для z = 1 Tng = 4T0/3. Так как наведенный шум затвора обусловлен тепловым шумом канала, токи ig и id взаимно коррелированны. Мерой их корреляции является комплексный коэффициент корреляции:
 . (6а)
Для полевых транзисторов
 (6б)
Коэффициенты α’ и β зависят от режима транзистора по постоянному току. На достаточно низких частотах, очевидно, γ ~ jβ, причем |γ| коэффициента корреляции зависит от параметра z (рис. 5в). При некоторых расчетах необходимо знать произведение:
 (7)
где Q – коэффициент, зависящий от постоянных напряжений, причем Q = K1 (рис. 3.3, г.).
На высоких частотах на шум ПТПЗ существенно влияет также его комплексная проводимость обратной связи ydg = (rdg + 1/jωCdg)-1. Она взаимодействует прежде всего на передаточные свойства транзистора. Ее активная составляющая является одновременно источником теплового шумового напряжения udg, которое однако, в большинстве случае пренебрежимо мало по сравнению с другими шумовыми источниками. Тепловые шумовые напряжения us и ud возникают и на последовательных паразитных сопротивлениях rs истока и rd стока. Влияние этих сопротивлений на шум, как правило необходимо учитывать, особенно на средних частотах, где они уже сравнимы с тепловым шумом канала. Средние квадраты шумовых напряжений паразитных сопротивлений определяется по формуле Найквиста, т.е.
   (8)
В области очень высоких частот, превышающих сотни мегагерц, эквивалентную схему необходимо еще дополнить индуктивностями и емкостями выводов электродов, которые зависят прежде всего от способа размещения транзисторной системы в корпусе. Эти паразитные реактивности почти не ухудшают минимальный коэффициент шума, однако существенно влияют на оптимальную проводимость генератора, необходимую для согласования по шумам.
Шумовые параметры МОП-транзисторов.
Ранее были описаны шумовые параметры полевых транзисторов с плоскостным затвором (ПТПЗ), у которых затвор отделен от канала обратно смещенным р–n-переходом. Следующую большую и важную группу полевых транзисторов образуют МОП-транзисторы, у которых затвор отделен от канала слоем изолятора, чаще всего из SiO2.
Основные свойства МОП-транзисторов по постоянному току наглядно вытекают из выходных характеристик, изображенных на рис. 7, 8. Линейная эквивалентная схема МОП-транзистора (рис. 9) почти совпадает с эквивалентной схемой ПТПЗ, но физическая сущность ее отдельных элементов и шумовых источников несколько иная.
|
|
Рис. 7. Выходные статические характеристики МОП-транзистора с обогащенным (насыщенным) каналом.
|
Рис. 8. Выходные статические характеристики МОП-транзистора с обедненным каналом.
|
В области средних частот самой важной составляющей является тепловой шум канала, изображенный на эквивалентной схеме выходным источником шумового тока id. Его среднеквадратичное значение дано выражением (2), где Р — коэффициент, имеющий в обычном режиме насыщения почти постоянное значение P = 0,66. Однако на практике эта величина достигается только у МОП-транзисторов с так называемой высокоомной подложкой, в то время как у приборов с низкоомной подложкой коэффициент P может быть в несколько раз больше.
Рис. 9. Эквивалентная шумовая схема ПТПЗ, включенного по схеме с общим затвором для области средних частот.
Другой шумовой составляющей МОП-транзистора, сказывающейся прежде всего на более высоких частотах, является наведенный шум затвора, который можно отобразить источником входного шумового тока ig. Средний квадрат этого шума:
 (9)
где R’ – коэффициент, отражающий зависимость наведенного шума от режима по постоянному току и имеющий при насыщении значение R’ = 0,12; Ci – емкость затвора относительно канала; это собственно полная входная емкость «внутреннего» транзистора.
В первом приближении (особенно на низких частотах) можно считать, что коэффициент корреляции чисто мнимый. Произведение сопряженных величин, которое его определяет, в этом случае равно:
 (10)
причем при насыщении Q’ ≈ 0,11.
