Практический семинар «Оборудование и технологии роста кристаллов 2009»
Скачать 309.36 Kb.
|
1 2
для выращивания монокристаллов кремнияА.И. Простомолотов , Н.А. Верезуб , В.Ю. Жвирблянский 1),М.Г. Мильвидский 1)( Институт проблем механики РАН,1) ОАО “ГИРЕДМЕТ”, Москва, Россия)В работе [1] дан обзор и приведено сравнение влияния различных сборок теплового экрана на температурное поле в растущем монокристалле кремния применительно к зарубежным установкам выращивания монокристаллов кремния диаметром 200 мм по Чохральскому, тепловые узлы которых опубликованы в соответствующих патентах (см. ссылки в [1]) . В данном докладе рассматривается наш опыт применения интегрированной математической модели [2] для разработки оптимизированного теплового узла отечественной установки «Редмет-90М» для выращивания монокристаллов кремния диаметром 200 и 300 мм из больших загрузочных масс расплава: 90 и 120 кг. Основой этой оптимизации стали новые конструкции теплового экрана [3,4], с учетом которых затем были спроектированы остальные элементы теплового узла и подготовлена конструкторская документация для его изготовления. Компьютерные макеты теплового узла, созданные средствами интегрированного моделирования процессов теплопереноса и дефектообразования в бездислокационных монокристаллах кремния, позволили провести параметрические расчеты этих процессов. На их основе были рекомендованы рациональные режимы изменения ростовых параметров (скорости вытягивания, мощности нагрева) с учетом природы, размера, плотности и характера распределения микродефектов в растущем монокристалле. Преимущества предложенных конструкций теплового экрана для «Редмет-90М» [3,4] обсуждаются в сравнении с аналогичными сборками тепловых экранов других авторов, в основе которых также наличие двойного экрана – внутреннего и внешнего, при этом внешний экран имеет форму, близкую к форме кварцевого тигля. В том числе рассматриваются специфические особенности теплопереноса при выращивании монокристаллов кремния диаметром 200 мм с таким типом экрана, частично представленные в публикациях [5,6]. Данная работа поддержана проектом РФФИ № 07-02-13580-офи_ц. Список литературы: 1. Верезуб Н.А., Мильвидский М.Г., Простомолотов А.И. // Материаловедение. № 3. 2004. С. 2-6. 2. Верезуб Н.А., Простомолотов А.И. // Изв. ВУЗов. МЭТ. № 1. 2007. С. 4-10. 3. Простомолотов А.И., Верезуб Н.А., Жвирблянский В.Ю, Мильвидский М.Г. Устройство для выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского // Заявка на патент РФ, № 2007145210/15, 07/12//2007. 4. Простомолотов А.И., Верезуб Н.А., Жвирблянский В.Ю, Мильвидский М.Г. Устройство для выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского // Заявка на патент РФ, № 2008147553, 03/12//2008. 5. Простомолотов А.И., Мильвидский М.Г. // Изв. ВУЗов. МЭТ. 2008. № 3. С. 49-53. 6. Верезуб Н.А., Простомолотов А.И., Мильвидский М.Г. // Изв. ВУЗов. МЭТ. 2008. № 4. С. 43-48. Производство крупногабаритных монокристаллов иттрий-алюминиевого граната. Требования к оборудованию. Синельников Б.М.1, Игнатов А.Ю.2 (1Северо-Кавказский государственный технический университет 2ООО НПФ «Экситон», г. Ставрополь, Россия) Метод Чохральского широко используется для выращивания достаточно крупных монокристаллов иттрий-алюминиевого граната (ИАГ) высокой оптической однородности, используемых, прежде всего в лазерной технике. Достигнутый сегодня уровень отечественной технологии выращивания монокристаллов ИАГ позволяет получать кристаллы диаметром до 50 мм с концентрацией неодима до 1,1 %. Выращивание кристаллов производится на установке «Кристалл-3». Однако достигнутый технический уровень не удовлетворяет запросам рынка активных лазерных элементов, для производства которых необходимы кристаллы ИАГ: Nd диаметром 80 мм и более, длиной – более 300 мм. Для обеспечения запросов лазерной промышленности необходимо создание нового оборудования для выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, удовлетворяющего следующим требованиям: - диаметр ростовой камеры установки, мм, не менее 800; - диаметр тигля, мм, не менее 150; - скорость вращения штока, об./мин. - от 0 до 100; - максимально допустимое биение штока, мм, не более 0,1; - мощность транзисторного преобразователя частоты, кВт 100; - гарантированное время безотказной работы, час, не менее 1000; - установка должна быть оборудована системой досыпки тигля шихтой без прерывания ростового процесса; - установка должна быть оснащена системой управления технологического процесса, выполненной на современной элементной базе и позволяющей реализовывать различные варианты ведения ростового процесса. Оснащение отечественных ростовых производств оборудованием такого класса позволит обеспечить лазерную отрасль России кристаллами ИАГ, соответствующими мировому уровню технологии. Следует также отметить достаточно интенсивное развитие волоконных лазерных систем на основе ИАГ, легированного иттербием и неодимом. Данное направление является весьма перспективным. Однако, сегодня полностью отсутствует отечественное ростовое оборудование для выращивания волокна по технологии микрокапиллярного роста, обеспечивающего ступенчатое или градиентное изменение концентрации нескольких легирующих примесей. |
1 2
Похожие:
 | Адаптивная системА управления процессАмИ роста кристаллов для методов Степанова и Чохральского Работа выполнена в лаборатории управляемого роста кристаллов Учреждения Российской академии наук Института физики твердого тела ран... | | Практическая работа «Выращивание кристаллов медного купороса и хлорида... А во-вторых, в результате деятельности проекта будет создана презентация «Кристаллы и их применение» и выращенные кристаллы медного... |
| Практический семинар по теме: «Применение информационных технологий в образовательном процессе» Федеральное государственное образовательное учреждение среднего профессионального образования Тольяттинский политехнический колледж... | | Практический семинар для победителей окружного этапа педагогических... Семинар зам директоров по воспитательной работе, социальных педагогов, классных руководителей |
| Диплом участника Межрегиональный научно-практический семинар «Технологии,... ... | | Практический семинар по теме «Ценности семьи и семейной жизни в традиционных... Сош№55 5 февраля 2014г прошёл городской научно – практический семинар по теме «Ценности семьи и семейной жизни в традиционных религиозных... |
 | Реферат: «Выращивание кристаллов в домашних условиях» Мир кристаллов это сказочно красивый мир. Они завораживают своим блеском, многообразием цвета и форм | | Алмазодобывающая промышленность россии Мы живем среди кристаллов, ходим по ним и широко используем их в нашей повседневной жизни. Земная кора на 95 состоит из кристаллов.... |
| Практический семинар «Современный урок в контексте фгос» Цели урока: 1 повторить пройденный материал, подготовиться к контрольной работе | | Практический семинар междисциплинарные исследования в науке и образовании Самостоятельные занятия (работа над коллективными и индивидуальными проектами, курсовые работы) |
| X областной научно-практический семинар учителей информатики Волгоградской области «Инновационные методы обучения информатике: анализ практики, проблемы и перспективы» | | Практический семинар «Современный урок в контексте фгос» Обучающая цель урока: изучить варианты размера, начертания, цвета, выравнивание шрифта |
| Диплом 2 степени в номинации «Урок» Городской семинар «Использование технологии развития критического мышления через чтение и письмо (ркмчп) на уроках гуманитарного... | | Программа по формированию навыков безопасного поведения на дорогах... Практический семинар «Технология проведения урока общеметодологической направленности» |
| Фгбоу впо «удмуртский государственный университет» физико-энергетический... Научиться оценить влияние различных дефектов структуры на качественные характеристики кристаллов, используемых в различных областях... | | П л а нпроведения научных мероприятий Петргу в 2014 году Международный научно-практический семинар «Тестирование гигиенической гипотезы развития сахарного диабета 1 типа у детей» |
