Скачать 1.31 Mb.
|
1.2.4. Генератор тактовых импульсов для микропроцессора 1821 ВМ85. Схема генератора тактовых импульсов микропроцессора 1821ВМ85 содержится в самом микропроцессоре. Достаточно подключить кварцевый резонатор к выводам № 1 и № 2 МП. Кварцевый резонатор может иметь любую частоту колебаний в диапазоне от 1 до 6 МГц. Эта частота делится пополам, и соответствующие импульсы используются в МП. На рисунке 2 показана схема подключения кварцевого резонатора, в результате чего обеспечивается синхронизация МП 1821ВМ85. 40 1 1821ВМ85 2 +5 В 1МГцРисунок 2. 1.2.5. Установка начального состояния микропроцессора 1821ВМ85. После включения питания ЦП должен начинать выполнение программы каждый раз с команды, расположенной в ячейке с определенным адресом, а не с какой-либо произвольной ячейке. Для этого нужно выполнить начальную установку МП. Такая начальная установка осуществляется при первом включении МП, а также в любое время, когда потребуется вернуть МП к началу выполнения системной программы, всегда с одной и той же определенной ячейки памяти. Чтобы выполнить функции начальной установки МП, к входу (№ 36) МП подключаются элементы, соединенные в соответствии со схемой, показанной на рисунке 3. При подаче питания конденсатор заряжается до напряжения +5 В через R1. Когда напряжение достигает некоторого определенного значения (min 2.4 В), выполнение команды «сброс» завершится и система начнет выполнение программы с адреса 0000. После отключения питания произойдет разрядка конденсатора С1 и микропроцессор будет находиться в исходном состоянии до тех пор, пока напряжение на конденсаторе С1 не достигнет требуемого значения. +5В 1821ВМ85 36 VD1 R1 C1 Рисунок 3. 1.2.6. Запоминающие устройства. Постоянная тенденция к усложнению задач, решаемых с помощью микропроцессорной техники, требует увеличение объёма и ускорение процесса вычислений. Однако скорость решения любой задачи на ЭВМ ограничена временем ограничения к памяти, т.е. к ОЗУ. В таблице сравниваются характеристики ОЗУ, выполненной на разной элементно-технологической основе.
Полупроводниковые ЗУ по режиму занесения информации делятся на оперативные и постоянные, по режиму работы – статистические и динамические, по принципу выборки информации – на устройства с произвольной и последовательной выборкой, по технологии изготовления – на биполярные и униполярные. 1.2.7. Оперативные запоминающие устройства. ОЗУ предназначены для записи, хранения и считывания двоичной информации. Структурная схема представлена на рисунке 4. НКDCXА0Аn / УЗRDDI DCYУСD0СS S УУEXSEY НК – накопитель; DCX, DCY – дешифраторы строк и столбцов; УЗ – устройство записи, УС – устройство считывания, УУ – устройство управления. Как уже отмечалось, ОЗУ можно разделить на 2 типа: статические и динамические. В накопителях статических ОЗУ применяются триггерные элементы памяти. В ОЗУ динамического типа запоминающим элементом служит конденсатор. Динамические ОЗУ имеют ряд преимуществ по сравнению со статистическими ОЗУ. Основные характеристики динамических ОЗУ:
Преимуществом статистических ОЗУ перед динамическими является отсутствие схемы регенерации информации, что значительно упрощает статические ЗУ, как правило, имеют один номинал питающего напряжения. Типовые характеристики СЗУ:
Наибольшим быстродействием обладают биполярные ОЗУ, построенные на основе элементов ЭСЛ, ТТЛШ. Перспективными являются ОЗУ, построенные на транзисторных структурах U2Л, позволяющих уменьшить площадь ЗЭ до 2000100мкм2 и снизить мощность потребления до нескольких микроватт на бит, при tвкл=50150 мс. Статические ОЗУ на МОП транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется существенно большей плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у БП ОЗУ. Для рМОП удалось уменьшить геометрические размеры ЗЭ и снизить напряжение питания до 15 В. Для ОЗУ пМОП удалось ещё больше уменьшить геометрические размеры, получить в 2,5 раза большую скорость переключения. Единое напряжение питания +5В обеспечивает непосредственную совместимость таких