Программа учебной дисциплины Процессы и оборудование микротехнологии Авторы программы: Профессор Ю. В. Панфилов Профессор Ю. Б. Цветков Кафедра мт-11, «Электронные технологии в машиностроении»

Скачать 369.6 Kb.

Название	Программа учебной дисциплины Процессы и оборудование микротехнологии Авторы программы: Профессор Ю. В. Панфилов Профессор Ю. Б. Цветков Кафедра мт-11, «Электронные технологии в машиностроении»
страница	2/2
Дата публикации	27.05.2015
Размер	369.6 Kb.
Тип	Программа

100-bal.ru > Математика > Программа

1 2

СЕМЕСТР 5

Виды учебной работы	Объем в часах по семестрам
Виды учебной работы	05 семестр 17 недель
Лекции	34
Семинары	34
Лабораторные работы	17
Итого аудиторные занятия	85
Самостоятельная работа	51
Трудоемкость, час	136
Трудоемкость, зач.единицы	5
Оценка знаний:	Экзамен

ДИСЦИПЛИНАРНЫЕ МОДУЛИ

Модуль 1 «Технологический анализ изделий микротехнологии»

Виды учебной работы	Объем в часах	Сроки проведения, недели
Лекции	6	1-3
Семинары	6	1-3
Лабораторные работы
Практические занятия
Самостоятельная работа: проработка лекций, подготовка к тесту	12	1-3
Трудоемкость, час	24
Трудоемкость, зач.единицы	1

Контроль освоения модуля

Неделя проведения контроля модуля	Формы контроля	Оценка в баллах
Неделя проведения контроля модуля	Формы контроля	минимальная	максимальная
4	тест по материалам лекций	8	15
	ИТОГО	8	15

После освоения Модуля 1 «Технологический анализ изделий микротехнологии» студент должен приобрести следующие знания, умения и владения, соответствующие компетенциям ООП.

Знания

Компетенции

Принципы действия и конструктивные особенности наиболее перспективных устройств микро- и наноэлектроники, микросистемной техники и других объектов микротехнологии, типовые маршруты их изготовления, номенклатуру применяемых материалов
Основные понятия и термины, в том числе на английском языке, описывающие современные изделия - объекты микротехнологии.
Взаимообусловленность конструктивных элементов изделий и технологических процессов микротехнологии

П-1… П-7;

Т-1… Т-4;

СЛ-2… СЛ-6;
ОП-2, ОП-3, ПТ-1, НИ-1, ПСК-1.

Умения

Компетенции

Проводить технологический анализ изделий микротехнологии с выявлением их лимитирующих параметров и критических операций процесса.
Проводить поиск, обобщение и анализ информации по современному состоянию и перспективам развития изделий - объектов микротехнологии.
Представлять результаты работы с информацией в виде аналитических обзоров и презентаций.

П-1… П-7;

Т-1… Т-4;

СЛ-2… СЛ-6;

ОП-2, ОП-3, ПТ-1, НИ-1, ПСК-1.

Владение навыками

Компетенции

Поиска информации по изделиям-объектам микротехнологии в международной сети Интернет.
Применения программных средств, текстовых и графических редакторов для представления аналитической информации в электронном виде.

П-1… П-7;

Т-1… Т-4;

СЛ-2… СЛ-6;

ОП-2, ОП-3, ПТ-1, НИ-1, ПСК-1.

Содержание модуля 1.
Лекции.

Интегральные микросхемы как объект производства. Структура и принцип действия КМОП микросхем. Технология КМОП микросхем. Формирование основных конструктивных элементов микросхем: карманов p- и n- типа, изоляции, затвора и слаболегированных областей истока и стока, спейсера и глубокое легирование областей стока и истока, металлических проводников: 1-й и 2-й слои металла – 2 час.
Параметры металлических проводников в межсоединениях. Особенности формирования медных межсоединений. Диэлектрические свойства материалов микротехнологии. Масштабирование КМОП микросхем – 2 час.
Особенности производства микроэлектромеханических систем. Принцип действия и структура пьезорезистивного микродатчика. Тензо- и пьезоэффект в кремнии. Влияние конструктивных и технологических факторов на чувствительность пьезоэлектрического датчика давления. Маршрутная технология изготовления чувствительного элемента кремниевого микродатчика давления – 2 час.
Особенности формирования основных элементов кремниевого чувствительного элемента, формирование проводников p+ типа к пьезорезисторам, области n+ типа для контакта к эпитаксиальному слою, пьезорезисторов, Осаждение Si₃N₄ на обратную сторону пластины, формирование контактных окон, металлизация и формирование контактных площадок, анизотропное травление упругой диафрагмы – 2 час.

