Шумовые характеристики и оптимальная поглощенная мощность гетеродина Nbn нев смесителя терагерцового диапазона

Научный руководитель: Гольцман Григорий Наумович

доктор физико-математических наук, профессор

Официальные оппоненты

Кошелец Валерий Павлович, доктор физико-математических наук, профессор, зав.лабораторией Сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации Федерального гос.бюджетного учреждения науки Института радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН. Смирнов Андрей Владимирович, кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Отдела космических конструкций Астрокосмического центра Федерального гос.бюджетного учреждения науки Физического института им. П.Н. Лебедева РАН

Ведущая организация: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки

Институт физики микроструктур РАН

Защита состоится « 14 ».июня 2013 г. в 10⁰⁰ на заседании диссертационного совета Д.002.231.02 при ИРЭ им. В А. Котельникова РАН по адресу: 125009, Москва, ул. Моховая, д.11, корп.7.
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИРЭ им. В А. Котельникова РАН.

Автореферат разослан «   » мая 2013 г.


Ученый секретарь диссертационного совета

доктор физико-математических наук Потапов Александр Алексеевич


Общая характеристика работы
Актуальность работы

Сравнительно недавно, с развитием приборной базы, для радиоастрономических наблюдений оказались доступны субмиллиметровый и дальний инфракрасный диапазоны длин волн. Эти диапазоны интересны в первую очередь тем, что на них приходится большая часть энергии электромагнитного излучения космического пространства. В этих диапазонах находятся спектральные линии химических соединений, важных для космологии, планетарной астрономии, экологии и др. областей такие как: С⁺, СО, СН, СН⁺, CH₃D, HCN, HNC, О₂, НСl, HF, Cl, ОН, ОН⁺, MgH, Н₂0, 0₃ (ТГц диапазон); NaH, LiH, СН, СН⁺, NH, NH₃, С₂Н₂, С₂Н₆, OD, 0₃, HDO, HF, CFC, HCFC, HFC, D₂0 (ИК область до 30 ТГц). В случае, когда при наблюдении спектральной линии определяется её принадлежность к “спектральной подписи” какого - либо соединения, то, исходя из её интенсивности, можно судить о распространенности этого соединения, а также о протекающих процессах в наблюдаемой области пространства. К примеру, линия С⁺ (158 мкм) является наиболее яркой в субмиллиметровом спектре излучения Млечного Пути, что говорит о высокой распространенности этого элемента в Галактике. По интенсивности этой линии определяются области звездообразования, где окружающие их пылевые скопления сильно разогреваются ультрафиолетовым излучением [1].

Ведение наблюдения в субмиллиметровом и, если говорить в терминах частот - терагерцовом диапазоне, непосредственно с поверхности земли является малоэффективным в виду сильного поглощения полезного сигнала парами воды и другими газами атмосферы. По этой причине наземные обсерватории располагаются в высокогорных областях, где атмосфера достаточно суха, при этом наблюдения ведутся лишь в нескольких доступных окнах прозрачности, лежащих в диапазоне частот от 1 до 1,5 ТГц [2]. Наиболее эффективным решением является проведение астрономических наблюдений, начиная с верхних слоёв атмосферы, к примеру, проект TELIS - воздушный шар [3] или со спутниковых обсерваторий – проект HERSCHEL [4].

Существенный прогресс спектроскопии субММ диапазона стал возможен после разработки малошумящих смесителей на туннельном переходе сверхпроводник – изолятор – сверхпроводник (СИС) [5, 6]. Шумовая температура СИС приемников всего в несколько раз превышает квантовый предел, однако резко увеличивается при частотах гетеродина выше частоты щели для используемого сверхпроводника (700 ГГц для Nb). На данный момент максимальная частота гетеродина, на которой продемонстрирована работа СИС смесители, составляет 1,4 ТГц [7].

