Material science and technology

Скачать 1.6 Mb.

Название	Material science and technology
страница	2/19
Дата публикации	24.12.2014
Размер	1.6 Mb.
Тип	Документы

100-bal.ru > Химия > Документы

1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 19

Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. К вопросу обоснования оптической модели атома позитрония в ионных кристаллах // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.1. С.64-67.

Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н. О применении метода аннигиляции для исследования свойств полупроводниковых материалов при высоких давлениях // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1977. Вып.2. С.114-116.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в атомных полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1978. №7. С.152-153.

Батавин В.В., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. О форме спектров фотолюминесценции на глубоких примесных центрах сложного состава в арсениде галлия. М., 1978. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2367. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.

Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниковых соединениях GaAs и GaP // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. Вып.5. С.891-894.

Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях на поверхности и в нарушенных поверхностных слоях полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “6 Всесоюзное совещание по физике поверхностных явлений в полупроводниках”. Киев: Наукова Думка. 1977. С.88.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Воробьев С.А. Влияние температуры на позитронные аннигиляционные спектры дефектных ионных кристаллов // Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.118-120.

Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов в электронном материаловедении // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.35-39.

Арефьев К.П., Батавин В.В., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в эпитаксиальных слоях GaAs // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. С.803-806.

Прокопьев Е.П. Позитроний и его свойства в полупроводниках и щелочно-галоидных кристаллах // Химия высоких энергий. 1978. Т.12. Вып.2. С.172-174.

Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Этин Г.И. Анизотропия импульсного распределения электронов полупроводников по данным аннигиляции позитронов // Известия вузов. Физика. 1978. №7. С.153-155.

Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П., Кузнецов Ю.Н., Иванютин Л.А., Хряпов В.Т., Литош А.Г., Бочкарев С.Э. Исследование методом аннигиляции позитронов свойств глубоких акцепторных уровней в арсениде и фосфиде галлия // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1978. Вып.7. С.46-52.

Арефьев К.П., Воробьев С.А., Кузнецов Ю.Н., Маркова Т.И., Погребняк А.Д., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Взаимодействие позитронов с дислокациями в полупроводниках GaAs n-типа // Физика твердого тела. 1979. Т.21. Вып.1. С.278-280.

Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П., Погребняк А.Д. Исследование структурных дефектов (пленка-подложка) полупроводников методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов “5 Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов”. Новосибирск: Изд-во АН СССР, 1978. С.157.

Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Основы теории позитронных состояний в ионных кристаллах. М., 1978. 292 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”, Р-2382. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №14. 1978.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Арефьев В.П. О позитронных состояниях на поверхности и в дефектных поверхностных слоях полупроводников // Известия вузов. Физика. 1979. №7. С.71-75.

Варисов А.З., Арефьев К.П., Воробьев А.А., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Позитроны в конденсированных средах. М., 1977. 489 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2317. Сб. ВИМИ “ Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №9. 1978.

Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Почему в полупроводниках наблюдается одно короткое время жизни позитронов // ДАН СССР. 1978. Т.239. №5. С.1082-1085.

Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Рассеяние атомов позитрония на оптических фононах в ионных кристаллах. Термализация позитрония // Известия вузов. Физика. 1979. №5. С.66-70.

Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Этин Г.А., Погребняк А.Д. Исследование полупроводниковых материалов методом аннигиляции позитронов // В кн: Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Радиационные дефекты в твердых телах”. Ашхабад: Изд-во ТГУ, 1977. С.63.

Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Использование метода аннигиляции позитронов для исследования примесных и деформированных образцов GaAs // В кн: Тезисы докладов “8 Всесоюзная конференция по микроэлектронике”. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ, 1978. С.71.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Погребняк А.Д. Исследование аннигиляции позитронов в GaAs п-типа с различной плотностью дислокаций и в эпитаксиальных слоях // В кн.: Тезисы докладов “28 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1978. С.542.

Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Прокопьев Е.П. Некоторые особенности аннигиляции позитронов в соединениях А³В⁵ // В кн.: Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Физика соединений А³В⁵”. Л.: Изд.-во ЛПИ, 1978. С.43.

Прокопьев Е.П. О новом ядерно-физическом методе исследования свойств веществ // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.409.

Прокопьев Е.П. О возможности исследования поверхностных свойств полупроводников и процесса адсорбции атомов и молекул методом аннигиляции позитронов // Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания “Дефекты структуры в полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.258.

Прокопьев Е.П. О применении теории Райсса-Кауса к оптическим переходам и аннигиляции позитронов в полупроводниках с участием глубоких примесных центров // В кн.: Тезисы докладов 3 Всесоюзного совещания “Дефекты структуры в полупроводниках”. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1978. С.150.

Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в полимерах. М., 1978. 126 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2501. Сб. ВИМИ “Военная техника и экономика”. Сер. общетехническая. №24. 1978.

Аршакуни Р.Г., Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в иттрий-алюминиевом гранате, облученном жестким гамма-излучением // В кн.: Тезисы докладов “4 Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов”. Саласпилс, 1978. С.367.

