Наименование тем
|
Содержание учебного материала, практические работы, самостоятельная работа студентов
|
Объем часов
|
Уровень усвоения
|
1
|
2
|
3
|
4
|
|
Раздел 1.
Физические основы полупроводников.
|
10
|
|
Введение
|
Связь с другими дисциплинами. Роль измерений в развитии техники.
|
1
|
2
|
Тема 1.1
Электропроводность беспримесных и примесных полупроводников.
|
Содержание учебного материала
|
2
|
2
|
Электрические диаграммы металлов, полупроводников и диэлектриков.
Концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике и влияние
температуры. Примесные полупроводники. Дрейфовый и диффузионный токи
в полупроводниках. Понятие о диффузионной длине носителей.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Поиск информации по предложенной теме из различных источников.
|
Тема 1.2. Электронно-дырочный переход. Их виды, свойства при разных напряжениях.
Ёмкость p-n перехода.
|
Содержание учебного материала
|
2
|
2
|
Образование контактной разности потенциалов на границе p и n областей. Свойства электронно-дырочного перехода при прямом напряжении, при обратном напряжении. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Виды: симметричный, несимметричный, структура p-i, n-i; гетеропереход. Ёмкость p-n перехода: барьерная и диффузионная.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Изучение материала учебника по заданной теме.
|
Тема 1.3.
Виды пробоев. Контакт металл- полупроводник.
|
Содержание учебного материала
|
2
|
2
|
Причины возникновения теплового пробоя. Виды электрического пробоя: лавинный и туннельный, где их используют. Структура контакта металл-полупроводник n – типа. Возникновение омического и выпрямительного контакта и их применения в полупроводниковых приборах. Контактные явления в структуре: металл-диэлектрик-полупроводник.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Изучение материала учебника по заданной теме. Подготовка к практическим занятиям с использованием методических рекомендаций преподавателя. Решение задач.
|
|
Раздел 2.
Полупроводниковые приборы.
|
25
|
|
Тема 2.1 Полупроводниковые диоды. Варикапы.
|
Содержание учебного материала
|
2
|
2
|
Устройство плоскостных и точечных диодов и их технология. Однополупериодная и мостовая схемы диодов. Вольт- амперная характеристика диодов, влияние температуры на характеристики для германиевых и кремниевых диодов. Параметры R пр., R обр., K. Предельно допустимые режимы работы. Маркировка полупроводниковых диодов.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Изучение материала учебника по заданной теме. Решение задач.
|
Тема 2.2
Кремниевые стабилитроны.
|
Содержание учебного материала
|
2
|
2
|
Свойства стабилитрона при подаче прямого и обратного напряжения.
Стабистор. Параметры стабилитрона : Uст., I min., I max., P max., r диф., R статич. Применение. Маркировка.
|
Практическое занятие 1.
|
2
|
2
|
Исследование кремниевого стабилитрона. Снятие характеристик и определение параметров.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Поиск информации по предложенной теме из различных источников. Выполнение индивидуальных заданий.
|
Тема 2.3
Биполярные транзисторы.
|
Содержание учебного материала
|
1
|
2
|
Работа транзистора в статическом и динамическом режиме. Режим насыщения и отсечки, где применяют эти режимы. Статические характеристики транзистора по схеме ОЭ: входные и выходные, первичные и вторичные параметры. Роль напряжения смещения на входе усилительного каскада. Основные параметры усилительного каскада:
коэффициент усиления, амплитудно – частотная характеристика, уровень помех, чувствительность.
|
Практическое занятие 2.
|
2
|
2
|
Исследование биполярного транзистора по схеме ОЭ в статическом режиме.
|
|
|
Практическое занятие 3.
|
2
|
2
|
Исследование усилительного каскада на биполярном транзисторе по схеме ОЭ.
|
|
|
Практическое занятие 4.
|
2
|
2
|
Расчет параметров биполярного транзистора и стабилитрона. Работа со справочником, нахождение характеристик и определение параметров данных приборов по характеристикам.
|
|
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Изучение материала учебника по заданной теме. Подготовка к практическим занятиям с использованием методических рекомендаций преподавателя.
|
Тема 2.4
Полевой транзистор.
|
Содержание учебного материала
|
1
|
2
|
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом с каналом n – типа. Назначение электродов, схема включения с общим истоком. Стоковые и стоко – затворные характеристики. Параметры – S – крутизна, Ri – дифференциальное сопротивление, - коэффициент усиления. МДП (МОП) транзисторы со встроенным каналом и индуцированным. Стоковые характеристики. Обозначения на схемах. Применение.
|
Практическое занятие 5.
|
2
|
2
|
Исследование полевого транзистора с управляющим р-н переходом.
|
|
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Подготовка к практическим занятиям с использованием методических рекомендаций преподавателя. Подготовка к зачету.
|
Тема 2.5. Тиристоры.
|
Содержание учебного материала
|
2
|
2
|
Четырёхслойная структура - p-n- p-n , типы тиристоров. Схемы включения динистора и тринистора. Физические процессы происходящие при подаче U прямого и Uобратного. Роль управляющего электрода. Виды вольт – амперных характеристик при разных значениях тока управления. Применение. Иметь представление о симметричных тиристорах.
|
|
Практическое занятие 6.
|
2
|
2
|
Исследование тиристоров. Снятие вольт- амперных характеристик при различных токах управления.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Подготовка к практическим занятиям с использованием методических рекомендаций преподавателя. Оформление практической работы.
|
|
Раздел 3.
Электронные лампы.
|
7
|
|
Тема 3.1
Виды электронной эмиссии. Электровакуумный диод и триод.
|
Содержание учебного материала
|
1
|
2
|
Виды электронной эмиссии: термоэлектронная, фотоэлектронная, электростатическая, вторичная электронная, эмиссия под ударами тяжелых частиц. Термокатод, анод и управляющая сетка – конструкция и назначение. Назначение диода, триода, схемы. Статические характеристики триода. Параметры.
|
Тема 3.2
Многоэлектродные лампы.
|
Содержание учебного материала
|
1
|
2
|
Конструкция тетрода, пентода, лучевого тетрода. Динатронный эффект и устранение его в многоэлектродных лампах. Характеристики ламп, параметры ламп.
|
Практическое занятие 7.
|
2
|
2
|
Исследование пентода.
|
Практическое занятие 8.
|
2
|
2
|
Исследование лучевого пентода.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Выполнение творческих работ. Подготовка к практическим занятиям с использованием методических рекомендаций преподавателя. Подготовка к зачету.
|
|
Раздел 4.
Полупроводниковые фотоэлектронные приборы.
|
6
|
|
Тема 4.1 Фоторезисторы и фотогальванические элементы.
|
Содержание учебного материала
|
1
|
2
|
Внутренний и внешний фотоэффект.
физические процессы, проходящие в фоторезисторе и в фотогальваническом элементе. Характеристики и параметры фоторезистора.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Изучение материала учебника по заданной теме.
|
Тема 4.2 . Фотодиоды. Фототранзисторы.
|
Содержание учебного материала
|
1
|
2
|
Конструкция фотодиодов. Фотодиодный и фотогальванический режимы работы фотодиода. Характеристики: вольтамперная, световая, спектральная. Параметры фотодиода в двух режимах работы. Конструкция и принцип действия фототранзисторов. Применение приборов.
|
Практическое занятие 9.
|
2
|
2
|
Исследование фотодиода в двух режимах работы.
|
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Выполнение творческих работ. Подготовка к практическим занятиям с использованием методических рекомендаций преподавателя
|
|
Раздел 5.
Устройства отображения информации.
|
10
|
|
Тема 5.1.
Буквенно-цифровые индикаторы.
|
Содержание учебного материала
|
1
|
2
|
Виды разрядов в газе: тлеющий и дуговой. Применение разрядов в приборах. Конструкция неоновой лампы, знаковых газоразрядных индикаторов, их принцип действия.
|
Тема 5.2.
Светодиоды. Оптоэлектронные приборы.
|
Содержание учебного материала
|
1
|
2
|
Плоская и полусферическая конструкция светодиода. Процессы при подаче прямого напряжения. Зависимость длины волны от материала. Цвет излучения. Характеристики и основные параметры светодиодов. Применение светодиодов в оптоэлектронике.
|
Практическое занятие 10.
|
2
|
2
|
Исследование индикаторных приборов: цифровых газоразрядных индикаторов и светодиодов.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Изучение учебной и специальной технической литературы (по вопросам к параграфам, главам учебных пособий). Выполнение индивидуальных заданий.
|
Тема 5.3.