В настоящий момент заметная часть значимых проектов терагерцовой астрономии (каналы наблюдения на частотах выше 1,25 ТГц) и исследования верхних слоёв атмосферы базируется на использовании сверхпроводниковых смесителей на горячих электронах – hot electron bolometers (HEB). При частотах выше 1,25 ТГц, HEB смеситель обладает самой высокой чувствительностью и требует низкого уровня мощности гетеродина. Так, шумовая температура, измеренная в двухполосном режиме, на момент начала данной работы, достигла для HEB смесителей 950 К на частоте гетеродина 2,5 ТГц [8]. Высокая чувствительность HEB смесителей обеспечила их применение в астрономических проектах Европейского космического агентства. Проекты SOFIA и TELIS предполагают воздушное базирование телескопов [3,9]. В SOFIA носителем инструмента является самолёт, в TELIS – аэростат. HEB смеситель, используемый в проекте TELIS, работает в диапазоне 1,76 1,86 ТГц, в этом диапазоне интенсивность спектральных линий таких соединений, как OH, HO₂, HOCl, NO и NO₂, особенно высока. Также, HEB смесители установлены в спектрометре GREAT, задействованном в проекте SOFIA, и позволяющем проводить исследования в трёх частотных диапазонах: 1.4 - 1.9, 2.6 и 4.7 ТГц. В терагерцовом канале диапазона 1,4   1,9 ТГц телескопа космического базирования HERSCHEL также используется HEB смеситель [4]. Проект МИЛЛИМЕТРОН [10], разрабатываемый на базе Астрокосмического Центра ФИАН им. П. Н. Лебедева, будет использовать HEB смесители для проведения исследований на частотах выше 1 ТГц. СубММ спектроскопия находит также применение и в чисто лабораторных исследованиях, например для диагностики высокотемпературной плазмы.

Физические явления, определяющие работу смесителя на эффекте электронного разогрева в сверхпроводнике, позволяют реализовать смеситель с шумовой температурой, близкой к квантовому пределу, и с полосой промежуточных частот большей, чем разработанные к настоящему моменту. В тонкой разупорядоченной металлической плёнке, лежащей в основе смесителей на эффекте электронного разогрева, поглощение излучения не селективно в диапазоне от мм волн до видимого света. При этом высокая чувствительность к излучению реализуется за счёт достаточно крутой температурной зависимости сопротивления при переходе в сверхпроводящее состояние. При температуре перехода в сверхпроводящее состояние время энергетической релаксации возбуждённых электронов очень мало, это теоретически позволяет создать на основе ультратонкой пленки NbN смеситель с полосой преобразования более 10 ГГц [11].

К моменту начала диссертационного исследования шумовая температура квазиоптических NbN смесителей составляла 700 K (1.63 ТГц) [12], 845 K (1.9 ТГц) [13], 950 K (2.5 ТГц) [8] и 1372 K (4.3 ТГц) [14]. Оптимальная поглощенная мощность подобных смесителей составляет порядка нескольких сотен нВт. Уменьшение шумовой температуры и оптимальной поглощенной мощности гетеродина, а также увеличение шумовой полосы NbN HEB смесителя представляет значительный практический интерес.

Рекордные по чувствительности и полосе преобразования смесители на частотах выше 1,25 ТГц могут найти широкое применение в разрабатываемых в настоящее время амбициозных радиоастрономических проектах, таких как:

1. 
   Проект МИЛЛИМЕТРОН. В рамках данного проекта планируется запуск космической обсерватории, оборудованной охлаждаемым зеркалом диаметром 12 м. Инструментальный комплекс обсерватории позволит вести наблюдения в диапазоне длин волн 20 мкм   2 см.
   
2. 
   Проект SOFIA. В SOFIA носителем инструмента является самолёт. HEB смесители установлены в спектрометре GREAT, задействованном в проекте, позволяют проводить исследования в трёх частотных диапазонах: 1.4 - 1.9, 2.6 и 4.7 ТГц.
   

Таким образом, актуальность представляемого диссертационного исследования определяется необходимостью разработки в терагерцовом диапазоне частот чувствительных гетеродинных приёмников с предельными характеристиками по шумовой температуре, шумовой полосе и необходимой мощности гетеродина.
Цель работы

Целью данной диссертационной работы является:

1. 
   Исследование характеристик на постоянном токе квазиоптических NbN HEB смесителей терагерцового диапазона частот на эффекте электронного разогрева, изготовленных из сверхпроводящих пленок NbN толщиной 3,5 нм по технологии in situ.
   
2. 
   Проведение анализа зависимости сопротивления NbN HEB смесителя, изготовленного по технологии in situ, от температуры.
   
3. 
   Исследование зависимости шумовой температуры NbN HEB смесителей, изготовленных по технологии in situ, от площади сверхпроводяшего мостика на частоте гетеродина 2,5 ТГц.
   