Семинары

Анализ номенклатуры и классификации изделий микротехнологии, обсуждение перспектив развития микротехнологии – 2 час.
Освоение методов и приемов поиска информации по изделиям микротехнологии, включая специализированные научно-технические журналы, результаты НИР, патентные материалы. Освоение англоязычной терминологии, приобретение навыков работы в научно-технических и патентных базах данных среды Интернет – 2 час.
Анализ изделий микротехнологии, выявление общих и сходных требований к применяемым материалам, технологическим процессам – 2 час.
Обсуждение конструктивно-технологических особенностей перспективных изделий микротехнологии, изученных и подготовленных в виде рефератов и презентаций подгруппами студентов – 2 час.

Самостоятельная работа
В модуле 1 предусмотрена самостоятельная проработка материала лекций и семинаров. Контроль проводится в форме письменного теста на семинаре.
Образовательные технологии
В модуле реализованы личностно ориентированная технология образования, сочетающая два равноправных аспекта этого процесса: обучение и учение. С учетом этого, учебные материалы модуля включают информацию нескольких типов:

информацию, отражающую мировой, постоянно обновляющийся опыт в области современных и перспективных объектов микртехнологии,
информацию справочного характера, излагающую факты и связи между ключевыми положениями изучаемой дисциплины и естественно-научными и общепрофессиональными дисциплинами,
информацию, помогающую самообразованию. Это - имеющиеся в лекционном разделе модуля текстовые пояснения, указания, примечания, комментарии, смысловые таблицы, приложения, облегчающие самостоятельную обработку текста, его понимание.

Деятельностный подход при освоении дисциплины реализуется через анализ и решение учебных задач, примеры которых приведены в УМКД.
При изучении модуля предусмотрены следующие активные формы проведения занятий:

Просмотр и обсуждение видео фрагментов лекционного раздела модуля.
Работа в команде при подготовке аналитических обзоров и презентаций по полученным результатам.
Активное обсуждение презентаций студентов по результатам рефератов на семинарских занятиях.

Модуль 2 «Изготовление монокристаллических кремниевых подложек»

Виды учебной работы	Объем в часах	Сроки проведения, недели
Лекции	8	4-7
Семинары	8	4-7
Лабораторные работы
Практические занятия
Самостоятельная работа: подготовка реферата «Технологические процессы получения и механическрой обработки монокристаллического кремния» проработка лекций, подготовка к тесту	8 6	4-7 4-7
Трудоемкость, час	30
Трудоемкость, зач.единицы	1

Контроль освоения модуля

Неделя проведения контроля модуля	Формы контроля	Оценка в баллах
Неделя проведения контроля модуля	Формы контроля	минимальная	максимальная
7	защита презентации, тест по материалам лекций	2 6	5 10
	ИТОГО	8	15

После освоения Модуля 2 «Изготовление монокристаллических кремниевых подложек» студент должен приобрести следующие знания, умения и владения, соответствующие компетенциям ООП.

Знания

Компетенции

Спецификацию параметров кремниевых монокристаллических пластин, значения параметров и допуски на них, методы их оценки при входном контроле.
Маршрутный процесс получения монокристаллического кремния, требования к его качеству на последовательных этапах процесса.
Особенности технологических процессов и оборудования, применяемых для промышленного получения слитков поли- и монокристаллического кремния.
Маршрутный процесс механической обработки слитков монокристаллического кремния и кремниевых пластин, особенности применяемых технологических процессов и оборудования.
Технико-экономические перспективы развития производства кремния.

П-1… П-7;

Т-1… Т-4;

СЛ-2… СЛ-6;
ОП-2, ОП-3, ПТ-1, НИ-1, ПСК-1.