Как видно, пренебрегая тепловым шумом входной активной проводимости ggs и несущественным дробовым шумом тока утечки Ig затвора, шумовые источники МОП-транзистора в области средних и высоких частот можно описать почти так же, как и для ПТПЗ. Поэтому и основные шумовые параметры МОП-транзистора, т.е. минимальный коэффициент шума Fmin и соответствующая оптимальная проводимость Y источника, для упрощенной модели выражаются теми же формулами, что и для ПТПЗ.
Однако у МОП-транзисторов особого внимания требуют источники шума, проявляющиеся на самых низких частотах, т.е. источники шума типа 1/f. Полное физическое объяснение этих источников пока еще не дано, хотя эта проблема решалась в ряде работ.
Дробовой шум тока IG затвора в низкочастотной области тоже пренебрежимо мал, поскольку у МОП-транзисторов ток IG на несколько порядков меньше, чем у ПТПЗ. На самых низких частотах основную шумовую составляющую образует фликкер-шум, который появляется в результате случайного захвата свободных носителей заряда поверхностными ловушками (дефектами), находящимися на границе полупроводника и изолирующего слоя канала. Средний квадрат соответствующего шумового тока if источника в узкой полосе частот ∆f около частоты f и в области насыщения характеристик равен:
 (11)
где gm – крутизна, а ρ0 – постоянная, зависящая от материала, температуры и внутренней геометрии транзистора.
Следующей шумовой составляющей, сказывающейся на самых низких частотах, является шум генерации-рекомбинации, возникающей в обедненном слое подложки. Этот шум подобен шуму генерации-рекомбинации полевого транзистора с плоскостным затвором и поэтому его численное выражение аналогично формуле (4).
Итак, средний квадрат полного шумового тока на низких частотах:
 (12)
где gms – крутизна, соответствующая управлению тока канала напряжением на подложке, a p0s, р'0, и f0s – физические постоянные, зависимые от шума генерации-рекомбинации подложки. Два последних члена выражения (12) часто бывают значительно меньше первого члена, и поэтому ими можно пренебречь; тогда шумовой ток if выражается той же формулой, что и для ПТПЗ с «идеальным» фликкерным шумом. Однако в будущем при повышении качества границы изолятор – полупроводник вес шума генерации-рекомбинации может относительно увеличиться, так что формулу (12) надо будет использовать в неупрощенном виде.
Поскольку постоянная ρ0 у МОП-транзисторов, как правило, в несколько раз больше, чем у ПТПЗ, шум типа 1/f у этих транзисторов простирается до значительно более высоких частот порядка десятков или сотен килогерц. Минимум коэффициента шума также несколько больший, так что МОП-транзисторы для низкочастотных схем с малым шумом обычно менее пригодны, чем ПТПЗ. Приведем самую основную формулу, вытекающую из приведенной эквивалентной схемы.
Коэффициент шума при общей внутренней комплексной проводимости источников сигнала:
 (12)
Минимальный коэффициент шума Fmin при общей (несогласованной) емкости Сs источника, но при согласованной по шумам активной проводимости Gs = Gs3 выражается формулой:
 .
Как видно, коэффициент шума с ростом частоты сначала падает до определенного минимума F’min и затем растет. Однако в отличии от ПТПЗ, минимальный коэффициент шума F’min не зависит от частоты.
Проектирование малошумящих видеоусилителей на полевых транзисторах.
Как следует из теоретического анализа, шумовые свойства полевых транзисторов особенно с плоскостным затвором в диапазоне видеочастот могут быть очень хорошими. Так, например, у биполярного транзистора с большим коэффициентом усилений по току
(β ~ 400) в низкочастотной области минимальный коэффициент шума Fmin ~ 1,05, т.е. 0,2 дБ. Усилитель на малошумящем ПТПЗ (gm = 5 мА/В; IG = 10 нА) позволяет достичь минимального коэффициента шума fmin = l,0013, т.е. 0,006 дБ. Специально отобранные образцы ПТПЗ по достижимой величине шумового сопротивления Rn могут даже сравняться с низкочастотными параметрическими усилителями на варакторных диодах. При этом с точки зрения простоты и производственных расходов усилитель на ПТПЗ выгоднее.
Однако для того, чтобы эти величины были достигнуты на практике, следует выполнить несколько условий. Прежде всего необходимо тщательно отобрать транзистор либо на основе технических данных, либо по результатам измерений его реальных шумовых свойств, поскольку расчет, пусть даже самый точный, не может учесть действие всех шумовых источников, которые могут появиться у реального транзистора на низких частотах (например, источников, обусловленных несовершенным исполнением проходных изоляторов либо другими технологическими дефектами).