Дружков А.П., Кузнецов В.П., Прокопьев Е.П., Чистяков Ю.Д. Исследования сверхпроводящих поликристаллических пленок ниобия и ГЭС ниобия на  - Al₂O₃ методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “20 Всесоюзное совещание по физике низких температур”. М.: Изд-во МГУ, 1979. Т.3. “Cверпроводимость”. С.77.

Дружков А.П., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Исследование аннигиляции позитронов в кремнии, содержащем дефекты, возникающие в процессе эпитаксиального наращивания пленок // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. С.200-202.

Прокопьев Е.П. Комплексы Уилера в полупроводниках. М., 1979. 12 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2757. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №28. 1979. Сер. “ЭР”.

Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии широкозонных полупроводников // Тезисы докладов “3 Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам”. Л.: Изд-во ЛЭТИ, 1978. С.32.

Прокопьев Е.П. К теории аннигиляционного распада позитронных и позитрониевых состояний внутри разупорядоченных областей (РО) и других макродефектах в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “29 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1979. С.499.

Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Кузнецов Ю.Н., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном атомами переходных элементов // Физика и техника полупроводников. 1979. Т.13. С.1810-1815.

Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в соединениях A²B⁶ // Физика твердого тела. 1979. Т.21. С.2452-2454.

Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов и атома позитрония в разупорядоченных областях и других макродефектах в полупроводниках. М., 1979. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2648. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №19. 1979. Сер.”ЭР”.

Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование методом аннигиляции позитронов полупроводниковых соединений // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1979. Вып.5. С.62-66.

Прокопьев Е.П. Аннигиляционный распад связанных позитронных и позитрониевых состояний на донорно-акцепторных парах в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.555.

Прокопьев Е.П., Батавин В.В., Хашимов Ф.Р. О механизме захвата позитронов 60⁰ дислокациями в полупроводниках п- и р-типа // В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.145.

Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Мокрушин А.Д., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Трехквантовая аннигиляция позитронов в полупроводниковых соединениях фосфиде и арсениде галлия // Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.143-144.

Дружков А.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в автоэпитаксиальных структурах (АЭС) кремния // В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.122-123.

Прокопьев Е.П. Введение в теорию позитронных процессов в полупроводниках и ионных кристаллах. М., 1979. 384 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2837. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №27. 1980. Сер.”ЭР”.

Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в алмазоподобных полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.553.

Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Влияние Оже-процессов на аннигиляционный распад комплексов Уилера в полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.556.

Прокопьев Е.П. Об аннигиляционном распаде позитронных и позитрониевых состояний в сильно компенсированных полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.554.

Батавин В.В., Дружков А.П., Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д,, Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование дефектов в эпитаксиальных структурах кремния, возникающих в процессе термообработки, методом аннигиляции позитронов // Микроэлектроника. 1980. Т.9. С.120-122.

Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Бадру Киссека, Куприянова Р.М. Аннигиляция позитронов в халькогенидных полупроводниковых материалах // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. Вып.7. С.1271-1275.

Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии полупроводников // В кн.: “Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. 2-е Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам. Ленинград, 1979”. Л.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 1979. С.265-269.

Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Разумовская И.В., Григорович С.М. Аннигиляция позитронов в кристаллах со структурой граната // Физика твердого тела. Т.22. Вып.4. С.1252-1253.

Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positron- and positronium atom-phonon scatterring in ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. Lake Yamanaka. Japan 8-11 april. 1979. NL-21. P.208.

Varisov A.Z., Prokopiev E.P., Kuznetsov Yu.N. The foundations of positronics of real ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. Lake Yamanaka. Japan. 8-11 april. 1979. NL-22. P.208.

Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Филипьев А.И. Физика и химия превращений позитронов и позитрония в полимерах // Успехи химии. 1980. Т.50. Вып.4. С.1892-1922.

Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Исследование трехквантовой аннигиляции позитронов в полупроводниках GaP и GaAs // Украинский физический журнал. 1980. Т.25. С.1396-1398.

Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Особенности магнитного тушения позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.75-78.

Прокопьев Е.П. Исследование механизма захвата 60-градусными дислокациями в полупроводникапх п- и р-типов атомов пара-Ps. Определение параметров 60-градусных дислокаций // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1980. Вып.1. С.71-74.

Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в области р-п перехода в кремнии // Известия АН Армянской ССР. Физика. 1980. Т.14. С.1414-1418.

Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.569.

Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О рассеянии позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках. Время термализации позитрона при низких температурах // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.568.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Минаев В.С., Семенов Ю.С., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных материалах тройных систем Tl-Ge-Te и Tl-Si-Te // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. С.1904-1907.

Арефьев К.П., Боев О.В., Прокопьев Е.П. Влияние экранирования свободными носителями на свойства атома позитрония в реальных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.2089. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3135. М., 1981. 6 с.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Нурмагамбетов С.Б. Комплексы Уилера в кристаллах // Известия вузов. Физика. 1981. №4. С.16-17.