Устройства отображения информации на электронно-лучевых трубках.
|
Содержание учебного материала
|
1
|
2
|
Устройство осциллографической электронно-лучевой трубки: электронный прожектор, экран трубки, отклоняющая система. Назначение всех электродов. Получение изображения на экране. ЭЛТ с магнитным управлением: роль фокусирующей катушки и магнитной отклоняющей системы. Маркировка трубок.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Изучение учебной и специальной технической литературы (по вопросам к параграфам, главам учебных пособий). Выполнение индивидуальных заданий.
|
Тема 5.4. Кинескопы.
|
Содержание учебного материала
|
2
|
2
|
Получение телевизионного изображения, получение растра. Роль модулятора. Конструктивные особенности кинескопов с использованием сложных электронных прожекторов. Ионные ловушки. Металлизированные экраны.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Изучение учебной и специальной технической литературы (по вопросам к параграфам, главам учебных пособий).
Поиск информации по предложенной теме из различных источников.
|
|
Раздел 6.
Основы микроэлектроники.
|
12
|
|
Тема 6.1. Интегральные схемы - качественно-новая электронная база
|
Содержание учебного материала
|
2
|
2
|
Дать понятие интегральной микросхемы. Преимущества микроэлектроники. Элементы и компоненты ИС. Активные и пассивные элементы. Степень интеграции микросхемы.
Классификация: 1) по технологии изготовления: полупроводниковая (ПИМС), гибридная (ГИМС), пленочная и совмещенная интегральная схема; 2) по характеру функционального назначения - аналоговые, цифровые и комбинированные. Система обозначений интегральных микросхем.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Изучение учебной и специальной технической литературы (по вопросам к параграфам, главам учебных пособий).
|
Тема 6.2. Гибридные интегральные микросхемы (ГИМС).
|
Содержание учебного материала
|
2
|
2
|
Основные конструктивные элементы: подложка, пленочные пассивные элементы, навесные элементы, корпуса для гибридных микросхем. Изготовление фотошаблонов и масок для получения пленочных пассивных элементов. Получение пленочных: резисторов, конденсаторов, индуктивных элементов. Навесные компоненты ГИМС.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Поиск информации по предложенной теме из различных источников.
|
Тема 6.3. Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС).
|
Содержание учебного материала
|
2
|
2
|
Технологии изготовления: планарно-диффузионная и планарно-эпитаксиальная технологии. Сборка и герметизация ПИМС, полупроводниковые БИС, этапы разработки и проектирование БИС.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Поиск информации по предложенной теме из различных источников.
|
Тема 6.4. Аналоговые и цифровые микросхемы.
|
Содержание учебного материала
|
2
|
2
|
Назначение аналоговых микросхем в качестве усилителей, генераторов гармонических колебаний.
Особенности дифференциальных усилителей. Положительная и отрицательная логика. Основные параметры логических микросхем. Простейшие логические операции И, ИЛИ, НЕ. Применение цифровых (логических) микросхем.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Изучение учебной и специальной технической литературы (по вопросам к параграфам, главам учебных пособий).
|
|
Раздел 7.
Импульсные устройства.
|
8
|
|
Тема 7.1
Виды импульсных сигналов.
|
Содержание учебного материала
|
2
|
2
|
Понятие «импульс». Виды видеоимпульсов: прямоугольный, пилообразный, экспоненциальный, треугольный, трапецеидальный, колоколообразный.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Изучение учебной и специальной технической литературы (по вопросам к параграфам, главам учебных пособий).
|
Тема 7.2
Параметры импульсных сигналов. Простейшие формирователи импульсных сигналов.
|
Содержание учебного материала
|
4
|
2
|
Диодные ключи - последовательная и параллельная схемы ключей. Передаточная характеристика. Преимущества транзисторных ключей перед диодными.
Режим отсечки и режим насыщения в транзисторном ключе. Применение в цифровых микросхемах.
|
Самостоятельная работа студентов
|
1
|
|
Выполнение творческих работ. Подготовка к итоговому зачету
|
|
Итоговый дифференцированный зачет
|
2
|
|