4. 
   Проведение измерений шумовой полосы NbN HEB смесителей, изготовленных по технологии in situ, на частоте гетеродина 2,5 ТГц.
   
5. 
   Исследование зависимости оптимальной поглощённой мощности гетеродина для NbN HEB смесителей, изготовленных по технологии in situ, от длины сверхпроводяшего мостика на частоте гетеродина 2,5 ТГц.
   

Объект исследования

В качестве объекта исследования выбраны квазиоптические HEB смесители, изготовленные на основе ультратонких пленок NbN толщиной 3.5 нм, осажденных на подложки из высокоомного кремния in situ со слоем золота Au толщиной 20 нм. Сверхпроводниковые мостики смесителей с размерами в плане 0.1 - 0.4 мкм в длину и 1 – 4 мкм в ширину, были интегрированы в планарную спиральную антенну.

Методы исследования

В работе применялись методы исследования температурной зависимости электрического сопротивления тонкопленочных сверхпроводниковых образцов, метод изотерм при определении поглощенной мощности гетеродина, метод Y – фактора при измерениях шумовой температуры и шумовой полосы смесителя. Измерения проводились при криогенных температурах.

Научная новизна

1. 
   В результате оптимизации технологического процесса изготовления контакта между планарной антенной и сверхпроводниковым болометром HEB смесителя удалось существенно уменьшить его шумовую температуру до уровня 600 К на частоте гетеродина 2.5 ТГц. Достигнутые значения шумовой температуры для HEB смесителей на частоте гетеродина 2.5 ТГц являются лучшими в мире.
   
2. 
   Оптимизация технологического процесса изготовления контакта между планарной антенной и сверхпроводниковым болометром HEB смесителя позволила реализовать в нём, кроме основного - фононного механизма релаксации электронной подсистемы болометра, дополнительный диффузионный механизм. При этом измеряемое значение шумовой полосы такого смесителя увеличилось до 7 ГГц на частоте гетеродина 2.5 ТГц, и ограничивается лишь рабочей полосой используемого в измерениях охлаждаемого усилителя.
   
3. 
   Показано, что оптимальная поглощенная мощность гетеродина на частоте 2.5 ТГц, при которой реализуется минимальная шумовая температура для NbN HEB смесителя, изготовленного по оптимизированной технологии, составляет 100 нВт.
   
4. 
   Использование in situ технологии при изготовлении HEB смесителей позволяет существенно улучшить их шумовые характеристики за счёт уменьшения потерь в местах контакта планарной антенны и сверхпроводящего мостика, а также значительно стабилизировать процесс изготовления по выходу годных и однородности характеристик в партии.
   

Практическая ценность работы

1. 
   Создан многофункциональный экспериментальный комплекс, обеспечивающий проведение научных исследований основных характеристик NbN HEB смесителей на частоте 2.5 ТГц.
   
2. 
   Разработана и проверена экспериментально технология последовательного осаждения пленки сверхпроводника и слоя золота без развакуумирования установки магнетронного распыления (in situ технология).
   
3. 
   Создан NbN HEB смеситель, обладающий рекордными значениями шумовой температуры и шумовой полосы на частоте гетеродина 2,5 ТГц.
   

Основные положения, выносимые на защиту

1. 
   Квазиоптический HEB смеситель на кремниевой подложке на основе ультратонкой пленки NbN толщиной 3,5 нм, изготовленный по технологии in situ, имеет двухполосную шумовую температуру 600 К на частоте излучения гетеродина 2.5 ТГц.
   
2. 
   Квазиоптические HEB смесители на кремниевой подложке на основе пленки NbN толщиной 3,5 нм, изготовленные по технологии in situ, имеют шумовую полосу 7 ГГц на частоте излучения гетеродина 2.5 ТГц.
   
3. 
   Квазиоптические HEB смесители на кремниевой подложке на основе пленки NbN толщиной 3,5 нм, изготовленные по технологии in situ, имеют оптимальную поглощенную мощность гетеродина в оптимальной по шумовой температуре точке 100 нВт на частоте излучения гетеродина 2.5 ТГц.
   
4. 
   Использование in situ технологии при изготовлении HEB смесителей позволяет существенно улучшить их шумовые характеристики за счёт уменьшения потерь в местах контакта планарной антенны и сверхпроводящего мостика, а также значительно стабилизировать процесс изготовления по выходу годных и однородности характеристик в партии.
   