Халваши Х.Т., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов // Известия вузов. Физика. 1981. №4 . С.16-17.

Прилипко В.И., Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция - новый неразрушающий метод контроля качества материалов // Электронная промышленность. 1980. №11-12. С.20-22.

Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р., Гарнак А.Е., Дементьев Ю.С. Анализ дефектности стандартных пластин кремния методом аннигиляции позитронов // Журнал технической физики. 1981. Т.51. С.1938-1941.

Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузьмин А.А. Исследование эпитаксиальных структур КНС и подложек сапфира методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.2. С.32-34.

Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983. 88 с.

Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений, возникающих при облучении протонами GaAs п-типа, методом позитронной аннигиляции // Физика твердого тела. 1981. Т.23. Вып.1. С.211-214.

Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов в твердых телах // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.556.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Исследование примесных атомов в полупроводниковых кристаллах методом аннигиляции позитронов // Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.552.

Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в реальных полупроводниках // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. М.: Энергоатомиздат, 1982. Т.11. С.236-238.

Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в полупроводниковых соединениях A³B⁵, облученных гамма-квантами и протонами, методом позитронной аннигиляции. Препринт ИТЭФ-133. М.: Изд-во ОНТИ ИТЭФ, 1980. 18 с.

Арефьев К.П., Блецкан Н.И., Кузнецов П.В., Прокопьев Е.П. Захват позитронов радиационными дефектами в Si п- и р-типа // Физика твердого тела. 1981. Т.23. С.1542-1545.

Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. К вопросу определения зарядовых состояний атомов кислорода в кремнии методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1981. Вып.3. С.95-97.

Прокопьев Е.П. О природе позитронных состояний в кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.9. С.47-48.

Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Исследование дефектной структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.601.

Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.: Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.87-89.

Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Рассеяние позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках. Время термализации позитронов при низких температурах // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.: Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.82-84.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Дерябин А.Н., Хряпов В.Т. Исследование примесных атомов в полупроводниковых соединениях A³B⁵ методом позитронной аннигиляции // Физика и техника полупроводников. 1982. Т.16. Вып.1. С.147-149.

Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном медью // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. Вып.11. С.27-28.

Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном марганцем // Физика и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.708-711.

Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. К теории термализации позитронов в веществах // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1980. Т.7. С.141-146.

Прокопьев Е.П. О влиянии дефектов структуры тригонального селена на степень локализации позитрония и анализ его дефектности // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.11. С.48-50.

Прокопьев Е.П. Исследование процессов физической адсорбции и хемосорбции с помощью медленных позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике”. М.: Наука, 1981. С.314-315.

Прокопьев Е.П. Исследование поверхности полупроводниковых материалов с помощью медленных позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике”. М.: Наука, 1981. С.313.

Арефьев К.П., Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Цой А.А. К вопросу исследования стеклообразного состояния методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы докладов “7 Совещание по стеклообразному состоянию”. Л.: Изд-во АН СССР, 1981. С.46.

Арифов П.У., Прокопьев Е.П., Арутюнов Н.Ю. К вопросу исследования дефектов структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Самарканд: Наука, 1981. С.601.

Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Особенности аннигиляции медленных позитронов в металлах и образование атома позитрония // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.63-64.

Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Аннигиляция позитрония в ионных кристаллах // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.65-68.

Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. Природа магнитного тушения позитрония в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.515.

Арефьев К.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Этин Г.И., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Куприянова Р.М., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных As₂S₃ и As₂Se₃ // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. Вып.11. С.2163-2166.

Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А., Арефьев К.П. Применение позитронной аннигиляции в качестве неразрушающего метода контроля качества материалов // Известия вузов. Физика. 1982. №5. С.40-43.

Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.514.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках по методу Фока // Межвузовский сборник научных работ. Тбилиси: Изд-во ТГПИ им. А.С.Пушкина. 1982. С.50-54.

Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю. Исследование подложек фосфида галлия, легированных медью, методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “6 Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок”. Новосибирск: ИНХ СО АН СССР, 1982. С.67-68.

Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в германии и кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.8. С.75-76.

Прокопьев Е.П. Исследование позитронсодержащих атомов и ионов методом Хартри-Фока. М., 1982. 32 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3413. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №17. 1982. Сер.”О”.

Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in Ge-Te semiconductors by the positron annihilation technique // Phys. status solidi (a). 1982. V.73. №2. P.321-324.

Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества материалов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. С.36-37.

Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in semiconductors by positron annihilation technique // Proc. of the internat. conf. “Amorphous Semiconductors” - 82. Bucharest. 30 august - 4 semtember, 1982. P.189-191.

Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Influence of Tl small admixtures on the structure of glassy As-S-Se semiconductors (Positron annihilation technique) // Proc. of the internat. conf. “Amorphous Semiconductors” - 82. Bucharest. 30 august - 4 semtember, 1982. P.191-193.

