Морального старения





НазваниеМорального старения
страница9/28
Дата публикации22.02.2015
Размер1.31 Mb.
ТипДокументы
100-bal.ru > Экономика > Документы
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   28


1.2.4. Генератор тактовых импульсов

для микропроцессора 1821 ВМ85.
Схема генератора тактовых импульсов микропроцессора 1821ВМ85 содержится в самом микропроцессоре. Достаточно подключить кварцевый резонатор к выводам № 1 и № 2 МП. Кварцевый резонатор может иметь любую частоту колебаний в диапазоне от 1 до 6 МГц. Эта частота делится пополам, и соответствующие импульсы используются в МП. На рисунке 2 показана схема подключения кварцевого резонатора, в результате чего обеспечивается синхронизация МП 1821ВМ85.



40

1
1821ВМ85
2
+5 В


1МГц













Рисунок 2.
1.2.5. Установка начального состояния

микропроцессора 1821ВМ85.
После включения питания ЦП должен начинать выполнение программы каждый раз с команды, расположенной в ячейке с определенным адресом, а не с какой-либо произвольной ячейке. Для этого нужно выполнить начальную установку МП. Такая начальная установка осуществляется при первом включении МП, а также в любое время, когда потребуется вернуть МП к началу выполнения системной программы, всегда с одной и той же определенной ячейки памяти.

Чтобы выполнить функции начальной установки МП, к входу (№ 36) МП подключаются элементы, соединенные в соответствии со схемой, показанной на рисунке 3.

При подаче питания конденсатор заряжается до напряжения +5 В через R1. Когда напряжение достигает некоторого определенного значения (min 2.4 В), выполнение команды «сброс» завершится и система начнет выполнение программы с адреса 0000. После отключения питания произойдет разрядка конденсатора С1 и микропроцессор будет находиться в исходном состоянии до тех пор, пока напряжение на конденсаторе С1 не достигнет требуемого значения.
+5В


1821ВМ85


36



VD1 R1







C1



Рисунок 3.
1.2.6. Запоминающие устройства.
Постоянная тенденция к усложнению задач, решаемых с помощью микропроцессорной техники, требует увеличение объёма и ускорение процесса вычислений. Однако скорость решения любой задачи на ЭВМ ограничена временем ограничения к памяти, т.е. к ОЗУ. В таблице сравниваются характеристики ОЗУ, выполненной на разной элементно-технологической основе.


Приме-няемые элементы

Время

выборки,мс


Информа-ционная ёмкость

Плотность размещ. информац.,

бит/см3

Энергопо-

требление при

хранении

информац.

БП VT

МОП структуры

Ферритовые сердечники

50300

250103
3501200

103105

103106
106108

До 200

200300
1020

Есть

Есть
Нет


Полупроводниковые ЗУ по режиму занесения информации делятся на оперативные и постоянные, по режиму работы – статистические и динамические, по принципу выборки информации – на устройства с произвольной и последовательной выборкой, по технологии изготовления – на биполярные и униполярные.


1.2.7. Оперативные запоминающие устройства.
ОЗУ предназначены для записи, хранения и считывания двоичной информации. Структурная схема представлена на рисунке 4.

НК

DCX







А0Аn










/

УЗ

RD

DI

DCY

УС

D0

СS

S


УУ

EX


SEY



НК – накопитель; DCX, DCY – дешифраторы строк и столбцов; УЗ – устройство записи, УС – устройство считывания, УУ – устройство управления.

Как уже отмечалось, ОЗУ можно разделить на 2 типа: статические и динамические. В накопителях статических ОЗУ применяются триггерные элементы памяти. В ОЗУ динамического типа запоминающим элементом служит конденсатор. Динамические ОЗУ имеют ряд преимуществ по сравнению со статистическими ОЗУ. Основные характеристики динамических ОЗУ:





I

II

III

IV

Наибольшая ёмкость, бит/кристалл



16К

64К

256К

Время выборки считывания, мс

200400

200300

100200

150200

Рпотр, мВт/бит

0,10,2

0,040,05

4 10-35 10-3

3 10-34 10-3


Преимуществом статистических ОЗУ перед динамическими является отсутствие схемы регенерации информации, что значительно упрощает статические ЗУ, как правило, имеют один номинал питающего напряжения.

Типовые характеристики СЗУ:





ЭСЛ

ТТЛ

ТТЛШ

U2Л

пМОП

кМОП

Ёмкость, бит/кристалл

256 16К

256 64К





16К

16К

Время выборки считывания, мс

10 35

50 100

50 60

150

45 100

150 300

Рпотр , мВт/бит

20,06

15 0,03

0,5 0,3

0,1 0,07

0,24 0,05

0,02


Наибольшим быстродействием обладают биполярные ОЗУ, построенные на основе элементов ЭСЛ, ТТЛШ. Перспективными являются ОЗУ, построенные на транзисторных структурах U2Л, позволяющих уменьшить площадь ЗЭ до 2000100мкм2 и снизить мощность потребления до нескольких микроватт на бит, при tвкл=50150 мс.

Статические ОЗУ на МОП транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется существенно большей плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у БП ОЗУ.

Для рМОП удалось уменьшить геометрические размеры ЗЭ и снизить напряжение питания до 15 В.

Для ОЗУ пМОП удалось ещё больше уменьшить геометрические размеры, получить в 2,5 раза большую скорость переключения. Единое напряжение питания +5В обеспечивает непосредственную совместимость таких ОЗУ по логическим уровням с микросхемами ТТЛ.

Элементы ОЗУ на кМОП VT используются для построения статических ОЗУ только при необходимости достижения min Рпотр. Также при переходе к режиму хранения Рпотр уменьшается на порядок.

Для статических ОЗУ достигнута ёмкость 64 Кбит при организации 16 разрядов и времени выборки до 6 мс. Iпотр статических БП ОЗУ 100200 мА. Широко применяются схемы на кМОП-VT, среди которых наибольшее распространение получила серия 537; Iпотр60 мА (режим обращения) и Iпотр=0,0015 мА (хранение). В большинстве схем предусмотрен режим хранения с пониженным Uпит=2 В. Это позволяет наиболее просто реализовать работу ОЗУ от резервных батарей.

Динамические ОЗУ представлены в основном серией КР565 с max ёмкостью 256х1 разряд и min времени выборки 150 мс. Но необходимо постоянное восстановление информации – регенерации, период которой составляет 18 мс. Для регенерации нужны дополнительные схемы, что усложняет схему в целом.

Дальнейшее рассмотрение будем вести на примере статического ОЗУ 2Кх8 с общим входом и выходом типа 537РУ10.\

  1. tвыб220 мс.

  2. Рпотр: хранение Uп=5В – 5,25 мВт

Uп=2В – 0,6 мВт

обращение - 370 мВт

3) Iпотр: хранение – 3 10-4 мА

обращение – 70 мА

4) Диапазон рабочих

температур - 10+С.
Усиление вх-вых сигналов до уровней ТТЛ осуществляется с помощью вых. формирователей. Т.к. ОЗУ организовано как 2Кх8, значит необходимо использовать АОА10 адресных линий и DOD7 линий шины данных.

Для управления функционированием схемы используется 3 вывода:

  1. /RE - № 21

  2. CE - № 18

  3. OE - № 20

Микросхема 537РУ10 функционирует в 3 режимах:

  • режим хранения данных

  • режим считывания данных

  • режим записи данных


Таблица истинности:





/RE





DOD7

Хранение

X

1

X

Z

Запись

O

O

X

«0» или «1»

Считывание 1

1

O

O

«0» или «1»

Считывание 2

1

O

1

Z
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   28

Похожие:

Морального старения iconНа пути поиска программы и инициального субстрата старения "Успехи...
На основании приведенных фактов проведен анализ наиболее распространенных моделей старения животных. Показано, что ни одна из них,...
Морального старения iconРефераты публикуемых статей
Закономерности старения изоляции и оценка срока службы силовых конденсаторов. Александрова Н. П., Манн А. К., Мамина Р. Н. – Исследование...
Морального старения icon«этика» (для студентов группы 1010-с/з) дубна, 2010
Этика — философская наука. Предметная область этики: ситуация морального выбора, этическая система, этические принципы. Фундаментальные...
Морального старения iconТемпы старения – что выбираем мы?
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Морального старения iconНезависимая газета
Последовательные и неотложные изменения в экзамене – фактор формирования морального климата в обществе
Морального старения iconРоссийской федерации
Осветить молекулярные основы процессов репликации, транскрипции, трансляции, репарации, регуляции клеточного цикла, дифференцировки,...
Морального старения iconАндрееву Д. А
Посылаю Вам для (а)морального подкрепления свои песенные «40º Тостов», пойте на здоровье!
Морального старения iconИнформационный бюллетень воз выпуск 90, номер 3, март 2012 г Общественная...
С. П. Хлопушина от «1» 09 2012г протокол №1 от «22» 08 2012г
Морального старения iconРеферат Цели
Цели. Сравнить эффективность приема ундеканоата тестостерона, пропионил-l-карнитина совместно с ацетил-l-карнитином и плацебо в лечении...
Морального старения iconВлияние конструкции кабельных изделий на процесс теплового старения полимерных материалов
Государственное бюджетное образовательное учреждение основная общеобразовательная школа с. Покровка муниципального района Кинельский...
Морального старения iconИменем российской федерации
...
Морального старения iconКраснова О. В., Лидере а г. Социальная психология старения: Учеб...
С. П. Хлопушина от «1» 09 2012г протокол №1 от «22» 08 2012г
Морального старения iconСтарения ? Многие авторы, затрагивающие эти вопросы, ограничиваются...
Пспбгму имени акад. И. П. Павлова, Национальный Институт Здоровья, хк трекпор Технолоджи, Россия; Софийский медицинский университет,...
Морального старения iconУчебно-методический комплекс дисциплины
Целью курса этики является формирование у студентов положительной жизненной ориентации и выработка понимания морального закона
Морального старения iconЗаявление о нанесении морального ущерба Канара В. Д. ложными данными...
Рабочая программа утверждена на заседании кафедры «Связи с общественностью» протокол № от 20 г
Морального старения iconУчебно-методический комплекс дисциплины гсэ. В 2 «этика»
Целью курса этики является формирование у студентов положительной жизненной ориентации и выработка понимания морального закона


Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2013
контакты
100-bal.ru
Поиск