Умения

Компетенции

Проводить анализ технологических процессов производства кремния и его механической обработки для заданного уровня параметров с выявлением операций, определяющих качество, производительность, экономическую эффективность и экологическую безопасность процесса.
Проводить количественную оценку основных параметров технологических процессов получения кремния и его механической обработки.
Проводить поиск, обобщение и анализ информации по современному состоянию и перспективам развития кремниевого производства.
Представлять результаты работы с информацией по кремниевому производству и обработке пластин в виде аналитических обзоров и презентаций.

П-/1… П-7;

Т-1… Т-4;

СЛ-2… СЛ-6;

ОП-2, ОП-3, ПТ-1, НИ-1, ПСК-1.

Владение навыками

Компетенции

Оценки основных параметров кремниевых слитков и пластин.
Навыками поиска информации в международной сети Интернет.
Применения программных средств, текстовых и графических редакторов для представления аналитической информации в электронном виде.

П-1… П-7;

Т-1… Т-4;

СЛ-2… СЛ-6;

ОП-2, ОП-3, ПТ-1, НИ-1, ПСК-1.

Содержание модуля 2.
Лекции.

Кремниевые пластины как объект производства.

Электрические параметры пластин: тип проводимости, удельное электрическое сопротивление в зависимости от уровня легирования, градиент электрического сопротивления по рабочему полю пластины.

Геометрические параметры кремниевых пластин: диаметры пластин y (номиналы и допуски), оценка количества кристаллов на пластине, переход на пластины большого диаметра (300, 450 мм). Базовые срезы и вырезы. Толщина и общее изменение толщины пластины. Отклонения формы пластин, прогиб и коробление. Параметры: полное измеренное показание, отклонение фокальной плоскости. Параметры краевой фаски. Маркировка пластин. – 2 час

Этапы производства кремния.

Получение технического (металлургического) кремния восстановлением из SiO₂ карботермическим методом, особенности дуговых печей для получения металлургического поликремния. Получение и очистка трихлорсилана в газообразном состоянии. Требования к применяемым системам очистки. Получение поликремния методом водородного восстановления, Сименс-процесс химического осаждения поликремния из газовой фазы.

Выращивание монокристаллов.

Метод Чохральского, применяемое оборудование, понятие коэффициента сегрегации, моделирование и расчет распределения примесей по длине слитка. Получение монокристаллического кремния методом бестигельной зонной плавки, расчет распределения примесей по длине слитка.

Механическая обработка кремния.

Шлифовка базового среза, формирование базового выреза. Методы и оборудование для резки слитков на пластины. Сравнительный анализ резки полотнами, алмазным диском с внутренней режущей кромкой, проволокой. Шлифование пластин свободным и связанным абразивом – методы и применяемое оборудование. Механическое и химико-механическое полирование пластин, технология и оборудование. Маркировка пластин.
Семинары

Анализ современного мирового состоянии производства поли- и монокристаллического кремния, перспектив развития отрасли в России, рассмотрение технических и экологических аспектов проблемы – 2 час.
Технико-экономический анализ процедуры перехода микротехнологии на заготовки (кремниевые пластины) большого диаметра – 2 час.
Количественный анализ спецификации кремниевых пластин, выявление лимитирующих параметров– 2 час.
Обсуждение конструктивно-технологических особенностей перспективных методов механической и химико-механической обработки пластин, изученных и подготовленных в виде рефератов и презентаций подгруппами студентов.

Самостоятельная работа
В модуле 2 предусмотрена подготовка рефератов по направлению «Изготовление монокристаллических кремниевых подложек» в форме аналитических обзоров. Содержание каждого реферата должно включать назначение, варианты реализации, сравнительный анализ методов получения монокристаллического кремния и изготовления кремниевых подложек.

Реферат (аналитический обзор) формируется на основе поиска и анализа информации, преимущественно англоязычной, в среде Интернет. Выделение ключевых терминов, областей поиска, ведущих фирм-производителей, объема и формы представления материала проводится при еженедельных консультациях и контактах с преподавателем – как очных, так и через электронные учебные среды (электронная почта, Moodle).

Реферат готовится в текстовом редакторе (форматы doc, pdf), иллюстрации создаются и обрабатываются в графических редакторах (CorelDraw, Photoshop и др) .

По результатам реферата готовится презентация в формате PowerPoint , которая публично докладывается и защищается на семинаре.

Работа над рефератом ведется подгруппами в 3-4 человека при выделении личного вклада каждого участника.
…………………………………………………………………………………………………………….
Модуль 4 «Микролитография»

Виды учебной работы	Объем в часах	Сроки проведения, недели
Лекции	10	13-17
Семинары	10	13-17
Лабораторные работы	9
Практические занятия
Самостоятельная работа: Домашнее задание «Расчет распределения интенсивности излучения при микролитографии» проработка лекций, подготовка к тесту	6 9	13-17 13-17
Трудоемкость, час	44
Трудоемкость, зач.единицы	1,5

Контроль освоения модуля

Неделя проведения контроля модуля	Формы контроля	Оценка в баллах
Неделя проведения контроля модуля	Формы контроля	минимальная	Максимальная
12	защита домашнего задания, тест по материалам лекций, защита лабораторных работ	6 10 6	10 15 10
	ИТОГО	22	35

После освоения Модуля 4 «Микролитография» студент должен приобрести следующие знания, умения и владения, соответствующие компетенциям ООП.

Знания

Компетенции

Назначение, сущность, области применения и основные этапы микролитографии.
Основные параметры процесса микролитографии, значения параметров и допуски на них, методы их оценки.
Фотохимические реакции и параметры процесса экспонирования.
Виды и свойства фоторезистов, параметры их оценки.
Структуру, принципы и варианты построения систем экспонирования.
Особенности построения, структурные и принципиальные схемы оборудования для микролитографии и изготовления фотошаблонов.
Методы оценки плотности локальных дефектов при микролитографии.
Методы оценки качества параметров формируемого микрорельефа.
Методы оценки совмещаемости слоев при микролитографии.
Перспективы развития методов микролитографии.

П-1… П-7;

Т-1… Т-4;

СЛ-2… СЛ-6;
ОП-2, ОП-3, ПТ-1, НИ-1, ПСК-1.

Умения

Компетенции

Назначать основные параметры фотошаблонов (тональность, зеркальность и масштаб) для заданной топологии микроструктур.
Выбирать эффективный по технико-экономическим показателям вариант построения процесса микролитографии.
Проводить анализ качества процесса микролитографии по его ключевым параметрам: дефектности, разрешающей способности и размерной точности, совмещаемости.
Проводить поиск, обобщение и анализ информации по современному состоянию и перспективам развития микролитографии.
Представлять результаты работы с информацией в виде аналитических обзоров и презентаций.

П-1… П-7;

Т-1… Т-4;

СЛ-2… СЛ-6;

ОП-2, ОП-3, ПТ-1, НИ-1, ПСК-1.

Владение навыками	Компетенции
Навыками практической реализации и анализа процесса микролитографии в лабораторных условиях. Навыками оценки основных параметров микролитографии – разрешающей способности и совмещаемости.	П-1… П-7; Т-1… Т-4; СЛ-2… СЛ-6; ОП-2, ОП-3, ПТ-1, НИ-1, ПСК-1.

Содержание модуля 4.
Лекции.

Назначение, сущность, области применения и основные этапы микролитографии. Основные параметры процесса микролитографии, значения параметров и допуски на них, методы их оценки. Фотохимические реакции и параметры процесса экспонирования. Виды и свойства фоторезистов, параметры их оценки.

Позитивные фоторезисты: состав, реакции при экспонировании и проявлении, согласование спектра поглощения фотоерзиста и спектра излучения источников экспонирования. Роли ингибитора, изменение скорости проявления фоторезиста на этапах процесса. Явление просветления при экспонировании. Негативные фоторезисты: состав, реакции при экспонировании и проявлении, сухие пленочные резисты.

Особенности основных этапов микролитографии.

Подготовка подложек. Очистка, обезжиривание, придание поверхности гидрофобных свойств. Нанесение слоя фоторезиста. Требования к пленке фоторезиста: толщина, равномерность по рабочему полю, дефектность. Сравнительный анализ способов нанесения фоторезиста: центрифугирование, распыление, окунание, полив, электростатическое распыление. Особенности применяемого оборудования. Сушка слоя фоторезиста: параметры процесса, варианты реализации. Проявление изображения в фоторезисте: виды проявителей, схемы реализации процесса. Удаление фоторезиста - в концентрированных кислотах, в органических растворителях; плазмохимическая обработка.