Прокопьев Е.П. О новых методах исследования материалов электронной техники с помощью позитронной аннигиляции // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.1. С.72-73.

Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю. Аннигиляция позитронов в GaP, легированном атомами Mn и Cu // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука. С.591.

Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в кристаллах. М., 1982. 138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №8. 1983. Сер.”ЭР”.

Прокопьев Е.П. О динамике позитрония и позитронов в кристаллах // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.8. С.29-30.

Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях металлов // В кн.: “Радиационные дефекты в металлах. Материалы 2 Всесоюзного совещания. Алма-Ата. 1980”. Алма-Ата: Наука, 1981. С.59-62.

Прокопьев Е.П. Исследование технически важных материалов с помощью медленных позитронов. М., 1982. 64 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. №16. Сер.”ЭР”.

Прокопьев Е.П. Ps-поляроны в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “33 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука. 1983. С.557.

Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О модели Фрелиха поляронного состояния позитрона в кристалле // В кн.: Тезисы докладов “33 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Л.: Наука. 1983. С.543.

Прокопьев Е.П. Исследования позитронных процессов в кристаллах. М., 1982. 60 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. Сер.”ЭР”.

Арефьев К.П., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Применение метода аннигиляции позитронов для определения параметров точечных дефектов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1983. №8. С.117-118.

Прокопьев Е.П. Ps, локализованный в кристалле. М., 1983. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3634. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. №9. Сер.”О”.

Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Microstructure and Imperfections of Glassy and Glass-Ceramic Telluride Semiconductors on the Bases of Positron Annihilation // Phys. status solidi (a). 1983. V.78. №2. P.385-389.

Прокопьев Е.П. Позитроний в кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “34 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1984. С.529.

Прокопьев Е.П., Тарасов В.Д., Фокина Л.А., Шантарович В.П. Исследование квазиатомных систем позитрон-анион в полярных веществах. М., 1984. 23 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3845. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №9. Сер.”О”.

Прокопьев Е.П. О механизмах переноса позитрония в кристалле // В кн.: Тезисы докладов “34 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1984. С.530.

Прокопьев Е.П. Некоторые проблемы позитронной аннигиляции в веществах. М., 1984. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №11. Сер.”О”.

Прокопьев Е.П. Исследование свойств позитрония в кристаллах. М., 1984. 30 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3826. 30 с. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №8. Сер.”О”.

З.Р.Абдурасулев, П.У.Арифов, Н.Ю.Арутюнов, С.Н.Вассерман, А.Р.Группер, Н.Н.Емелин, Г.И.Журавлева, П.А.Кебель, Ю.П.Кочерга, М.В.Кремков, Ф.Ли, В.М.Мальян, А.А.Пайзиев, В.А.Пикут, Е.П.Прокопьев, С.А.Скопинов, С.А.Тишин, С.В.Шевелев, А.В.Шевченко. Методы позитронной диагностики и расшифровки спектров аннигиляции позитронов. Ташкент: Изд-во «ФАН», 1985. 312 с.

Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на нейтральных атомах. М., 1984. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3973. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №4. Сер.”МФ”.

Прокопьев Е.П. Исследование модели оптического позитрона. М., 1984. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3974. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №4. Сер.”МФ”.

Прокопьев Е.П. Позитронные примесные центры в кристаллах. М., 1984. 31 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3897. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №30. Сер.”ЭР”.

Прокопьев Е.П. О позитронных поляронах в ионных кристаллах. М., 1985. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4071. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №7. Сер.”МФ”.

Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы позитронной метрики полупроводников и наращивания полупроводниковых слоев. М., 1985. 30 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.

Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на атомах и отрицательных ионах // В кн.: Тезисы докладов “35 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1985. С.528.

Прокопьев Е.П. Позитронные процессы в молекулярных веществах // В кн.: Тезисы докладов семинара “Позитронная аннигиляция в твердых телах”. Киев: Ин-т металлофизики АН УССР, 1985. С.5.

Прокопьев Е.П. К вопросу аннигиляции позитронов и атома позитрония в анизотропных слоях полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “36 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1986. С.562.

Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония и перспективы ее развития // В кн.: Межвузовский сборник научных трудов. Тбилиси: ТГПИ им. А.С. Пушкина, 1984. С.152-157.

Прокопьев Е.П., Урбанович С.А. Позитроний в газе фононов // Весцi АН БССР. Серия физико-математических наук. 1987. №5. С.92-94.

Прокопьев Е.П., Тимошенко В.И., Хашимов Ф.Р. Времена жизни фейнмановских позитронных поляронов в ионных кристаллах // Известия вузов . Физика. 1985. №8. С.92-94.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Френкелевская модель атома позитрония малого радиуса. М., 1988. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4939.

Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на А-центрах в кремнии // Тезисы докладов“37 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1987. С.591.

