Исследование зависимости показателя преломления света в веществе от величины его электрический и магнитной проницаемости
1 Физика взаимодействия света с веществом
Физику взаимодействия света с веществом можно кратко представить таким образом: свет, падая на вещество, увеличивает колебания электронов в атомах. Отдавая свою энергию электронам, свет поглощается, но электроны, колеблясь, также излучают электромагнитные волны, являясь при этом источниками вторичного излучения. В итоге световое поле в веществе есть результат наложения падающего излучения и вторичных световых волн.
Теория взаимодействия света и вещества строится на основе уравнений Максвелла и вспомогательных, так называемых материальных уравнений
В Гауссовой системе в дифференциальной форме они имеют вид
  (1.1)
 , (1.2)
где E и D – напряженность и индукция электрического поля, H и B – напряженность и индукция магнитного поля,  - плотность заряда, j – плотность тока,  - диэлектрическая проницаемость,  - магнитная проницаемость,  - проводимость, с – скорость света в вакууме.
Фактически материальные уравнения описывают отклик среды на воздействие электромагнитного поля (ЭМП): возникновение поляризации  – электрического дипольного момента единицы объёма, намагниченности  – магнитного момента единицы объёма, и тока проводимости  . С физической точки зрения в основе материальных уравнений лежат предположения о безынерционности (поляризация и намагниченность в точности повторяют временное положение соответствующих воздействий), локальности (значения откликов среды определяются значениями внешних воздействий в определенной точке в определенное время), линейности (уравнения (1.3) линейны) и изотропности (электрическая  и магнитная  восприимчивости описываются скалярами) отклика среды. В Гауссовой системе
 (1.3)
В сильных лазерных полях становится необходимым учитывать нелинейность отклика среды, а иногда и его инерционность, когда мощное лазерное излучение попадает в резонанс с собственными колебаниями атомов или молекул среды.
Рассмотрим, каким образом можно вывести показатель преломления из уравнений Максвелла.
Известно, что если возбудить в одной точке пространства переменное электрическое или магнитное поле, то из уравнений Максвелла следует возникновение периодического как в пространстве , так и во времени, процесса взаимного превращения электрического и магнитного полей, то есть распространяется электромагнитная волна. Напишем уравнения Максвелла для нейтральной ( ) и непроводящей ( ) среды с диэлектрической проницаемостью и магнитной проницаемостью . Для начала преобразуем систему уравнений так, чтобы появились проницаемости. Воспользуемся системой вспомогательных уравнений (1.2). Получим
 (1.4)
Применим к первому из уравнений (1.4) операцию rot (что означает дифференцирование по координатам) и поменяем порядок дифференцирования по времени с ротором.
 (1.5)
Окончательно
 (1.6)
Проделав аналогичные действия с уравнением для  в системе (1.4), проводя соответствующие преобразования, получим
 (1.7)
Можно показать, что 
Тогда  ,  Уравнения такого вида представляет собюой волновое уравнение и корень квадратный из величины, обратной коэффициенту перед второй производной по времени, есть фазовая скорость волны.
В Гауссовой системе
 . (1.8)
Для фазовой скорости волн в среде знаменатель выражения (1.8) представляет собой показатель преломления n. Как видно, n = n ( ) [1].
Рассмотрим дисперсию показателя преломления вещества. Дисперсией называют явления, когда показатель преломления вещества (скорость его распространения в среде) зависит от частоты света. Известно, что фазовая скорость света в среде определяется выражением  , физический смысл которой состоит в том, что она представляет скорость перемещения центра группы волн (т.е. точки, в которой интенсивность группы волн максимальна, в этой точке фазы волн совпадают). Если в среде имеет место дисперсия, то центр группы волн перемещается с групповой скоростью  . Дисперсию можно объяснить на основе электромагнитной теории и электронной теории вещества. Согласно квантовой механике, понятие траектории электрона теряет смысл. Однако Лоренц показал, что для описания ряда оптических явлений удобно представить электроны как связанные квазиупруго. Под действием ЭМ волны электроны колеблются, являясь источниками вторичных световых волн. Каждый электрон оказывается под воздействием силы
 (1.9)
где Е0 – амплитуда напряженности ЭП волны.
Амплитуда колебаний электрона и фаза определяются по формулам
 (1.10)
 (1.11)
где  - собственная частота колебаний электрона,
 коэффициент затухания.