Апробация работы

Основные результаты проведённых исследований опубликованы в 10 работах, в том числе в 4 статьях в журналах из рекомендованного списка ВАК, и в 6 расширенных тезисах по докладам на международных конференциях, список публикаций приведён в конце автореферата.

Работы публиковались в ведущих специализированных изданиях: “Радиофизика и электроника”, «Письма в Журнал технической физики», IEEE Transactions on Applied Superconductivity, “Applied Physics Letters”. Публикации по материалам диссертации полностью отражают ее содержание; они хорошо известны специалистам, на них имеются ссылки в научной периодике. Результаты представленных в диссертации исследований докладывались на ведущих международных конференциях в области сверхпроводниковой электроники:

• 
  International Symposium on Space Terahertz Technology (ISSTT 2008, 2009, 2010, 2011, 2012);
  
• 
  International Conference “Fundamental Problems of High-Temperature Superconductivity” (2008);
  

Личный вклад автора

В процессе работы автором создан многофункциональный экспериментальный комплекс, обеспечивающий проведение научных исследований основных характеристик NbN HEB смесителей на частоте 2.5 ТГц, экспериментально показана эффективность применения технологии in situ изготовления NbN HEB смесителей, экспериментально получены рекордные значения шумовой температуры и шумовой полосы NbN HEB смесителей, изготовленных по технологии in situ. Исследована зависимость основных характеристик NbN HEB смесителей от объема его сверхпроводникового мостика..

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения, списка публикаций автора и списка используемой литературы. Объем работы составляет 114 страниц, включая 14 рисунков и 5 таблиц. Библиография включает 102 наименования.
Основное содержание работы

Во введении обоснована актуальность темы диссертации и определены её цели. Сформулированы научная новизна, практическая ценность работы и положения, выносимые на защиту.

Глава 1. Обзор литературы и постановка задачи.

Первая глава носит обзорный характер и посвящена обзору теоретических и экспериментальных работ по исследованию детекторов субмиллиметрового диапазона длин волн. Из обширного материала по данному вопросу более подробно рассматриваются работы, связанные с изучением сверхпроводниковых НЕВ смесителей. В §1.1 рассматриваются приемники прямого детектирования. Параграф 1.2 посвящён супергетеродинным приемникам, используемым в субММ диапазоне длин волн для исследований атмосферы Земли, радиоастрономических исследований, и других применений. В §1.3. рассматриваются основные аспекты явления электронного разогрева в тонких пленках сверхпроводника в рамках модели однородного разогрева и теории нормального домена. В §1.4. представлено теоретическое описание механизмов работы смесителя на электронном разогреве с точки зрения модели однородного разогрева. Параграф 1.5 посвящен способам квазиоптического согласования сверхпроводящего мостика смесителя с излучением. В §1.6 обосновывается выбор объекта исследования, и формулируются основные задачи диссертационного исследования.

Глава 2. Технология изготовления и методика исследования HEB смесителя.

Вторая глава диссертации посвящена описанию технологических аспектов изготовления NbN HEB смесителей, также в главе подробно рассмотрены основные методики и экспериментальные установки по исследованию шумовых характеристик и характеристик на постоянном токе NbN HEB смесителей. В §2.1 изложены технология in situ осаждения двухслойной структуры NbN - Au на высокоомную кремниевую подложку и технология изготовления квазиоптических NbN HEB смесителей на её основе. В §2.2 описана конструкция терагерцового лазера на парах воды и технология изготовления выходного зеркала. В §2.3 излагается методика измерения зависимости сопротивления квазиоптического NbN HEB смесителя от температуры. Параграф 2.4 посвящен описанию экспериментальной установки и методике измерения шумовой температуры и шумовой полосы квазиоптического NbN HEB смесителя на частоте гетеродина 2.5 ТГц. Методика измерения оптимальной поглощённой мощности квазиоптического HEB смесителя на частоте гетеродина 2.5 ТГц подробно изложена в §2.5. В §2.6 приведены краткие выводы главы.

Глава 3. Исследования шумовой температуры HEB смесителя на частоте гетеродина 2,5 ТГц.

В §3.1 этой главы приведены результаты измерений основных DC характеристик HEB смесителей, таких как плотность критического тока, критическая температура и ширина сверхпроводникового перехода, а также приведён анализ характерной зависимости сопротивления HEB смесителя от температуры.

Показано отличие нормального сопротивления NbN HEB смесителей R_n по сравнению с расчётным ~ 50 - 60 Ом из поверхностного сопротивления пленки NbN и геометрических размеров болометра, более чем на 10 Ом. Причина этого связана с омическим сопротивлением планарной антенны. Это утверждение подтверждается сопоставлением результатов измерения зависимости сопротивления смесителя от температуры с закороченным сверхпроводящим мостиком и не закороченным. На Рис. 1 и Рис. 2. представлены характерные зависимости сопротивления от температуры для не закороченного смесителя, и смесителя с закороченным мостиком, соответственно. Из Рис. 1 видно, что смеситель имеет два сверхпроводниковых перехода. Первый переход, в области 9,5 К, соответствует сверхпроводниковому переходу NbN мостика, при этом сопротивление смесителя падает до уровня ~ 10 - 15 Ом. Плёнка NbN лежащая под антенной, при этом, находится в нормальном состоянии. При дальнейшем понижении температуры, в области 7 К, наблюдается второй переход, он соответствует переходу пленки NbN под рукавами антенны в сверхпроводящее состояние. После второго перехода сопротивление смесителя падает до уровня ниже 1 Ом, то есть, при температуре ниже 7 К, пленка NbN под рукавами антенны шунтирует её сопротивление. Подавление Т_с в пленке NbN под антенной можно объяснить проявлением эффекта близости между слоем золота антенны и пленкой NbN под ним, это возможно только в случае отсутствия энергетического барьера на границе NbN-Au, который препятствует диффузии куперовских пар из пленки NbN [17]. Для проверки правильности предположений о принадлежности переходов тем или иным частям смесителя в эксперименте использовался смеситель с закороченным NbN мостиком in situ Au. Из Рис. 2 можно получить распределение сопротивления в антенне. На Рис. 2 при более подробном рассмотрении можно выделить два перехода, как и на Рис. 1. Антенна смесителя состоит из двух частей – внешней и внутренней, отличающихся толщиной образующего их слоя Au. Учитывая этот факт можно говорить, что первый переход соответствует переходу



Рис. 1. Зависимость сопротивления не закороченного смесителя от температуры.


Рис. 2. Зависимость сопротивления закороченного смесителя от температуры.
сверхпроводниковой пленки NbN под in situ золотом толщиной 20 нм (внутренняя часть антенны), второй — переход пленки NbN под внешней частью планарной антенны с толщиной золота 220 нм. Разница сопротивлений над первым и над вторым переходами равна сопротивлению in situ слоя золота внутренней части антенны, по сути являющейся контактными площадками к сверхпроводящему мостику и составляет порядка 7,5 Ом, оставшиеся 2,5 Ом приходятся на внешнюю часть спирали планарной антенны. Наличие второго перехода для смесителя с закороченным мостиком говорит об отсутствии контактного сопротивления между in situ золотом внутренней части антенны и золотом внешней части, так как подавление Т_с за счёт эффекта близости зависит от толщины слоя металла над сверхпроводником.

Таким образом, в §3.1 показано, что использование in situ технологии при изготовлении смесителей позволяет исключить появление энергетического барьера на границе NbN-Au, то есть между портами планарной антенны и сверхпроводящим мостиком смесителя.

Параграф 3.2 посвящен результатам исследованиям шумовой температуры супергетеродинного приёмника на частоте гетеродина 2,5 ТГц. Относительная погрешность измерения T_n в эксперименте не превышала 5 %. Погрешность измерения T_n в большей степени определялась нестабильностью гетеродинного источника и как следствие флуктуациями выходной мощности смесителя, а также точностью определения яркостной температуры нагрузок.

На Рис. 3 представлены ВАХ исследуемого смесителя 1178/1 #21 при различных уровнях мощности гетеродина на частоте 2.5 ТГц, а также зависимость измеренной шумовой температуры смесителя от положения рабочей точки (поле шумовых температур). Минимальная шумовая температура T_n = 600 К достигалась при значении напряжения смещения 0.5 - 0.7 мВ и токе смещения 30 – 35 мкА.

В данном параграфе также показано, что при учете вклада в шумовую температуру потерь оптического тракта, составляющих 3,17 дБ с эквивалентной шумовой температурой 96,6 К, шумовая температура самого смесителя равна 250 К, что составляет порядка 2 × hν/k_Б, где h – постоянная Планка, ν — частота гетеродина, k_Б— постоянная Больцмана.



Рис. 3. ВАХ NbN НЕВ смесителя 1178/1 #21 при различном уровне мощности гетеродина на частоте 2.5 ТГц и зависимость шумовой температуры NbN НЕВ смесителя от положения рабочей точки.
При этом полные потери преобразования смесителя равнялись отношению рассчитанной через U–фактор (отношение мощности шумов на выходе тракта ПЧ нагруженного на смеситель в рабочей точке к шумам тракта ПЧ когда смеситель находится в сверхпроводящем состоянии) шумовой температуре смесителя Т_{n mix} к измеренной Т_res шумовой температуре:

η = Т_{n mix} / Т_res,

Т_{n mix} = (Т_нагр + Т_ПЧ )U= 27.6, Т_нагр = 4.2 К, Т_ПЧ = 5 К, значение Т_res = 600 К и U–фактор, равный 3, были получены экспериментально для смесителя 1178/1 #21. При этом, полные потери преобразования η смесителя 1178/1 #21 составляют 13,4 дБ. Учтя потери в оптике 3,17 дБ, собственные потери преобразования составили 10,2 дБ.

Параграф 3.3 посвящен результатам исследования зависимости шумовой температуры квазиоптического NbN in situ смесителя на частоте гетеродина 2,5 ТГц от размеров сверхпроводящего мостика. Показано, что зависимость шумовой температуры NbN НЕВ смесителя от ширины мостика имеет ярко выраженный минимум. На Рис. 4 представлена экспериментальная зависимость шумовой температуры in situ смесителя от ширины его NbN мостика. Довольно большой разброс по шумовой температуре, порядка 1000 К, для образцов из одной партии (с одинаковой шириной NbN мостика) можно объяснить неоднородностью толщины пленки NbN по подложке, а также влиянием технологических процессов на пленку NbN в процессе изготовления смесителя.



Рис. 4. Зависимость шумовой температуры смесителя от ширины сверхпроводящего мостика смесителя.

В отличие от ex situ смесителей при уменьшении ширины мостика NbN, и, как следствие, уменьшении площади контакта антенны и мостика, шумовая температура исследуемых смесителей не возрастала, а уменьшалась. Падение продолжается до ширины мостика 0,25 μм, при этой ширине минимальная шумовая температура смесителя составляла 600 К. Ход зависимости шумовой температуры в области ширин NbN мостика более 2 мкм, совпадает с расчётным, с точки зрения теории однородного разогрева в сверхпроводнике. Однако, при дальнейшем уменьшении ширины мостика NbN, и, как следствие его длины, шумовая температура смесителя начинает расти, расходясь с представлениями теории. Возможное объяснение заключается в том, что длина мостика при его ширине приближается к диффузионной длине в NbN. При этом электрон, поглотив высоко энергичный фотон, без взаимодействия с другими электронами, уходит в массивный металлический контакт без изменения электронной температуры в мостике. Возбужденный электрон не участвует в процессе отклика смесителя на излучение сигнала. Если это предположение верно, то кроме потерь в полезном сигнале, работа дополнительного диффузионного канала охлаждения электронной подсистемы должна оказать влияние и на оптимальную поглощенную мощность гетеродина. Данный вопрос представляет научный интерес и требует дальнейшего целенаправленного и более подробного изучения.

В §3.4 кратко сформулированы основные результаты главы. Результаты, изложенные в данной главе, могут быть сформулированы следующем образом:

1. 
   HEB смесители изготовленные по технологии in situ имеют два сверхпроводниковых перехода, появление второго перехода объясняется проявлением эффекта близости и говорит о хорошем электрическом контакте между портами антенны и сверхпроводниковым мостиком.
   
2. 
   Лучшая не корректированная шумовая температура HEB смесителя изготовленного по технологии in situ составляет 600 К. Шумовая температура, корректированная на потери оптического тракта и шумы тракта промежуточных частот, составляет 250 К. Собственные потери преобразования смесителя составили 10,2 дБ.
   
3. 
   Зависимость шумовой температуры смесителя от ширины сверхпроводящего мостика имеет ярко выраженный минимум на уровне 600 К при ширине мостика 2,5 мкм и длине 0,25 мкм. Явление увеличения шумовой температуры при ширинах менее 2,5 мкм не объясняется с точки зрения теории однородного разогрева в сверхпроводниках и требует дальнейшего изучения.