Фотошаблоны.

Материалы, применяемые для изготовления фотошаблонов:прозрачных подложек, экранирующих и антиотражающих покрытий. Основные параметры фотошаблонов: точность выполнения размеров элементов, особенно минимальных, точность координатного расположения элементов, дефектность.

Типы фотошаблонов: первичные оригиналы, эталонные, промежуточные, рабочие фотошаблоны. Технология изготовления первичных оригиналов фотошаблонов. Виды генераторов изображений по принципу генерирования изображения (векторные и растровые), по источнику излучения (лазерные и электронно-лучевые).

Методы создания эталонных фотошаблонов. Проекционный перенос и мультипликация уменьшенного изображения первичного оригинала на заготовку. Оптико-механическая схема фотоповторителя.

Рабочие фотошаблоны – копии эталонных, оптико-механическая схема установки контактного размножения рабочих фотошаблонов.

Контроль качества фотошаблонов: контроль размеров, координатной точности, дефектности. Совмещение фотошаблона с подложкой и экспонирование. Методы экспонирования фоторезиста: контактное, с микрозазором, проекционное. Совмещение топологий фотошаблона и подложки – назначение, требования к результату, способы реализации.
Установки совмещения и экспонирования контактного типа. Оценка разрешающей способности контактного экспонирования, действующие факторы. Принципиальная схема установки совмещения и экспонирования контактного типа, особенности применяемых двупольных микроскопов. Реализация принципа самоустановки при компенсации разнотолщинности и неплоскостности подложек. Узлы выравнивания поверхностей и установки микрозазора.

Проекционные установки совмещения и экспонирования. Оптико-механическая схема, основные узлы установки: объектив, координатный стол, координатная измерительная система, система совмещения, система автофокусировки. Методы оценки основных параметров микролитографии: плотности локальных дефектов, формируемого микрорельефа, совмещаемости слоев. Перспективы развития методов микролитографии.
Семинары

Количественная оценка ключевых параметров микролитографии для различных вариантов реализации процесса. Обоснование и выбор параметров процесса микролитографии для заданных вариантов микроструктур.Статистический анализ дефектности при микролитографии.
Модель распределения размерных погрешностей, применение регрессионного анализа для описания параметров распределений.
Модель распределения погрешностей совмещения, декомпозиция погрешностей, их оценка методами регрессионного анализа.
Расчет профиля микроструктур на основе кривой контраста фоторезиста и распределения интенсивности излучения.
Расчет распределения интенсивности излучения при и проекционной контактной микролитографии.

Лабораторные работы.
Лабораторная работа 1. «Оценка разрешающей способности контактной фотолитографии».

Цель работы – приобретение практических навыков реализации процессов фотолитографии, выявления и анализа факторов, определяющих ключевой параметр процесса – разрешение – 4 час.

Лабораторная работа 2. «Оценка погрешностей совмещения заготовки печатной платы и фотошаблона» - 5 час.
Цель работы – приобретение практических навыков по выявлению факторов, определяющих совмещаемость функциональных слоев в микротехнологии, освоение методов регрессионного анализа погрешностей совмешщения.

Обе работы выполняются на комплекте технологического оборудования фирмы Mega Electronics (Великобритания), включающем:

Ламинатор для нанесения пленочного фоторезиста
Установку контактного экспонирования
Установку проявления фоторезиста

Во второй работе также используется двухкоординатная установка сверления и фрезерования фирмы Bungart (ФРГ).

Для измерений размеров и рассовмещений используется модернизированный микроскоп Stereo Dynascope модели TS-2 (Великобритания).

Отчеты по лабораторным работам должны содержать фактические данные, полученные при проведении экспериментов и измерении параметров микроструктур, а также результаты анализа полученных результатов.

Бланки отчетов выдаются студентам для заполнения в ходе лабораторных работ, проверяются и подписываются преподавателем. Прием зачета по лабораторным работам проводится в идее письменного теста.