ОЗУ по логическим уровням с микросхемами ТТЛ. Элементы ОЗУ на кМОП VT используются для построения статических ОЗУ только при необходимости достижения min Рпотр. Также при переходе к режиму хранения Рпотр уменьшается на порядок. Для статических ОЗУ достигнута ёмкость 64 Кбит при организации 16 разрядов и времени выборки до 6 мс. Iпотр статических БП ОЗУ 100200 мА. Широко применяются схемы на кМОП-VT, среди которых наибольшее распространение получила серия 537; Iпотр60 мА (режим обращения) и Iпотр=0,0015 мА (хранение). В большинстве схем предусмотрен режим хранения с пониженным Uпит=2 В. Это позволяет наиболее просто реализовать работу ОЗУ от резервных батарей. Динамические ОЗУ представлены в основном серией КР565 с max ёмкостью 256х1 разряд и min времени выборки 150 мс. Но необходимо постоянное восстановление информации – регенерации, период которой составляет 18 мс. Для регенерации нужны дополнительные схемы, что усложняет схему в целом. Дальнейшее рассмотрение будем вести на примере статического ОЗУ 2Кх8 с общим входом и выходом типа 537РУ10.\
Uп=2В – 0,6 мВт обращение - 370 мВт 3) Iпотр: хранение – 3 10-4 мА обращение – 70 мА 4) Диапазон рабочих температур - 10+С. Усиление вх-вых сигналов до уровней ТТЛ осуществляется с помощью вых. формирователей. Т.к. ОЗУ организовано как 2Кх8, значит необходимо использовать АОА10 адресных линий и DOD7 линий шины данных. Для управления функционированием схемы используется 3 вывода:
Микросхема 537РУ10 функционирует в 3 режимах:
Таблица истинности:
|
На пути поиска программы и инициального субстрата старения "Успехи... На основании приведенных фактов проведен анализ наиболее распространенных моделей старения животных. Показано, что ни одна из них,... | Рефераты публикуемых статей Закономерности старения изоляции и оценка срока службы силовых конденсаторов. Александрова Н. П., Манн А. К., Мамина Р. Н. – Исследование... | ||
«этика» (для студентов группы 1010-с/з) дубна, 2010 Этика — философская наука. Предметная область этики: ситуация морального выбора, этическая система, этические принципы. Фундаментальные... | Темпы старения – что выбираем мы? Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования | ||
Независимая газета Последовательные и неотложные изменения в экзамене – фактор формирования морального климата в обществе | Российской федерации Осветить молекулярные основы процессов репликации, транскрипции, трансляции, репарации, регуляции клеточного цикла, дифференцировки,... | ||
Андрееву Д. А Посылаю Вам для (а)морального подкрепления свои песенные «40º Тостов», пойте на здоровье! | Информационный бюллетень воз выпуск 90, номер 3, март 2012 г Общественная... С. П. Хлопушина от «1» 09 2012г протокол №1 от «22» 08 2012г | ||
Реферат Цели Цели. Сравнить эффективность приема ундеканоата тестостерона, пропионил-l-карнитина совместно с ацетил-l-карнитином и плацебо в лечении... | Влияние конструкции кабельных изделий на процесс теплового старения полимерных материалов Государственное бюджетное образовательное учреждение основная общеобразовательная школа с. Покровка муниципального района Кинельский... | ||
Именем российской федерации ... | Краснова О. В., Лидере а г. Социальная психология старения: Учеб... С. П. Хлопушина от «1» 09 2012г протокол №1 от «22» 08 2012г | ||
Старения ? Многие авторы, затрагивающие эти вопросы, ограничиваются... Пспбгму имени акад. И. П. Павлова, Национальный Институт Здоровья, хк трекпор Технолоджи, Россия; Софийский медицинский университет,... | Учебно-методический комплекс дисциплины Целью курса этики является формирование у студентов положительной жизненной ориентации и выработка понимания морального закона | ||
Заявление о нанесении морального ущерба Канара В. Д. ложными данными... Рабочая программа утверждена на заседании кафедры «Связи с общественностью» протокол № от 20 г | Учебно-методический комплекс дисциплины гсэ. В 2 «этика» Целью курса этики является формирование у студентов положительной жизненной ориентации и выработка понимания морального закона |