Гребинник В.Г., Гуревич И.И., Жуков В.А., Кузнецов Ю.Н., Маныч А.П., Марков Е.В., Никольский Б.А., Пирогов А.В., Пономарев А.Н., Прокопьев Е.П., Селиванов В.И., Суэтин В.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Деполяризация мю-мезонов в полупроводниках CdS и ZnS // Препринт. ИАЭ-3019. Москва, 1978. 13 с.

Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов в электронном материаловедении методом позитронной аннигиляции // Программа и тезисы докладов “Всесоюзная школа по физики-химическим основам электронного материаловедения”. Ашхабад: ТГУ. 1977. С.3.

Прокопьев Е.П. Атом позитрония в РО полупроводников // В кн.: Тезисы докладов 37 Совещания “Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра”. Л.: Наука, 1987. С.595.

Арефьев К.П., Кузнецов Ю.Н., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Применение метода аннигиляции позитронов для изучения радиационных нарушений быстрыми протонами в Si, GaAs n-типа // В кн.: Тезисы докладов “Широкозонные материалы для полупроводниковых детекторов ядерного излучения”. Новосибирск: ИЯФ СО АН СССР, 1980. С.3.

Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях металлов // В кн.: Тезисы докладов 2 Всесоюзного совещания “Радиационные дефекты в металлах”. Алма-Ата: ИЯИ АН КазССР, 1980. С.5.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом позитронной аннигиляции электронной структуры и дефектности монокристаллов полупроводниковых соединений A²B⁶ // Отчет ТПИ . № гос. регистрации 78048301. Томск: ТПИ. 1979. 1979. 60 с.

Дружков А.П., Петров С.В., Прокопьев Е.П. Исследование эпитаксиальных и ионно-имплантированных структур кремния методом аннигиляции позитронов // Приложение к отчету НИИМВ. Инв. №3635. 1980. 70 с.

Прокопьев Е.П. Об использовании энергии аннигиляции для передачи информации в космическом пространстве. М., 1980. 6 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника. Р-2993.

Прокопьев Е.П. О роли исследования аннигиляции медленных позитронов и антипротонов в веществе в целях возможности создания аннигиляционных двигателей в космической технике будущего // Программа и доклад на 9 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1979.

Прокопьев Е.П. О проблеме использования антиводорода в космической технике будущего. М., 1980. 4 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-2994.

Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в монокристаллах GaP, облученных протонами, методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.110. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.

Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. О проблеме определения зарядовых состояний кислорода в кремнии методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.111. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.

Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование влияния дефектной структуры монокристаллов полупроводников, выращенных в условиях микрогравитации, на импульсное распределение валентных электронов методом аннигиляции позитронов // Тезисы доклада и доклад на 11 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1981.

Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры монокристаллов методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.40. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов электронной структуры и дефектности монокристаллов полупроводниковых соединений A²B⁶ // Отчет ТПИ. № гос. регистрации 780483301. Томск: ТПИ. 1980. 60 с.

Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов из связанных состояний квазиатомных систем позитрон-анион // Доклад на 3 Всесоюзном совещании по квантовой химии. Кишинев: КГУ, 1963.

Иванова А.В., Прокопьев Е.П. Исследование аннигиляции и радиационных процессов в гидридах щелочных металлов методом Хартри-Фока // Доклад на 4 Всесоюзном совещании по квантовой химии. Киев: Наукова Думка, 1966.

Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в ионных кристаллах. М., 1985. С.6-10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.

Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Позитроника дефектов в полупроводниках. М., 1982. С.113. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.

Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. О новом механизме аннигиляции позитронов в металлах. М., 1982. С.115. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3475.

Комлев В.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Рыгылина Е.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование аннигиляции позитронов в кристаллах антимонида индия, выращенных на борту орбитальной станции “Салют-6” // Доклад на 11 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1981.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках по методу Фока. М., 1982. С.33-38. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3534.

Бартенев Г.М., Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Цыганов А.Д. Атом позитрония в ионных кристаллах // Доклад на 6 Всесоюзном семинаре “Экситоны в кристаллах”. Черноголовка: ИФТТ АН СССР, 1970.

Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории вселенной. Модель анизотропного минисуперпространства. М., 1992. С.91-95. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482. Доклад на международном совещании по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Минск,1991.

Прокопьев Е.П. О возможности рождения вселенной посредством квантового туннелирования. М., 1992. С.90. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5482.

Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически важных материалов. М., 1982. С.23. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-3534.

Батавин В.В., Комлев В.П., Марков Е.В., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Исследование кристаллов антимонида индия, выращенных в условиях невесомости, и состояния кислорода в кремнии методом позитронной аннигиляции. М., 1982. С.127. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.

Прокопьев Е.П. Об исследовании технически важных материалов методом аннигиляции позитронов. М., 1985. С.3-10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.

Прокопьев Е.П. О проекте использования аннигиляционных источников энергии. М., 1982. С.118-126. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475.