Рейтинговые оценки по лабораторным работам составляет 15-20 баллов.

Самостоятельная работа
В модуле 4 предусмотрено выполнение домашнего задания на тему «Расчет распределения интенсивности излучения при микролитографии» объемом 6 час.

При выполнении задания предусмотрено освоение пакета программ МathLab.

Методическое обеспечение дисциплины

Литература
1. Цветков Ю.Б. Процессы и оборудование микротехнологии / МГТУ им. Н.Э. Баумана.

Курс лекций.- 2012.
Дополнительная учебная литература (при необходимости список может включать статьи учебно-методического характера в периодических изданиях).
2. Цветков Ю.Б. Управление топологической точностью фотолитографии: Учебное пособие по курсу «Элионные технологии». М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2005. – 176 с.: ил.

3. Физические основы микро- и нанотехнологий: Учеб. пособие / С.П. Бычков, В.П. Михайлов, Ю.В. Панфилов, Ю.Б. Цветков; под ред. Ю.Б. Цветкова. – М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009. – 176 с.: ил.

4. Макарчук В. В., Родионов И. А., Цветков Ю.Б. Методы литографии в наноинженерии : учеб.-метод. комплекс по тем. направлению деятельности ННС "Наноинженерия": Учеб. пособие для вузов, ред. Шахнов В. А. - М. Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2011. - 175 с. : ил. - (Библиотека "Наноинженерия" : в 17 кн., ISBN 978-5-7038-3509-8 ; кн. 9). - Библиогр.: с. 171.

5. Цветков Ю.Б. Процессы и оборудование микротехнологии. Введение. Конспект лекций // Наноинженерия. 2012. №4.С. 27-32.

6. Цветков Ю.Б. Процессы и оборудование микротехнологии. Модуль 1. Часть I. Конспект лекций // Наноинженерия. 2012. №6. С. 30-41.

7. Цветков Ю.Б. Процессы и оборудование микротехнологии. Модуль 1. Часть II. Конспект лекций // Наноинженерия. 2012. №7. С. 29-38.

8. Цветков Ю.Б. Процессы и оборудование микротехнологии. Модуль 2. Часть I. Конспект лекций // Наноинженерия. 2012. №8. С. 32-36.

9. Введение в электронные технологии: Методические указания к лабораторным работам по курсу «Физические основы электронных технологий» / Е.В. Булыгина, Ю.Р. Степаньянц, Ю.Б. Цветков, Р.Ш. Тахаутдинов. Под ред. Ю.В. Панфилова. – М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2004. – 42 с.: илл.
Кафедральные издания и методические материалы

10. Отчеты по лабораторным работам

11. Наборы электронных презентаций

12. Образцы выполнения домашних работ, подготовки рефератов в виде аналитических обзоров и презентаций по ним.
Электронные ресурсы (с указанием названия и полного электронного адреса).
Журнал "Нано- и микросистемная техника"

http://www.microsystems.ru/literature.php/
Журнал "Наноинженерия"

http://www.mashin.ru/eshop/journals/nanoinzheneriya/
Solid State Technology Journal

http://www.electroiq.com/semiconductors.html/
Journal of Vacuum Science & Technology a -Vacuum Surfaces and Films http://avspublications.org/jvsta/
Journal of Vacuum Science & Technology b - Microelectronics and Nanometer Structures:

Processing, Measurement, and Phenomena

http://avspublications.org/jvstb/
The PCB Magazine

http://www.pcb007.com/pages/thepcbmagazine.cgi
SMTOnline

http://www.smtonline.com/pages/smtmagazine.cgi
Информационно-поисковая система Российских патентных документов

http://www1.fips.ru/wps/wcm/connect/content_ru/ru/inform_resources/inform_retrieval_system/
United States Patent and Trademark Office

www.uspto.gov

Раздел 7. Материально-техническое обеспечение дисциплины
Методические материалы:

Курс лекций в электронном виде, раздаваемый студентам на первом занятии и обеспечивающий их самостоятельную работу.
Набор электронных презентаций для использования в аудиторных занятиях.
Методические рекомендации по лабораторным работам в печатном и электронном виде.
Интерактивные электронные средства для поддержки лабораторных работ.
Отчеты по лабораторным работам.
Набор оценочных средств для контроля усвоения материала дисциплины.

Используемое оборудование:

Комплект технологического оборудования фирмы Mega Electronics (Великобритания), включающем:

Ламинатор для нанесения пленочного фоторезиста
Установку контактного экспонирования
Установку проявления фоторезиста

Двухкоординатная установка сверления и фрезерования фирмы Bungart (ФРГ).
Dynascope модели TS-2 (Великобритания).
Комплект лабораторного и технологического оборудования для проведения элионных процессов
Атомно-силовой микроскоп

Рецензент организация, должность, Ф.И.О. ______________
Председатель методической комиссии факультета ____

(Ф.И.О.) ___________________ «____» __________ 201_ г.
Декан факультета _______

(Ф.И.О.) ___________________ «____» __________ 201_ г.
СОГЛАСОВАНО:

Согласование с деканами выпускающих факультетов обязательно по всем дисциплинам

Декан (ы) факультета(ов) _______

(Ф.И.О.) ___________________ «____» __________ 201_ г.
Начальник Методического управления

Васильев Н.В. ___________________ «____» __________ 201_ г.

1 2

	Памятка (силлабус) Учебной дисциплины «Технологические процессы в машиностроении» Модуль Курс Технологические процессы в машиностроении, его составные части. Краткая характеристика, значение в технологической подготовке...		Программа дисциплины «Конституционное и муниципальное право России»... М. А. Краснов и д ю н., профессор В. Д. Мазаев, д ю н., профессор И. И. Овчинников
	Программа дисциплины «Конституционное и муниципальное право России»... М. А. Краснов и д ю н., профессор В. Д. Мазаев, д ю н., профессор И. И. Овчинников		Рабочая программа учебной дисциплины философия Составители: д ф н., профессор Сидоренко Н. И., д ф н., профессор Новикова Е. Ю., к ф н
	Рабочая программа учебной дисциплины (модуля) уголовное право (название... Костюк Михаил Федорович профессор кафедры уголовного права и процесса фгбоу впо «рэу им. Г. В. Плеханова», д ю н., профессор		Программа городской научной конференции школы молодых ученых «современное... Иок, проректор по ур сгту; Борщов А. С., профессор, директор испм; Устьянцев В. Б., профессор каф. Флс; Елютина М. Э., профессор,...
	Финакадемия Кафедра «Микроэкономика» О. В. Карамова Рецензенты: Вафина Н. Х., д э н., профессор кафедры «Микроэкономика», Сумароков В. Н. д э н., профессор, декан факультета «мэф»		Программа научно-исследовательского семинара «Современные проблемы... СПб ф гу-вшэ (д э н., профессор Ходачек А. М., д э н., профессор Виленчик В. И., д э н., профессор Малеева Т. В., д э н., профессор...
	Рабочая программа учебной дисциплины «история россии XVII xviii вв.» Хисамутдинова Р. Р., д и н., профессор, кафедра истории, методики преподавания истории и обществознания		Программа дисциплины "Межбюджетные отношения и региональные финансы"... Т. Г. Морозова, доктор географических наук, профессор взфэи, кафедра «Региональная экономика»
	Протокол ведения больных Научным центром акушерства, гинекологии и перинатологии Российской академии медицинских наук (академик рамн, профессор В. И. Кулаков,...		Программа дисциплины Ведение переговоров для направления 030200.... Авторы программы: Сергей Юрьевич Степанов, доктор психологических наук, профессор
	Программа кандидатского экзамена по научной специальности 13. 00.... Составители рабочей программы: профессор кафедры гуманитарных и социальных дисциплин, к п н. Горбачев В. Т.; профессор кафедры гуманитарных...		Программа вступительного экзамена в аспирантуру по научной специальности Составители рабочей программы: профессор кафедры гражданско-правовых дисциплин, д ю н., профессор Ситдикова Л. Б
	Санкт-Петербургский государственный университет Экономический факультет... Питерская Л. Ю., профессор Буров Л. А., профессор Ворошилова И. В., доценты Аджиева А. Ю., Колкарева Э. Н., Носова Т. П., Родин Д....		Рабочая программы дисциплины Лазерная спектроскопия Лекторы ...

Похожие: