Учебно-методический комплекс дисциплины химия радиоматериалов Специальность 210405. 65 Радиосвязь, радиовещание и телевидение Форма подготовки очная/заочная Инженерная школа двфу кафедра «Электроники и средств связи»
Скачать 383.75 Kb.
|
| 2 | Полупроводниковые материалыКлассификация полупроводниковых материалов. Элементарные полупроводники.Полупроводниковые соединения типа АIII ВV: кристаллическая структура и химическая связь соединений типа АIII ВV; диаграммы состояния систем типа АIII ВV; поведение примесей в соединениях типа АIII ВV; твердые растворы АIII ВV – АIII ВV; методы получения соединений типа АIII ВV; применение соединений типа АIII ВV и их твердых растворов.Полупроводниковые соединения типа АII ВVI: основные свойства соединений типа АII ВVI; кристаллическая структура и химическая связь соединений типа АII ВVI; диаграммы состояния систем типа АII ВVI; влияние точечных дефектов на электрофизические свойства соединений типа АII ВVI; твердые растворы АII ВVI – АII ВVI; методы получения соединений типа АII ВVI; применение соединений типа АII ВVI и их твердых растворов.Тройные полупроводниковые соединения: тройные полупроводниковые соединения – аналог АIII ВV; тройные полупроводниковые соединения – аналогии АII ВVI. | |||||||||||||||||
| 3 | Диэлектрические материалыДиэлектрическое состояние веществ. Применение диэлектрических материалов в микроэлектронике.Стеклообразные диэлектрические материалы: физико-химическая природа стекла; стеклообразование; оксидные стекла; халькогенидные стекла; стеклообразные пленки.Стеклокерамические диэлектрические материалы: физико-химическая природа стеклокерамики; стеклокерамический процесс; стеклокерамические системы.Керамические диэлектрические материалы: общая характеристика керамики; спекание керамики; основные виды керамических материалов, их свойства и физико-химические основы производства.Сравнительная характеристика физико-химических свойств неорганических диэлектрических материалов: микроструктура и плотность; теплофизические свойства; электрофизические свойства.Твердые и жидкие органические диэлектрические материалы. | |||||||||||||||||
| 4 | Магнитные материалыОбщие сведения о магнетизме. Классификация веществ по магнитным свойствам. Природа ферромагнитного состояния. Процессы при намагничивании ферромагнетиков. Влияние температуры на магнитные свойства ферромагнетиков. Поведение ферромагнетиков в переменных магнитных полях. Особенности ферромагнетиков. Классификация магнитных материалов. Магнитомягкие материалы для постоянных и низкочастотных магнитных полей. Магнитомягкие высокочастотные материалы. Магнитные материалы специального назначения. Магнитотвердые материалы. | |||||||||||||||||
| Вид учебных занятий | № недели | |||||||||||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | |
| Лекции | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| ЛЗ | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
| ПЗ | | 2 | | 2 | | 2 | | 2 | | 2 | | 2 | | 2 | | 2 | | 2 |
| КПР | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
| РГЗ, реферат | | | | | | | * | * | * | * | * | * | * | * | * | * | Х | |
| Аттестация (промежуточная) | | | | | * | | | | | | * | | | | * | | | |
7. Учебно-методическое обеспечение дисциплины
7.1. Основная литература
Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. – Спб.: Лань 2004.
Антипов Б.Л. Материалы электронной техники: задачи и вопросы : : учебник для студентов вузов, обучающихся по специальностям электронной техники / Б. Л. Антипов, В. С. Сорокин, В. А. Терехов – Спб.: Лань 2003г.
Сорокин, В. С. Материалы и элементы электронной техники : : учеб. для студентов вузов, обучающихся по направлению подгот. бакалавров, магистров и специалистов 210100 "Электроника и микроэлектроника" : в 2 т. / В. С. Сорокин, Б. Л. Антипов, Н. П. Лазарева. Москва: Академия, 2006г.
Дополнительная литература
Сорокин В. С., Антипов Б. Л., Лазарева Н. П. Материалы и элементы электронной техники. М.: Издательский центр «Академия», 2006. — Т. 1. Проводники, полупроводники, диэлектрики. — 448 с.
Горелик С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: «МИССИС», 2003. — 480 с.
Коробейников А. Г., Титов А. Н, Гатчин Ю. А. Методы исследования характеристик оптических кристаллов калий-гадолиниевого вольфрамата // Известия ВУЗов. Приборостроение. — 2006. — № 3. — С. 70–73.
Титов А. Н., Гатчин Ю. А. Выращивание, спектроскопия и эффективная перестраиваемая генерация кристаллов KYW:Yb:Tm вблизи 1,9 мкм // Научно-технический вестник СПбГУ ИТМО. — 2006. — № 14. Информационные технологии, вычислительные и управляющие системы.
Интернет-источники:
http://window.edu.ru/resource/879/28879 Джуплин В.Н., Варзарев Ю.Н., Поляков В.В. Руководство к лабораторным работам по курсам "Материаловедение и материалы электронных средств", "Материалы и элементы электронной техники", "Материалы электронной техники". - Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2004. - 42 c.
http://window.edu.ru/resource/852/29852 Егоров В.Н. Сплавы и соединения для электронной техники: Учебное пособие. - Иваново: Иван. гос. энерг. ун-т, 2003. - 43 с.
http://window.edu.ru/resource/422/70422 Гатчин Ю.А., Ткалич В.Л., Камаев П.А., Симаков Д.Д., Хмелёв Е.Д. Материалы электронных средств: Учебное пособие. - СПб: СПбГУ ИТМО, 2010. - 112 с.
Контрольные задания.
Прием зачета путем защиты реферата. Темы реферата выбираются согласно по двум последним цифрам номера зачетной книжки. Если последние две цифры больше 56, то номер определяется путем вычитания этих двух цифр из ста.
Темы рефератов и типовых вопросов для подготовки доклада на зачет.
Металлы и сплавы. Классификация металлов.
Химически высокоактивные металлы и сплавы.
Фотоэлектрические проводящие материалы.
Геттерные металлы и сплавы электровакуумной техники.
Свойства и применение скандия, иттрия, лантана и лантанидов.
Металлы и сплавы с высокой электропроводностью.
Высокотемпературные проводниковые металлы и сплавы.
Металлы семейства железа и их проводящие сплавы.
Платиновые металлы и их сплавы.
Биметаллы.
Термоэлектродные сплавы.
Низкотемпературные проводниковые металлы и сплавы. Припои.
Металлизация в полупроводниковых приборах, сплавы, используемые для создания электрических переходов.
Основной материал интегральных схем – кремний.
Физико-химическая совместимость металлов в микросхеме.
Проводящие и резистивные пленочные материалы для микросхем, сверхпроводники.
Металлы и сплавы с высоким электросопротивлением.
Материалы пленочных электросопротивлений (резисторов).
Проводящие модификации углерода и материалы на их основе.
Классификация полупроводниковых материалов. Элементарные полупроводники.
Полупроводниковые соединения типа АIII ВV: кристаллическая структура и химическая связь соединений типа АIII ВV.
Диаграммы состояния систем типа АIII ВV.
Поведение примесей в соединениях типа АIII ВV; твердые растворы АIII ВV – АIII ВV.
Методы получения соединений типа АIII ВV.
Применение соединений типа АIII ВV и их твердых растворов.
Полупроводниковые соединения типа АII ВVI: основные свойства соединений типа АII ВVI.
Кристаллическая структура и химическая связь соединений типа АII ВVI; диаграммы состояния систем типа АII ВVI.
Влияние точечных дефектов на электрофизические свойства соединений типа АII ВVI.
Твердые растворы АII ВVI – АII ВVI; методы получения соединений типа АII ВVI.
Применение соединений типа АII ВVI и их твердых растворов.
Тройные полупроводниковые соединения – аналог АIII ВV.
Тройные полупроводниковые соединения – аналогии АII ВVI.
Диэлектрическое состояние веществ. Применение диэлектрических материалов в микроэлектронике.
Стеклообразные диэлектрические материалы: физико-химическая природа стекла.
Стеклообразование.
Оксидные стекла.
Халькогенидные стекла;
Стеклообразные пленки.
Стеклокерамические диэлектрические материалы. Физико-химическая природа стеклокерамики.
Стеклокерамический процесс; стеклокерамические системы.
Керамические диэлектрические материалы: общая характеристика керамики; спекание керамики.
Основные виды керамических материалов, их свойства и физико-химические основы производства.
Сравнительная характеристика физико-химических свойств неорганических диэлектрических материалов: микроструктура и плотность.
Теплофизические свойства; механические свойства; электрофизические свойства.
Твердые и жидкие органические диэлектрические материалы.
Классификация веществ по магнитным свойствам.
Природа ферромагнитного состояния.
Процессы при намагничивании ферромагнетиков.
Влияние температуры на магнитные свойства ферромагнетиков.
Поведение ферромагнетиков в переменных магнитных полях.
Особенности ферромагнетиков.
Классификация магнитных материалов.
Магнитомягкие материалы для постоянных и низкочастотных магнитных полей.
Магнитомягкие высокочастотные материалы.
Магнитные материалы специального назначения.
Магнитотвердые материалы.
Тренировочные тесты
Тест № 1 (по теме 1.1)
1. К материалами, для которых характерен ковалентный тип химической связи, относятся
a – поликристаллы;
b – все вещества в твердом состоянии;
c – металлы;
d – полупроводники.
2. Отличие реальных кристаллов от идеальных состоит в
a – более сложной структуре;
b – меньших размерах;
c – наличии дефектов;
d – отсутствии дефектов.
3.Энергетический спектр электронов в твердом теле
a – имеет зонную структуру;
b – отсутствует;
c – непрерывен;
d – дискретен.
4. Дефекты типа «вакансия» в реальных кристаллах относятся к
a – точечным дефектам;
b – объемным дефектам;
c – дефектам поверхности;
d – линейным дефектам.
5. Классификация материалов электронной техники основана на таких понятиях, как
a – состав – структура – свойства;
b – состав – агрегатное состояние;
c – способ получения – свойства;
d – структура – состав.
Тест № 2 (по теме 1.2)
1. Основными носителями заряда в полупроводнике p-типа являются
a – электроны и дырки;
b – ионы примеси;
c – дырки;
d – электроны.
2. В собственных полупроводниках свободные носители заряда образуются за счет
a – генерации электронно-дырочных пар;
b – рекомбинации электронно-дырочных пар;
c – ионизации атомов примеси;
d – ионизации атомов основы.
3. Основным материалом современной полупроводниковой микроэлектроники является
a – германий;
b – кремний;
c – арсенид галлия;
d – фосфид индия.
4 . Для введения примеси в полупроводник применяют
a – фотолитографию;
b – диффузионное или ионное легирование;
c – вакуумное напыление.
5. Неосновные носители заряда в полупроводнике п-типа
a – электронейтральны;
b – заряжены отрицательно;
c – заряжены положительно;
d – заряжены отрицательно или электронейтральны.
Тест № 3 (по теме 1.3)
1. К проводникам относят материалы с удельной электропроводностью
a – выше, чем 106 Ом-1 см-1;
b – 103…104 Ом-1 см-1;
c – выше, чем 103 Ом-1 см-1;
d – выше, чем 108 Ом-1 см-1.
2. Зависимость удельного сопротивления металлов от температуры является
a – экспоненциальной;
b – параболической;
c – линейной;
d – гиперболической.
Удельное сопротивление большинства металлов при понижении температуры:
a – стремится к бесконечной величине;
b – падает и стремится к некоторому остаточному значению;
c – падает до 0;
d – существенно не изменяется.
4. Металлический тип химической связи обусловлен
a – взаимным притяжением электронного газа и положительно заряженных ионов металла;
b – притяжением противоположно заряженных ионов;
c – обобществлением электронов, принадлежащих двум соседним атомам;
d – обобществлением электронов, принадлежащих четырем соседним атомам.
5. Основными компонентами резистивных силицидных сплавов являются
a – кремний, золото;
b – олово, железо;
c – кремний, алюминий;
d – кремний, хром, железо.
Тест № 4 (по теме 1.4)
1. Механизмом спонтанной поляризации обладают:
a – сегнетоэлектрики;
b – пироэлектрики;
c – пьезоэлектрики;
d – органические диэлектрики.
2. Тангенс угла диэлектрических потерь является мерой
a – потерь энергии в диэлектрике за счет наличия остаточной электропроводности;
b – теплоемкости диэлектрика;
c – теплопроводности диэлектрика;
d – электропроводности диэлектрика.
3. Эффект спонтанной поляризации был впервые обнаружен на образце, изготовленном из
a – бериллиевой керамики;
b – титаната бария;
c – титаната стронция;
d – сегнетовой соли.
4. В качестве материала оснований печатных плат используются
a – слоистые пластики;
b – керамика;
c – легкоплавкие стекла;
d – ситаллы.
5. Тепловой пробой в диэлектрике возникает, если
a – количество тепловой энергии, выделяемой за счет диэлектрических потерь, превышает рассеиваемое;
b – количество тепловой энергии, выделяемой за счет диэлектрических потерь, равно рассеиваемому;
c – диэлектрик находится в постоянном электрическом поле;
d – диэлектрик находится в среде с повышенной влажностью.
Тест № 5 (по теме 1.5)
1. Если атомные магнитные моменты в веществе ориентированы параллельно друг другу, то оно является
a – ферромагнетиком;
b – парамагнетиком;
c – парамагнетиком или ферромагнетиком;
d –парамагнетиком или антиферромагнетиком.
2. Для конкретного магнитного материала форма петли гистерезиса не зависит от
a – объема образца;
b – скорости перемагничивания;
c – исходного магнитного состояния материала;
d – максимального значения напряженности магнитного поля.
3. Под коэрцетивной силой магнитного материала понимают
a – напряженность магнитного поля, соответствующую обратимому смещению границ доменов;
b – силу воздействия магнитного поля на домены;
c – напряженность магнитного поля, необходимую для уменьшения магнитной индукции до нуля;
d – напряженность магнитного поля, соответствующую максимальной магнитной энергии.
4. При температурах выше точки Кюри ферромагнетик превращается в
a –парамагнетик;
b – ферримагнетик;
c – антиферромагнетик.
5. Ферриты являются магнитными материалами, относящимися к
a – ферро- либо диамагнетикам;
b – ферромагнетикам;
c – диамагнетикам;
d – ферримагнетикам.
Тест № 6 (по теме 1.6)
1. Термореактивные материалы относятся к:
a – пространственным полимерам;
b– линейным полимерам;
c – объемным полимерам;
d – низкомолекулярным соединениям.
2. Ультрафарфор является
a – низкочастотным диэлектриком;
b – высокочастотным диэлектриком;
c – высокочастотной стеклокерамикой;
d – низкочастотной стеклокерамикой.
3. Электроизоляционные материалы представляют собой
a – условно активные диэлектрики;
b – активные диэлектрики;
c – пассивные диэлектрики;
d – пассивные, либо активные диэлектрики.
4. Если полимер при комнатной температуре находится в стеклообразном состоянии, то
a – температура его стеклования ниже комнатной;
b – температура его стеклования выше комнатной;
c – это кристаллический полимер;
d – это рекристаллизованный полимер.
5. Роль окисных пигментов в рецептуре эмалевых покрытий состоит в
a – повышении коррозионной стойкости и электрической прочности;
b – окрашивании в требуемый цвет;
c – повышении герметизирующих свойств;
d – улучшении кроющей способности.
Тест № 7 (по теме 2.1)
1. Вольт-амперная характеристика является параметром радиокомпонента, устанавливающим связь между
a – емкостью и напряжением;
b – током и поляризацией;
c –напряжением и током;
d – током и сопротивлением.
2. Элемент (L, C, R ), параметры которого не изменяются с изменением тока или напряжения, называется
a – линейным;
b – пропорциональным;
c – активным;
d – многофункциональным.
3. Если на вход линейного элемента поступает одновременно несколько напряжений, то общий ток
a – равен сумме токов, обусловленных каждым из напряжений;
b – определяется наибольшим из приложенных напряжений;
c – определяется наименьшим из приложенных напряжений.
4. Математической моделью, описывающей зависимость тока, протекающего через постоянный резистор, от напряжения, является
a – закон Кирхгофа;
b – закон Ома;
c – полином второй степени;
d – полином третьей степени.
5. Компоненты, способные усиливать, генерировать или преобразовывать входной электрический сигнал, относятся к
a – активным;
b – пассивным;
c – активным, либо пассивным.
Тест № 8 (по теме 2.2)
1. Емкость конденсатора измеряется в
a – омах;
b – вольтах;
c – фарадах;
d – ваттах.
2. К числу основных характеристик конденсатора относится
a – температурный коэффициент сопротивления;
b – тангенс угла диэлектрических потерь;
c – коэффициент усиления;
d – коэффициент поглощения.
3. Недостатком оксидных конденсаторов является
a – узкий диапазон реализуемых значений емкости;
b – большие габариты;
c – низкая термостабильность;
d – значительная величина тока утечки.
4. В конструкции оксидных конденсаторов для повышения емкости применяются
a – объемно-пористые аноды;
b – цилиндрические вывода;
c – обкладки из драгоценных металлов;
d – редкоземельные металлы и сплавы.
5. Конденсаторы на основе титаната бария являются
a – высокочастотными;
b - низкочастотными;
c – не имеют частотных ограничений в применении.
Тест № 9 (по теме 2.3)
1. Для изготовления толстопленочных резисторов применяют
a – легкоплавкие стекла;
b – стеклоэмали;
c – специальные пасты;
d – металлическую фольгу.
2. Пленочный резистор с сопротивлением 2 ком и коэффициентом формы 20 изготавливают из пленки с
, равнымa – 100 Ом;
b – 1 кОм;
c – 40 кОм;
d – 10 Ом.
3. К преимуществам тонкопленочных резисторов по сравнению с толстопленочными относится
a – возможность использования более дешевого оборудования;
b – более высокая адгезия слоев;
c – более высокие значения рассеиваемой мощности;
d – более высокая точность реализуемых значений сопротивления.
4. К основным элементам конструкции любого резистора относятся:
a – токонесущая часть, выполненная из резистивного материала, и основание;
b – обкладки и контактные площадки;
c – пластмассовый корпус и вывода;
d – сердечник и защитное покрытие.
5. Под коэффициентом формы пленочного резистора понимают
a – отношение длины резистивного слоя к его ширине;
b – отношение ширины резистивного слоя к его длине;
c – отношение квадрата длины резистивного слоя к ширине резистора;
d – сумму длины и ширины резистора.
Тест № 10 (по теме 2.4)
1. Пассивные микросборки – это разновидность интегральных микросхем, в которых
a – используются конденсаторы только в чиповом исполнении;
b – активные элементы отсутствуют, а функции пассивных ЭРЭ выполняют интегральные пленочные элементы или чиповые дискретные компоненты;
c – основанием служит пластина из полупроводникового материала;
d – содержится не более пяти пассивных элементов или компонентов.
2. Переход от дискретных пассивных компонентов к их микросборкам позволяет
a – улучшить тепловой режим эксплуатации аппаратуры;
b – снизить затраты на проектирование изделий;
c – повысить надежность аппаратуры;
d – отказаться от использования драгоценных металлов.
3. Существенным преимуществом пассивных микросборок является
a – широкая номенклатура;
b – отсутствие в составе активных компонентов;
c – негорючесть;
d – однородность характеристик входящих в их состав однотипных элементов.
4. Пассивные микросборки могут изготавливаться:
a – только по тонкопленочной технологии;
b – только по толстопленочной технологии;
c – как по тонко- , так и по толстопленочной технологии.
5. Для формирования элементов толстопленочных микросборок используется
a – трафаретная печать с последующим вжиганием нанесенных слоев;
b – газофазное осаждение;
c – вакуумное напыление с последующей фотолитографией;
d – электрохимическое осаждение.
Тест № 11 (по теме 2.5)
1. У катушек индуктивности сопротивление переменному току
а – не зависит от частоты;
b – возрастает пропорционально частоте;
c – уменьшается с ростом частоты ;
d – с ростом частоты стремится к нулю.
2. Основой для обмотки соленоида служит
a – цилиндрический каркас из диэлектрического материала;
b – тороидальный сердечник с прямоугольным сечением;
c – печатная плата;
d – магнитный сердечник с круглым или прямоугольным сечением.
3. Значение добротности катушек индуктивности находится в пределах
a – от 300 до 10000;
b – от 20 до 1000;
c – от 8000 до 10000;
d – от 1 до 100.
4. При использовании в магнитопроводах магнитомягких сталей и сплавов (с малым удельным сопротивлением) для уменьшения потерь на вихревые токи сердечник собирают из
a – пластин высоколегированных сталей ;
b – ферритовых стержней;
c – тонких листов ферромагнетика, покрытых слоем изоляции;
d – листов редкоземельных металлов и сплавов на их основе.