Как уже упоминалось, электрон излучает вторичные волны, фазы которых очевидно не совпадают с фазой первичной волны. Это приводит к тому, что волна в среде распространяется со скоростью, отличной от скорости в вакууме. Различие в скоростях будет тем сильнее, чем ближе частота волны к резонансной частоте электронов. Отсюда вытекает дисперсия. Представим мгновенное значение отклонения электрона из положения равновесия формулой (1.12), пренебрегая затуханием.
 (1.12)
Смещаясь из положения равновесия, молекула приобретает дипольный момент.
 (1.13)
Соответственно поляризация, учитывая N – число молекул в единице объема,
Диэлектрическая проницаемость вещества связана с диэлектрической восприимчивостью и поляризацией формулой
 =1+ (1.14)
Отсюда зависимость показателя преломления вещества от частоты выразится формулой
 (1.15)
Формула (1.15) выражает закон дисперсии света [2].
2 Обработка результатов исследований
В реальных кристаллах многие физические свойства, в том числе и оптические, зависят от наличия дефектов в кристалле. Например, нарушение стехиометрического состава, наличие примесей внедрения и замещения включения. Характерным дефектом сложных оксидов является наличие вакансий по кислороду или нарушение стехиометрии по кислороду.
Монокристаллы титаната стронция SiTiOx принадлежат к классу сложных оксидов со структурой перовскита. Номинально чистые кристаллы прозрачны в области 395-7500 нм. При выращивании кристаллов диаметром более 20 мм в кристаллах титаната стронция появляется дефект «синее пятно», представляющий собой три области – центральная область синего цвета, узкая область желтого цвета и бесцветная внешняя область. При отжиге в кислороде дефект пропадает.
Рисунок 1 – Кристаллическая решетка титаната стронция
В процессе изучения работы [3], в которой рассматриваются основы метода валентного сдвига рентгеновских линий, определяется электронное состояние ионов в кристаллах SiTiOx, TiOy и показывается, что в данных кристаллах ионы Ti находятся в состоянии Ti+4 , Ti+3 , Ti+2, был обнаружен ряд интересных фактов, позволяющих говорить о возможности манипулирования скоростью света в достаточно широких пределах.
Прогресс в изучении твердых тел и прежде всего полупроводников и диэлектриков зависит от нашего знания их электронной структуры. Эта структура определяется электронным состоянием ионов кристаллической решетки и ее симметрией. Среди основных методов исследования можно выделить прецизионный метод химических сдвигов рентгеновских линий (ВСРЛ), EXAFS – метод (Extended X - ray Absorption Fine Structure - анализ тонкой структуры рентгеновского поглощения), а также традиционные методы рентгеновской спектроскопии.
В работе [3] изучались кристаллы титаната стронция и рутила. В основе метода ВСРЛ, как и EXAFS – метода, лежит принцип регистрации малых изменений длины волны характеристического рентгеновского излучения (т.е. переходы происходят во внутренних частях атома). Указанные методы основаны на определении смещений  - линий ( 2р3/2, 1/2 - 1s1/2 электронный переход ),
 - линий ( 3р3/2, 1/2 - 1s1/2 ),  ( 3d5/2, 3/2 - 2p3/2 ), имеющих наибольшую интенсивность.
Смещение рентгеновских линий при изменении электронного состояния ионов (валентности, типа химической связи и числа ближайших ионов) происходит из-за перераспределения плотности валентных электронов на внутренних оболочках.
Электронное состояние ионов Ті в монокристаллах титаната стронция и рутила было исследовано в работе [3] при помощи рентгеновского микроанализатора с двумя спектрометрами, используя стандартный вакуумный спектрометр с кристалл-анализатором и двухкристалльный спектрометр сверхвысокого разрешения.
Изученные монокристаллы титаната стронция и рутила были выращены методом Вернейля. Титанат стронция имеет структуру перовскита с кубической элементарной ячейкой, в центре которой находятся ионы Ti+4. Как показали исследования, в большинстве кристаллов наблюдается недостаток ионов кислорода.
Недостаток ионов кислорода объясняется тем, что трехвалентные катионы редкоземельных металлов могут замещать четырехвалентные ионы титана. Очевидно, что в случае такого замещения, для сохранения электронейтральности, должны появиться кислородные вакансии.
Считается, что анионный дефицит компенсируется переходом части ионов титана в трехвалентное состояние. Такие кристаллы могут иметь окраску от светло-желтой до темно-синей, и во всех кристаллах были обнаружены ионы Ti+3. Кристаллы с большим содержанием Ti+3 имеют темно-синюю окраску. В ряде случаев синяя окраска возникает в центре кристаллов, и эта область сравнительно легко отделяется от остальной части кристалла (дефект «синее пятно»). Дефектные кристаллы характеризуются наличием в оптических спектрах поглощения двух полос с максимумами 430 и 520 нм, которые были зарегистрированы на спектрофотометре Specord M-40 при комнатной температуре.
Рисунок 2 – Спектры поглощения титаната стронция
В процессе изучения титаната стронция [4] оказалось, что спектры оптического поглощения беспримесных образцов титаната стронция в исследуемом диапазоне полос не содержат. Край фундаментального поглощения расположен в области 395 нм. Кристаллы с синим пятном имеют две полосы поглощения: интенсивную линию 430 нм и слабую – 520 нм. Проведенные исследования показали, что в окрашенной части кристалла ионы титана имеют валентность не +4, а +3, а полоса 430 нм обусловлена d – p(s)- переходами иона Ti+3. Что касается полосы 520 нм, то были попытки связать ее с образованием Ti+3, или F-центрами (фарб-центрами или центрами окраски). Анализ полученных в работе экспериментальных данных по исследованию положения и интенсивности этой полосы в зависимости от наличия примеси, теоретических расчетов спектров не позволяют связать полосу 520 нм с состоянием примесных атомов в кристалле. Скорее всего, эта полоса связана с переходами в фарб-центрах. Эта же линия наблюдается в беспримесном кристалле с дефектом «синее пятно», когда концентрация анионных вакансий значительна. Теоретические оценки энергии перехода 1s – 2p , сделанные по методике, описанной в работе [5], дают значение близкое к 520 нм.
В работе [3] было изучено пять партий кристаллов SiTiOx различной окраски: 1) бесцветной, 2) желтой, 3) желто-зеленой, 4) коричневой, 5) темно-синей, характеризуемых следующими коэффициентами поглощения k (430 нм)/k (520 нм) (см-1): 0.35/0.32, 0.75/0.63, 0.93/0.7, 0.9/1.1, 1.3/1.2.
Таким образом, в кристаллах титаната стронция с максимальным значением коэффициента поглощения (т.е. кристаллах темно-синего цвета с наибольшей концентрацией трехвалентного титана) наблюдается наибольшее значение показателеля преломления, а значит, минимальное значение скорости света в исследуемом образце.
Высокотемпературная модификация рутила, в которой ионы титана должны иметь электронное состояние Ti+4, также имеет в ряде случаев синюю окраску с нарушением стехиометрии образцов. Были изучены две партии образцов (бесцветных и синей окраски), имеющих интенсивные полосы поглощения 500 и 660 нм и k(500 нм)/k(660 нм)=0.8/0.95.
ВЫВОДЫ
Рост концентрации кислородных вакансий в SrTiO3 приводит к увеличению содержания ионов Ti (+3) в образцах. Эксперименты показывают, что с увеличением концентрации ионов титана (+3) происходит значительный до 10(3) рост коэффициента поглощения при длине волны 430 нм, что приводит к уменьшению скорости света в среде. При этом происходит изменение плотности кристалла, появление двупреломления и дихроизма. Появляется возможность управления его параметрами при изменении концентрации кислородных вакансий в процессе термического отжига. При этом происходит увеличение показателя преломления вещества, а значит, возможность управлением скоростью света в кристалле. Это может найти приложения в области фотоники, технике связи. Также кристаллы титаната стронция используются как компонент при изготовлении сегнетоэлектрической керамики и как нелинейный диэлектрический материал. Также используются в ювелирном деле, как обладающие достаточно высоким показателем преломления, а значит хорошим блеском. В технике сверхвысоких частот он служит в качестве материала для диэлектрических антенн, фазовращателей и других устройств. Пленки из титаната стронция используют при изготовлении нелинейных конденсаторов и датчиков инфракрасного излучения. С их помощью создают слоистые структуры диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл, которые применяются в фотоприемниках, запоминающих устройствах и других приборах.
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ
1 Ахманов С.А. Физическая оптика. – М.: Изд-во МГУ; Наука, 2004.
2 Ландсберг Г. С. Оптика. – М.: Наука, 1976.
3 Кулагин Н. А., Озеров М.Ф. // ФТТ. 1993 Т.35 №9 С. 2472 – 2477.
4 Кулагин Н.А., Ландарь С.В., Литвинов Л.А., Толок И.В. // Оптика и спектроскопия. 1981 Т.50 Вып.5 С. 888 – 892.
5 Kulagin N. A., Tytlis V. I. Phys. Stat. Sol. (b), 92, K109, 1978. |
