Скачать 93.05 Kb.
|
Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный институт электронной техники (технический университет)» Факультет «Электроника и компьютерные технологии»
Программа вступительных испытаний в магистратуру кафедры «Квантовая физика и наноэлектроника» по направлению 210100 68 "Электроника и микроэлектроника" (магистр техники и технологии) по программе «Микро-и наноэлектроника»
Москва 2010г. 1.ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА НАПРАВЛЕНИЯ «ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА» 1.1. Направление утверждено приказом Министра образования Российской Федерации N 686 от 02.03.2000 г. 1.2. Степень (квалификация) выпускника - магистр техники и технологий. Нормативный срок освоения основной образовательной программы подготовки магистра по направлению «Электроника и микроэлектроника» при очной форме обучения 6 лет. Основная образовательная программа подготовки магистра состоит из программы подготовки бакалавра по соответствующему направлению (4 года) и специализированной подготовки магистра (2 года). 1.3. Квалификационная характеристика выпускника Магистр по направлению подготовки «Электроника и микроэлектроника» в соответствии с требованиями «Квалификационного справочника должностей руководителей специалистов и других служащих», утвержденного Постановлением Минтруда России от 21.08.98, № 37, может занимать следующие должности; инженер-электроник, инженер-технолог, инженер-конструктор, инженер-лаборант, младший научный сотрудник, ассистент и прочие. 1.3.1. Область профессиональной деятельности Область профессиональной деятельности выпускника включает в себя совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной на исследование, моделирование, разработку, производство и эксплуатацию материалов, компонентов, приборов и устройств различного назначения вакуумной, плазменно, твердотельной, микро- и наноэлектроники. 1.3.2. Объекты профессиональной деятельности Объектами профессиональной деятельности выпускника в зависимости от содержания образовательной программы подготовки (магистерской специализации) являются материалы, структуры, элементы, компоненты, приборы и устройства электронной техники, технологические процессы их изготовления, методы исследования, проектирование и конструирование, диагностическое и технологическое оборудование, математические модели процессов и объектов электроники и микроэлектроники, алгоритмы решения типовых задач, относящихся к профессиональной сфере. 1.3.3. Виды профессиональной деятельности Магистр подготовлен к деятельности, требующей углубленной фундаментальной и профессиональной подготовки, в том числе к научно-исследовательской работе; при условии освоения соответствующей образовательно-профессиональной программы педагогического профиля - к педагогической деятельности. 1.3.4. Обобщенные задачи профессиональной деятельности Магистр по направлению подготовки «Электроника и микроэлектроника» должен быть подготовлен к решению следующих типовых задач:
1.3.5. Квалификационные требования Для решения профессиональных задач магистр
Магистр должен знать:
2. Программа вступительных испытаний в магистратуру кафедры КФН 2.1. Перечень основных учебных дисциплин выносимых на вступительные испытания (экзамен) при поступлении в магистратуру кафедры КФН 2.1.1. Квантовая теория и статистическая физика Постулаты и принципы квантовой механики. Волновая функция и ее свойства. Операторы в квантовой механике. Уравнение Шредингера. Принцип неопределенности. Теория возмущения. Спин. Фермионы и бозоны. Микроканонический ансамбль. Термодинамический вес. Статистическая сумма. Термодинамические потенциалы. Химический потенциал. Законы термодинамики. Каноническое распределение Гиббса. Большое каноническое распределение Гиббса. 2.1.2. Физика твердого тела и полупроводников Симметрия кристаллов. Обратная решетка. Энергетический спектр носителей заряда в кристаллах. Метод эффективной массы. Неупорядоченные и аморфные полупроводники. Статистика и концентрация носителей заряда в полупроводниках. Фононы. Оптические свойства полупроводников. Кинетическое уравнение. Дрейфовый и диффузионный токи. Уравнение непрерывности, связь с кинетическим уравнением. Время максвелловской релаксации. Рекомбинация. Квазиуровни Ферми. Условия равновесия контактирующих тел. Длина экранирования. Электронно-дырочные переходы. Статистическая вольтамперная характеристика p-n-перехода. Биполярный транзистор. Эффект поля. Поверхностные состояния. Полевой транзистор. Пироэлектричество и сегнетоэлектричество. Механизмы поляризации твердых тел. Ферро- и антиферромагнетизм. Магнитные моменты и их взаимодействие в твердых тела. Домены. Сверхпроводимость. Эффект Мейсснера и квантование потока. Стационарный и нестационарный эффекты Джозефсона в сверхпроводниках. 2.1.3. Низкоразмерные квантовые структуры и физические основы наноэлектроники Основные элементы полупроводниковых гетероструктур (квантовые ямы, проволоки и точки) и методы их получения. Размерное квантование. Метод огибающей волновой функции. Эффект Бома-Аронова. Квантование проводимости в квазиодномерных проводниках.). Квантовый целочисленный и дробный эффекты Холла (дробные заряды и промежуточная статистика). Резонансное туннелирование и туннельно-резонансные диоды. Биполярные гетеротранзисторы. Селективное легирование и полевые транзисторы на высокоподвижных электронах. Гетероструктуры как элементы оптоэлектроники. Лазеры на квантовых ямах и точках. Униполярные лазеры. Сверхрешетки и блоховские осцилляции. Магнитные сверхрешетки и гигантское магнетосопротивление. Сверхпроводниковая электроника. Сверхпроводящий квантовый интерферометр (СКВИД). Одноэлектроника. Кулоновская блокада туннелирования. 2.1.4. Метрология Классификация и основные характеристики измерений. Эталонирование физических величин и ввод измерительных шкал. Основные понятия элементарной теории исчисления ошибок. Основные функции распределения. Флуктуации и шумы (теорема о среднем). Структура (блок-схема) измерительных систем и их характеристики. Механизмы и физические эффекты, ограничивающие точность измерений. 2.1.5. Спецразделы математического анализа и элементы теории поля Разложение в интеграл Фурье как метод решения уравнений в частных производных. Свойства симметрии кристаллов и тензоров, описывающих их материальные характеристики. Электромагнитное поле в вакууме. Уравнения Максвелла. Волновое уравнение. Модель сплошной среды. Уравнения Максвелла для электромагнитного поля в среде. Дисперсионное уравнение. Электрооптика. Волноводы. 2.2. Рекомендуемая литература по основным учебным дисциплинам Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. «Квантовая механика», М., Физматгиз, 1989 Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. «Статистическая физика», ч.1, М., Наука, 1995 Кайзер Дж. «Статистическая термодинамика неравновесных процессов», М., Мир, 1990 Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М., Наука, 1978. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М., Наука, 1990 Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М., Наука 1978 Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000 Херман М. «Полупроводниковые сверхрешетки», М. Мир. 1989 Бурдун Г.Д., Марков Б.Н. Основы метрологии. М. «Наука», 1990. Кузнецов В.А., Ялунина Г.В. Основы метрологии. М. «Наука», 1995. Программа вступительных испытаний составлена на основании государственного образовательного стандарта ВПО по направлению подготовки 550700 «Электроника и микроэлектроника» и рассмотрена на заседании кафедры «Квантовая физика и наноэлектроника» (КФН)
|
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию | Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... | ||
Федеральное агентство по образованию государственное образовательное... Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Ставропольская государственная медицинская академия»... | Федеральное агентство по образованию Российской Федерации Государственное... Помощник заместителя Министра экономического развития Российской Федерации Руководителя Росимущества | ||
Министерство образования и науки российской федерации федеральное... Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования | Инистерство образования и науки российской федерации федеральное агентство по образованию Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования | ||
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... «Московский государственный институт электронной техники (технический университет)» | Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... «Московский государственный институт электронной техники (технический университет)» | ||
Российской федерации федеральное агентство по образованию Негосударственное образовательное учреждение высшего профессионального образования | Федеральное агентство по образованию российской федерации государственное... Перечень нормативных документов, используемых при составлении рабочей программы по географии | ||
Федеральное агентство по образованию российской федерации государственное... Городская научно-практическая конференция молодых исследователей «шаг в будущее 2010» | Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... Методика проведения контрольных мероприятий примерные вопросы к зачету по курсу «лингвострановедение и страноведение великобритании»... | ||
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... Методика проведения контрольных мероприятий примерные вопросы к зачету по курсу «лингвострановедение и страноведение великобритании»... | Федеральное агентство по образованию российской федерации государственное... Базовый учебник: Перышкин А. В., физика 7кл.: учеб для общеобразоват учреждений. – 12-е изд.,– М.: Дрофа, 2010г | ||
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... Методическая разработка по практическим занятиям по курсу «Гражданское право ч. 1». Таганрог: Изд-во трту. 2006. 47с | Методические указания разработаны кандидатом экономических наук,... Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение... |