5. Магнитопроводы из магнитомягких сталей, сплавов или ферритов, образующих замкнутую магнитную цепь, используют в трансформаторах с целью
a – увеличения индуктивной связи между обмотками;
b – снижения массогабаритных показателей;
c – повышения надежности трансформаторов;
d – повышения технологичности трансформаторов.
ПРАВИЛЬНЫЕ ОТВЕТЫ НА ТРЕНИРОВОЧНЫЕ ТЕСТЫ
| № теста | Раздел | Тема | Номера вопросов | ||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |||
| Правильные ответы | |||||||
| 1 | 1 | 1.1 | d | c | a | a | a |
| 2 | 1.2 | c | a | b | b | c | |
| 3 | 1.3 | d | c | b | a | d | |
| 4 | 1.4 | a | a | d | a | a | |
| 5 | 1.5 | a | a | c | a | d | |
| 6 | 1.6 | a | a | c | a | b | |
| 7 | 2 | 2.1 | c | a | a | b | a |
| 8 | 2.2 | c | b | d | a | b | |
| 9 | 2.3 | c | a | d | a | a | |
| 10 | 2.4 | b | c | d | c | a | |
| 11 | 2.5 | b | a,d | b | c | a | |
Похожие:
 | Учебно-методический комплекс дисциплины информатика Специальность... Учебно-методический комплекс составлен в соответствии с требованиями государственного образовательного стандарта высшего профессионального... |  | Учебно-методический комплекс дисциплины иностранный язык Специальность... Учебно-методический комплекс составлен в соответствии с требованиями государственного образовательного стандарта высшего профессионального... |
| Рабочая программа по дисциплине «Основы теории цепей» по направлению... Государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированного специалиста... | | Рабочая программа по учебной дисциплине Вычислительная техника и... Физика и техника оптической связи, 210402 – Средства связи с подвижными объектами, 210403 – Защищенные системы связи, 210404 – Многоканальные... |
| Рабочая программа по учебной дисциплине Системы связи с подвижными объектами (ССсПО) Рабочая программа предназначена для преподавания дисциплины "Системы связи с подвижными объектами" студентам очной полной формы обучения... | | Учебно-методический комплекс дисциплины «проектирование информационных систем» Специальность 080801. 65 «Прикладная информатика (в экономике)» Форма подготовки очная Филиал двфу в г. Арсеньеве |
| Учебно-методический комплекс по дисциплине финансовый анализ специальность... Форма обучения – очная, заочная, очно-заочная (вечерняя) сокращенная на базе спо формы обучения | | Учебно-методический комплекс дисциплины особенности финансов в различных... Методические указания по выполнению контрольных работ студентами по учебной дисциплине «Учет на предприятиях малого бизнеса» |
| Учебно-методический комплекс дисциплины «Рынок ценных бумаг» Направление/ специальность — 080105. 65 «Финансы и кредит» Форма подготовки очная/заочная | | Учебно-методический комплекс по дисциплине гражданское право (часть... Форма обучения – очная, заочная, заочная (сокращенная), очно-заочная (вечерняя) сокращенная |
| Учебно-методический комплекс дисциплины теория информации Специальность... Учебно-методический комплекс составлен в соответствии с требованиями государственного образовательного стандарта высшего профессионального... | | Учебно-методический комплекс по дисциплине правовая статистика специальность... Форма обучения – очная, заочная, заочная (сокращенная) очно-заочная (вечерняя) на базе спо |
| Учебно-методический комплекс по дисциплине уголовное право (Особенная... Форма обучения – очная, заочная, заочная (сокращенная), очно-заочная (вечерняя) сокращенная | | Учебно-методический комплекс по дисциплине правовые системы мира... Заочная (сокращенная) на базе среднего профессионального образования форма обучения 9 |
| Учебно-методический комплекс дисциплины обсужден на заседании кафедры... Приборы экологического контроля Направление — 200100. 68 Приборостроение Форма подготовки – очная | | Учебно-методический комплекс по дисциплине статистика специальность... Форма обучения – очная, заочная, заочная (сокращенная) на базе среднего профессионального образования |