Прокопьев Е.П. О применении позитронной томографии для иследования дефектов структуры технически важных материалов. М., 1982. С.24-27. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Свойства позитронов и атома позитрония в ионных кристаллах. М., 1982. С.32. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П. Применение позитронной томографии для исследования дефектов структуры технически важных материалов // Тезисы докладов “13 Гагаринские чтения”. М.: ИПМ АН СССР, 1983. С.38.

Батавин В.В., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование методом аннигиляции позитронов состояния кислорода в кремнии. М., 1982. С.39. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Новый метод исследования поверхности материалов с помощью медленных позитронов. М., 1982. С.28-31. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П. Использование метода аннигиляции позитронов для определения энтальпий образования вакансий в полупроводниках. М., 1982. С.14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Динамика позитрона и позитрония в кристаллах // Доклад на сессии Ученого совета ИФИ АН АрмССР. Аштарак. 1982.

Прокопьев Е.П. Исследование методом аннигиляции позитронов искусственного графита, используемого в ядерной энергетике. М., 1982. С.45. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П. Исследование полимерных и металлоорганических пленок методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.46. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П. О квантовополевой теории Вселенной. Модель анизотропного минисуперпространства // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 41 Международного совещания. Л.: Наука, 1991. С.454.

Прокопьев Е.П. Применение метода аннигиляции позитронов для исследования частиц ультрамалых размеров. М., 1982. С.47. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П. Квантовополевая теория Вселенной. Обзор. М., 1991. 34 с. - Деп. в ВИНИТИ. 15.03. 91. №1133-В91.

Прокопьев Е.П. Об использовании метода аннигиляции позитронов в качестве метода контроля в проблемах экологии. М., 1982. С.48. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П. Связанные состояния позитронов на вакансиях металлов. М., 1982. С.49.- Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Общие проблемы исследования стеклообразного состояния методом аннигиляции позитронов. М., 1982. С.50. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П. К вопросу о классификации и свойствах позитронных состояний в ионных кристаллах. М., 1982. С.51-54. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П. Представление с помощью диаграмм Фейнмана спонтанного и индуцированного испускания и поглощения фононов позитронием в кристалле. М., 1982. С.55. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П. Применение метода функций Грина к решению задач позитронных процессов в кристалле. М., 1982. С.56. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П. Эффективное взаимодействие между электронным и позитронным поляронами. Атом позитрония в полярных кристаллах. М., 1982. С.57-59. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П. Исследование окисных пленок и пленок нитрида кремния с помощью медленных позитронов. М., 1982. С.60. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534.

Прокопьев Е.П. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония. М., 1982. С.50-52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.

Прокопьев Е.П. О проблеме получения интенсивных потоков позитронов. М., 1982. С.53-54. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.

Прокопьев Е.П. Особенности действия позитронной радиации на технически важные материлы. М., 1982. С.55. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3556.

Прокопьев Е.П. Об аннигиляционных гразерах. М., 1982. С.57. - Деп. в ЦНИИ ”Электроника”. Р-3556.

Прокопьев Е.П. Программа исследований радиационных дефектов в металлах, полупроводниках, полимерах и других высокомолекулярных веществах с помощью позитронной диагностики. М., 1982. С.58. - Деп в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556.

Прокопьев Е.П. Программа исследований материалов электронной техники с помощью позитронной диагностики. М., 1982. С.59-60. Р-3556.

Прокопьев Е.П. Программа исследований адсорбентов и катализаторов методом позитронной диагностики. М., 1982. С.56. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556.

Прокопьев Е.П. О познании сложных систем. I . Квантовополевая теория анизотропной вселенной. М., 1991. С.30-34. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5436.

Прокопьев Е.П. Применение модели гармонического осциллятора для расчета свойств позитронных центров окраски в кристаллах. М., 1983. С.9. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3634.

Прокопьев Е.П. К вопросу позитронной метрики дефектов структуры твердого тела. М., 1985. С.12-17. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.

Прокопьев Е.П. Космические энергетические проблемы в свете современных достижений физики высоких энергий. М., 1983. С.10-11. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3634.

Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества технически важных материалов. М., 1984. С.14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории электронного материаловедения. М., 1984. С.14. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3870.

Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках методом аннигиляции позитронов. М., 1983. С.12-14. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

Прокопьев Е.П. Ps в полупроводниках A²B⁶. М., 1984. С.4-5. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

Кобрин Б.В., Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Аннигиляция позитронов в халькогенидных стеклообразных полупроводника. М., 1984. 37 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3924.

Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод исследования поверхности. М., 1984. С.10. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

Прокопьев Е.П. Тяжелые комплексы Уилера в ЩГК. М., 1984. С.2-4. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

Прокопьев Е.П. Квазиатомные системы е⁺F^- во фторидах щелочных металлов. М., 1984. С.6-8. - Деп. в ЦННИ”Электроника”. Р-3870.

Прокопьев Е.П. Обзор современных достижений в физике атома позитрония. М., 1984. С.1-2. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

Прокопьев Е.П. Исследование сложных систем на примере стохастических моделей химических реакций в твердых телах и модели Минна рождения и эволюции вселенной и/или вселенных. М., 1992. 29 с. - Деп. в ВИНИТИ. 06.04.92. №1162-В92.

Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в технически важных материалах методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “14 Гагаринские чтения”. М.: ИПМ АН СССР, 1984. С.77.

Prokop’ev E.P. “Gas” of Universes and Eternity. М., 1994. С.96-101. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.

Прокопьев Е.П. “Газ” вселенных и вечный Мир. М., 1995. С.142-149. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле. I. М., 1994. С.130-138. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.

Прокопьев Е.П. О поверхностных состояниях на границе раздела полупроводник-металл. М., 1985. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4290.

Прокопьев Е.П. О позитронии Френкеля. М., 1985. С.17-18. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.

Прокопьев Е.П. Динамика позитронов в идеальных кристаллах. М., 1995. С.63-72. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на анионах в полярных веществах. М., 1985. С.19-20. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164.

Прокопьев Е.П. Комплексы Ex-Ps в молекулярных кристаллах. М., 1984. С.5-6. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

Прокопьев Е.П. Позитронная томография. Физические основы. Применения. М., 1984. С.10-11. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870.

Прокопьев Е.П. Теория позитронных примесных центров малого радиуса в ионных кристаллах. М., 1995. С.89.- Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

Прокопьев Е.П. Вычислительная томография в электронном материаловедении // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1987. Вып.1. С.78-80.

Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковой квантовой яме и сильном магнитном поле. М., 1995. С.90-97. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р - 5501.

Прокопьев Е.П. Времена жизни магнитопозитрония в полупроводниковых квантовых ямах. М., 1995. С.98-107. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х^-е⁺ и Х⁼е⁺ в ионных средах: развитие модели оптического позитрона. Эффективные заряды анионов. М., 1995. С.121-129. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5501.

Shantarovich V.P., Kobrin B.V., Prokopiev E.P. Positron Annihilation in chalcogenids Glassy Semiconductors // The Report on “Sixteen Polish Seminar on Positron Annihilation”. Pechoviche, 4-8 october , 1983.

Прокопьев Е.П. Соединения позитрония Х^--е⁺ в ионных кристаллах: развитие модели оптического позитрона. Эффективные заряды анионов. 1. М., 1995. С.109-119. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в полупроводниковом шаре. М., 1995. С.132-140. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-5501.

Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах. I . М., 1995. С.149-164. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах. М., 1995. С.150-164. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. К вопросу определения эффективных зарядов атомов по данным фотоэлектронной и оже-спектроскопии // В кн.: Тезисы докладов 9 Всесоюзной научно-технической конференции “Локальные рентгеноспектральные исследования и их применения”, 10-13 сентября 1985 г. Устинов: ФТИ УНЦ АН СССР, 1985. С.111-112.

Агафонов А.В., Лукичев А.В., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Определение эффективных зарядов атомов по данным фотоэлектронной и оже-спектроскопии // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1986. Вып.1. С.3-5.

Прокопьев Е.П. Исследования в области физики медленных позитронов. Позитронная аннигиляция - новый метод изучения строения вещества. М., 1986. 86 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4367. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”ИМ”. №12. 1987.

Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Исследование времен жизни позитронов в полупроводниках А³В⁵ // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1990. Вып.7. С.60-61.

Прокопьев Е.П. Термализация позитронов и атома позитрония в молекулярных вществах. М., 1987. 10 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4419. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.

Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в анизотропных слоях полупроводников. М., 1987. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4420. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.

Прокопьев Е.П. Элементарная теория атома позитрония в веществах. М., 1987. 8 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-4421. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №27. 1987.

Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесных атомах щелочных металлов в кристаллах. М., 1987. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4625. Сб. реф. деп. рукописей. 1986. Вып.1.

Прокопьев Е.П. О позитрониевых состояниях в полупроводниках. М., 1987. 10 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4474. Сб. реф. НИОКР, обзоров, переводов и деп. рукописей. Сер.”РТ”. №47. 1987.

Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований электронной и дефектной структуры ВТСП // Прогр. и доклад на 1 Всесоюзном совещании “Физикохимия и технология высокотемпературных сверпроводящих материалов”. М. ИМЕТ АН СССР, 1988. С.34.

Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в высокотемпературных сверхпроводящих материалах. М., 1989. 29 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5090. Электронная техника. Сер.6. Материалы Вып.3. С.2.

Прокопьев Е.П. Определение энтальпий образования вакансий в полупроводниках позитронным методом // В кн.: Тезисы докладов 4 Всесоюзной конференции “Термодинамика и материаловедение полупроводников”. М.: Изд-во МИЭТ, 1989. С.5.

Прокопьев Е.П. О применениях метода аннигиляции позитронов для исследований электронной и дефектной структуры ВТСП // В кн.: Физикохимия и технология высокотемпературных сверхпроводящих материалов. М.: Наука, 1989. С.474-475.