Сравнительно трудно выполнимым требованием малошумящего режима ПТПЗ в диапазоне видеочастот является соответствие внутреннего сопротивления Rs источника сигнала оптимальному значению. На нижней границе акустического диапазона оно обычно достигает десятков мегаом. Столь большое внутреннее сопротивление имеют только некоторые источники сигналов, поэтому в большинстве случаев для обеспечения согласования по шумам между источником и транзистором следует включить трансформатор сопротивлений, но его конструкция, особенно для широкополосных цепей, сложна. В некоторых случаях можно включать параллельно несколько транзисторов, при этом хотя и не уменьшается достижимая величина минимального коэффициента шума, но зато оптимальное сопротивление источника сигнала смещается до требуемых значений. Однако для упомянутых источников с малым внутренним сопротивлением эти способы не годятся, поэтому для усиления их сигналов надо либо применить малошумящий биполярный транзистор, либо смириться с тем, что ПТПЗ будет далек от согласования по шумам. В этих случаях при выборе элементов полезен рис. 10. Как видно из рис. 10, ПТПЗ отличается тем, что у него согласование по шумам мало критично. Его минимальный коэффициент шума значительно меньше, чем у биполярного транзистора.
Следующим важным фактором, влияющим на шумовые свойства, является выбор рабочей точки. В диапазоне средних частот у ПТПЗ должен быть установлен относительно большой ток ID стока, для обычных типов лежащий в пределах 5–10 мА; однако выбор этой величины мало критичен. В низкочастотной области с шумом типа 1/f ситуация более сложная. Здесь транзистор часто работает при внутреннем сопротивлении Rs источника сигнала, существенно меньшем оптимального сопротивления Rs0, необходимого для согласования по шумам. Тогда шумовые свойства транзистора определяются в основном его эквивалентным входным источником шумового напряжения или же соответствующим шумовым сопротивлением Rn. Как видно из рис. 11, при токах ID = 1–4 мА шумовое сопротивление почти не изменяется. Однако с ростом ID оно быстро растет, причем особенно на инфразвуковых частотах. Следовательно, слишком большие токи стока ID, особенно в усилителях постоянною тока, нежелательны.
Рис. 10. Зависимости коэффициента шума F от внутреннего сопротивления Rs источника сигнала для малошумящего ПТПЗ при Ip = Ip0, Vps = 10 В (а) и для биполярного транзистора при Ic = 10 мкА, VCE = 5 В (б) .
|
|
Рис. 11. Зависимость шумового сопротивления Rn ПТПЗ 2N3819 от частоты f при различных токах Ip стока.
|
Рис. 12. Зависимость нормированного значения шумового сопротивления Rn/Rn0 ПТПЗ 2N3819 от напряжения VDS стока.
|
На шумовое сопротивление Rn влияет и постоянное напряжение стока VD. Из графика на рис. 12 следует, что для достижения минимального шумового сопротивления оно должно быть больше ограничивающего напряжения VP. Кроме того, это требование обусловливает достаточное усиление по напряжению и малые нелинейные искажения. Однако очевидно, что увеличение напряжения стока в два-три раза по сравнению с VP у малошумящих усилителей нежелательно.
Если внутреннее сопротивление Rs источника сигнала равняется или даже больше оптимального сопротивления Rs0, то на шумовые свойства ПТПЗ существенно влияет его эквивалентный входной источник шумового тока. Этот ток очень мало зависит от тока стока и от частоты. Следовательно, и в этом случае оптимальный режим можно определить током ID и напряжением VDS, выбранными в соответствии с рис. 11, 12.
Заключение.
В данном реферате был проведен анализ эквивалентных шумовых схем полевых транзисторов, построенных на основе физических принципов их работы. Эти схемы могут применятся при расчете различных малошумящих усилителей. Рассмотрены особенности применения полевых транзисторов при проектировании малошумящих видеоусилителей.
Использованная литература
Жалуд В., Кулешов В. «Шумы в полупроводниковых устройствах».
«Основы транзисторной техники».
 |