Прокопьев Е.П. О позитронных состояниях в кремнии. М., 1989. 60 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5154. Электронная техника. Сер.6. Материалы. Вып.4. С.78.

Прокопьев Е.П. Исследование кремния, содержащего дефекты и кислород, методом аннигиляции позитронов. М., 1989. 37 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5472. Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1989. Вып.4. С.78.

Прокопьев Е.П. Физически адсорбированный атом позитрония на поверхности твердых тел // В кн.: Тезисы докладов 4 семинара “Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников”. Новосибирск: ИФП СО АН СССР,1989. С.9.

Прокопьев Е.П. Позитроний и позитронная аннигиляция в твердых телах // Программа и доклад на семинаре “Позитронная аннигиляция в твердых телах”. Киев: ИМФ АН УССР, 1989. С.1.

Прокопьев Е.П. Модифицированная модель оптического позитрона // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания. Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.501.

Заболотный В.Д., Матяш П.П., Прокопьев Е.П. Времена жизни позитронов в InP, InSb и GaAs // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания . Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.502.

Прокопьев Е.П. Определение эффективных зарядов атомов кислорода в ВТСП материалах позитронным методом // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 39 совещания. Ташкент, 18-21 апреля 1989. Л.: Наука, 1989. С.503.

Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в ионных средах и оптическая модель позитрона // Известия вузов. Физика. 1990. №5. С.52-56.

Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и высокотемпературная сверхпроводимость // Химия высоких энергий. 1990. Т.24. №3. С.278-280.

Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия вещества и антивещества. Нерелятивистская теория. М., 1990. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5313. Электронная техника. Сер.11. 1990. Вып.2. С.6.

Прокопьев Е.П. Исследование параметров дефектов в a-Si:H позитронным методом. М., 1990. С.34. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.

Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных состояний в полупроводниках. М., 1990. С.52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.

Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на Н-связях в a-Si:H. М., 1990. С.35. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.

Прокопьев Е.П. Общие принципы взаимодействия атомов с антиатомами. Нерелятивистская теория. М., 1990. С.37. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.

Прокопьев Е.П. Исследование дефектов структуры ВТСП материалов методом позитронной аннигиляции. М., 1990. С.36. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.

Прокопьев Е.П. О процессе аннигиляции позитронов в галактической среде с низкой плотностью. М., 1990. С.39. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5413.

Прокопьев Е.П. Диффузионно-аннигиляционная модель распада позитронных состояний на сферических дефектах в металлах // Письма в ЖТФ. 1990. Т.16. Вып.24. С.6-10.

Прокопьев Е.П. Взаимодействие вещества и антивещества: системы

1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 19

	Диссертации: «Формирование профессиональной общности работников сферы... Европейский Университет в Санкт-Петербурге, Факультет политических наук и социологии, PhD (Major: Science and Technology Studies;...		For reading science and technology «Холодильная, криогенная техника и кондиционирование», 150400 «Технологические машины и оборудование», 220301 «Автоматизация технолгических...
	There is no national science just as there is no national multiplication... А. Kozhevnikova, Assoc. Prof of the Department of English for Humanities (Samara State University), Member of Board of Experts for...		Tsinghua Science and Technology Наука и техника университета Цинхуа Статьи включают исследования, проводимые преподавателями Университета Цинхуа и других китайских университетов, ученых Китайской академии...
	Программа по формированию навыков безопасного поведения на дорогах... Ключевые слова: 3d studio max, материал, Material, проецирование, текстурирование, uvw map, mapping coordinates		Урок английского языка по теме «Путешествие в Лондон», 6 класс ...
	Historical digression creation of mmwt kovert technology Программа отборочного этапа конкурса на получение подрядов на выполнение проектных и строительных работ		Poqutec (Power Quality and Technology), Ltd Эксклюзивные представители Финской компании на Территории России, по поставке Гриль-домиков и Гриль-беседок
	Май Июнь Июль Авг. Сент. Окт. Ноя дек Всего 2010 Science		Урок информатикая В англоязычных странах этому термину соответствует синоним computer science (наука о компьютерной технике)
	Information technology. Security techniques. Methodology for it security evaluation Информационная технология. Методы и средства обеспечения безопасности. Методология оценки безопасности информационных технологий		But in science the credit goes to the man who convinces the world,...
	Патентам и товарным знакам (19) Ялта, Крым, Украина, 25-31 августа 2009, с. 214-215. Shoenfelder c. W. At all, Kinetics of thermal decomposition ofTiH2, Journal...		Химия и технология топлив и масел. 2002. No C. 26-29. Chemistry and... Долговременная (до месяцев) «память» об условиях формирования эмульсий обусловлена прочностью пространственных структур, содержащих...
	Рабочая программа учебной дисциплины «Management», qualification (degree) to be earned – Master of Science in Goods management. Full-time program		Доклад на тему: «Здоровьесберегающие технологии в школе» Об актуальности такого подхода к образованию – технологического, с которым методисты, педагоги обращаются к новым для них понятиям...

Material science and technology

Похожие: