Скачать 440.48 Kb.
|
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Ивановский государственный химико-технологический университет» Факультет неорганической химии и технологии Кафедра технологии приборов и материалов электронной техники УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС По дисциплине «Физическая электроника и электронные приборы».подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ, МАТЕРИАЛОВ И ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Составитель: д.х.н., профессор В.И. Светцов Иваново, 2011 г. 1. Выписка из ГОСУДАРСТВЕННОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО СТАНДАРТА ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
Р А Б О Ч А Я У Ч Е Б Н А Я П Р О Г Р А М М А По дисциплине "ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ"Курс 4. Семестр 7. Зачет. экзамен - 7 семестр. Всего часов по дисциплине: 185 Аудиторные занятия: 90 час. Лекции - 45 час. Лабораторно-практические занятия - 45 час. Самостоятельная работа - 95 час. 1. ВВЕДЕНИЕ. 1.1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ПРЕПОДАВАНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ: Целью дисциплины является изучение физики электронных процессов в вакууме, газах, твердых телах, на границах раздела сред и принципов построения и работы электронных приборов различного назначения. Это одна из основных теоретических дисциплин специальности, ибо без знания физики работы приборов невозможны сознательные и эффективные подходы к разработке и организации технологических процессов. 1.2. ТРЕБОВАНИЯ ПО ДИСЦИПЛИНЕ. Специалист должен: - иметь представление о современном состоянии и перспективах развития электроники и электронных приборов, их принципах действия, функциональных возможностях и областях применения. - знать физические процессы, протекающие при движении электронов в вакууме, газах, твердых телах и на границах раздела сред и физические основы работы основных классов электронных приборов. - владеть методами измерения параметров и характеристик электронных приборов, оценочных расчетов основных эксплуатационных характеристик. 2.СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ (Учебные модули). 2.1.Модуль 1. Вакуумная и газоразрядная электроника. 2.1.1.Лекционный материал: 15 час. Электрон и его свойства. Электроны в металлах. Термоэлектронная эмиссия металлов. Вывод и анализ уравнения Ричардсона-Дэшмана. Простые металлические термокатоды. Влияние адсорбции атомов и молекул на работу выхода электронов из металла. Пленочные термокатоды. Эффект Шоттки. Эмиссия с поверхности полупроводников. Оксидный катод. Фотоэлектронная эмиссия. Основные закономерности, сложные фотокатоды. Вторичная электронная эмиссия и её применение в приборах. Фотоэлектронные умножители. Автоэлектронная эмиссия. Экзоэлектронная эмиссия. Эмиссия электронов под действием ионной бомбардировки. Электронная оптика - основные понятия. Электронные линзы. Движение электронов в магнитных полях. Магнитные линзы. Электронно-оптические системы и принципы их построения. Особенности формирования интенсивных пучков. Ионно-оптические системы. Отклонение электронов в электрических и магнитных полях. Отклоняющие системы. Принципы построения и работы электронно-лучевых приборов. Приемные ЭЛТ ( осциллографические, черно-белые и цвет- ные кинескопы, проекционные и др. трубки ). Передающие ЭЛТ (диссекторы, суперортиконы, видиконы и супервидиконы). Запоминающие ЭЛТ. Электронно-оптические преобразователи. Движение электронов в режиме объемного заряда. Вывод уравнения "трех вторых". Вольт-амперная характеристика вакуумного диода. Физические основы работы вакуумных триодов, тетродов, пентодов. Особенности движения электронов в СВЧ-полях. Наведённые токи. Физические основы работы клистронов, ламп бегущей волны, магнетронов. Основные направления развития вакуумной электроники. Движение электронов в газах. Столкновения. Элементарные процессы при столкновениях электронов с атомами и молекулами. Несамостоятельный разряд и его применение в приборах. Пробой разрядного промежутка. Закон Пашина. Тлеющий разряд. Феноменологическое описание. Теория катодных областей разряда. Приборы тлеющего разряда. Физические основы дугового и искрового разряда. ВЧ и СВЧ разряды. Коронный разряд. Применение разрядов. Плазма - основные понятия. Параметры плазмы и их определение. Диффузионная теория плазмы. Особенности теории плазмы низкого и высокого давлений. Излучение плазмы и его применение в приборах. Газоразрядные индикаторные панели. Газоразрядные лазеры. Основные направления развития газоразрядной электроники. 2.1.2.Лабораторные занятия: 12 час. -определение эмиссионных постоянных вольфрамового термокатода; -исследование закономерностей вторичной электронной эмиссии в ФЭУ. -исследование осциллографической электроннолучевой трубки и кинескопа ; -изучение параметров и характеристик приемно-усилительных ламп (диоды, триоды, тетроды, пентоды); -характеристики и параметры стабилитронов и тиратронов; -измерение параметров плазмы; -пробой разрядного промежутка; -исследование излучения плазмы; 2.1.3.Практические занятия: 3 час. - расчеты плотности тока термоэмиссии и выбор материала катода по заданным требованиям; - выбор материала фотокатода по заданным требованиям; - анализ явления вторичной электронной эмиссии, выбор материала эмиттера, расчеты ФЭУ. - анализ работы и расчеты электрических и магнитных линз; - принципы построения электронно-оптических систем; - анализ работы и расчеты электрических и магнитных отклоняющих систем; - физика работы электронно-лучевых приборов; - анализ работы и расчеты приборов в режиме объемного заряда; - анализ работы СВЧ приборов. - анализ процессов столкновений электронов с тяжелыми частицами, закономерности движения заряженных частиц в газах; - несамостоятельные разряды и приборы на их основе, пробой разрядного промежутка; - анализ условий возникновения и горения тлеющего, дугового, искрового разрядов, приборы на из основе; - расчеты параметров неравновесной плазмы и кинетических коэффициентов; - анализ работы лазеров и газоразрядных индикаторных панелей. 2.1.4. Самостоятельная работа: 30 час. Выполнение индивидуального расчетного задания (с применением ЭВМ). Подготовка к лабораторным и практическим занятиям, промежуточному контролю. Оформление отчетов по лабораторным работам. 2.2. МОДУЛЬ 2. Твердотельная электроника и микроэлектроника. 2.3.1. Лекционный материал: 15 час. Свойства полупроводников. Влияние температуры, света, внешнего поля на электропроводность полупроводника. Термисторы, фоторезисторы, варисторы. П-Р переход и его свойства. Вывод формулы вольт-амперной характеристики п-р перехода. Пробой п-р перехода. Полупроводниковые диоды: классификация, характеристики, применение. Физические основы работы биполярного транзистора. Подход к расчету транзисторов. Ширина и емкость п-р перехода. Физические основы работы полевых транзисторов. МДП-транзисторы. Физические основы работы диодов Ганна, туннельных диодов, лавиннопролетных диодов. Многослойные структуры. Физические основы микроэлектроники. Классификация микросхем по степени интеграции и функциональному назначению. Элементы и компоненты микросхем. Фотоэлектронные эффекты в п-р переходах. Фотодиоды, фототранзисторы, светодиоды, полупроводниковые лазеры. Основы оптоэлектроники. Основные направления развития твердотельной электроники. 2.2.2. Лабораторные занятия: 12 час. -измерение характеристик и параметров полупроводниковых диодов; -измерение характеристик и параметров биполярных транзисторов; -исследование влияния температуры на параметры и характеристики диодов и транзисторов; -измерение параметров микросхем; -исследование полупроводниковых фотоэлектронных приборов. 2.2.3. Практические занятия: 3 час. - полупроводниковые материалы и приборы на их основе; - расчеты характеристик электронно-дырочного перехода в равновесном состоянии; - расчеты ВАХ полупроводникового диода, ширины и емкости перехода; - анализ работы и подходы к расчету транзисторов; - активные и пассивные элементы микросхем, физические основы микроэлектроники; - анализ работы оптоэлектронных приборов и устройств, основные направления функциональной электроники. 2.2.4. Самостоятельная работа: 30 час. Выполнение индивидуального расчетного задания (с применением ЭВМ). Подготовка к лабораторным и практическим занятиям, промежуточному контролю. Оформление отчетов по лабораторным работам. 2.3. Модуль 3. Оптическая и квантовая электроника. 2.3.1. Лекционный материал. 15 часов. Исторические этапы развития квантовой электроники. Энергетические состояния атомов, молекул и твердых тел. Взаимодействие электромагнитного излучения с атомными системами и твердыми телами. Спонтанные и вынужденные переходы, форма и ширина спектральных линий. Усиление и генерация оптического излучения, методы создания инверсии. Резонаторы оптического диапазона. Активные среды лазеров. Общие особенности и характеристики лазерного излучения. Твердотельные лазеры, типы, особенности устройства, основные характеристики, области применения. Газовые лазеры, устройство и принципы работы. Атомные, ионные, молекулярные газовые лазеры. Лазеры на самоограниченных переходах, эксимерные лазеры. Области применения газовых лазеров. Фотоэлектрические явления и излучательная рекомбинация в полупроводниках. Полупроводниковые лазеры, типы, особенности устройства, основные характеристики, области применения. Жидкостные лазеры, типы, особенности устройства, основные характеристики, области применения. Исторические этапы развития оптической электроники. Взаимодействие электромагнитного излучения с атомными системами и твердыми телами. Физические основы оптоэлектроники. Элементы оптоэлектронных устройств. Источники излучения, полупроводниковые лазеры, светоизлучающие диоды. Фотоприемники. Компоненты оптических схем и световоды. Волоконно-оптические линии связи. Модуляторы, дефлекторы и преобразователи электрических сигналов. Оптические методы обработки информации. Оптические характеристики твердых тел. Механизмы оптического поглощения, влияние внешних воздействий на свойства твердых тел. Отображение информации. Оптоэлектронные датчики и преобразователи. Оптические запоминающие устройства. Основные направления и перспективы развития оптоэлектроники. 2.3.2. Перечень лабораторных работ: 12 часов. - Исследование спонтанных спектров излучения газов; - исследование гелий-неонового лазера; - исследование характеристик и параметров излучения лазера на неодимовом стекле; - исследование поляризации и когерентности лазерного излучения; - исследование поглощения и рассеяния излучения твердыми телами; - исследование параметров и характеристик полупроводниковых приемников излучения; - исследование параметров и характеристик светодиода; - исследование волоконно-оптического световода; - изучение параметров и характеристик оптопары. 2.3.3. Практические занятия: 3 час. - анализ и расчеты взаимодействия электромагнитного излучения с атомными системами и твердыми телами; - анализ двух, трех и четырех уровневых схем генерации лазерного излучения; - анализ методов создания инверсной заселенности уровней и расчеты усиления в лазерных системах; - анализ работы и оценки параметров твердотельных, полупроводниковых, газовых и жидкостных лазеров; - анализ и расчеты оптических характеристик твердых тел с учетом внешних воздействий; - анализ работы, выбор источников и приемников излучения для различных областей спектра. 2.3.4. Самостоятельная работа: 35 часов Обработка и анализ результатов лабораторных работ, подготовка к коллоквиуму, практическим занятиям, письменному экзамену. 3. ФОРМЫ ОТЧЕТНОСТИ: 3.1. Коллоквиумы - один по каждому лабораторному модулю, всего 3 коллоквиума по графику. 3.2. Контрольные работы - письменные экзамены или тестирование по каждому модулю, всего 3, по графику. 4. РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА 4.1. Основная: 1. Светцов, В. И., Холодков,, И. В. Физическая электроника и электронные приборы .— Иваново, 2008 .— 494 с. 2. Дудкин, В.И. Квантовая электроника. Приборы и их применение : учеб. пособие для вузов. - М. : Техносфера, 2006. - 432 с. 3. Светцов, В. И. Оптическая и квантовая электроника.— Иваново, изд. ИГХТУ, 2010 .— 196 с. 4. Пасынков, В. В., Чиркин, Л. К. Полупроводниковые приборы .— СПб.: Лань, 2001 .— 479 с. 5. Терехов, В.А. Задачник по электронным приборам .— СПб.: Лань, 2003 .— 278с. (40) 6. Светцов Вакуумная и плазменная электроника .— Иваново, 2003 .— 171с. 4.2. Дополнительная: 1. Ефимов, И.Е., Козырь, И.Я. Основы микроэлектроники .— М.: Высш.шк., 1983 .— 384с. 2. Соболев, В. Д. Физические основы электронной техники. М.: Высшая школа, 1979. 448 с. 3. Фридрихов, С.А., Мовнин, С.М. Физические основы электронной техники.М.: Высшая школа, 1982. 608с. 4. Денискин, Ю.Д., Жигарев, А.А., Некрасова, И.Ф. Сборник вопросов по курсу "Электронные приборы" .— М.: Энергия, 1972 .— 296с. 5. Сушков Вакуумная электроника : Физико-технические основы. СПб.: Лань, 2004. 462 с 6. Германюк, В.Н. Сборник задач по электровакуумным полупроводниковым приборам .— М.: Высш.шк., 1973 .— 126с. 5. ПРИМЕНЕНИЕ ЭВМ. 5.1. Перечень программ для расчетов на ЭВМ: -распределение электронов в металлах; -эмиссионные характеристики термокатодов; -расчет отклоняющих систем; -расчет электронно-оптических систем; -характеристики вакуумного диода; -полупроводниковые диоды; -биполярные транзисторы; -полевые транзисторы; -кинетика элементарных процессов в газовых разрядах. -обработка экспериментальных данных, полученных при выполнении лабораторных работ; 5.2. Обучающе-контролирующие системы: - тренировочные и контрольные тесты по каждому модулю; - текст лекций с контрольными вопросами для самопроверки. 5.3. Справочно-информационные системы: - база данных по приборам оптической и квантовой электроники, электровакуумным, полупроводниковым и газоразрядным приборам. |
«Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов... Поэтому важность изучения таких вопросов при подготовке инженера-технолога очевидна. Дисциплина предлагается для свободного выбора... | Рабочая программа подготовки специалистов в интернатуре по специальности «Психиатрия» Рабочая программа подготовки специалистов в интернатуре по специальности «Психиатрия» составлена на основании Образовательного стандарта... | ||
Программа подготовки клинических ординаторов по специальности «Терапия»... Программа составлена на основании Государственного стандарта послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим медицинским... | Программа дисциплины «Лазерные информационные и управляющие си стемы»... Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов направления подготовки специальности... | ||
Образовательный стандарт послевузовской профессональной подготовки... Постдипломная подготовка по рентгенологии (первичная специализация, клиническая ординатура, тематическое усовершенствование) | Методические рекомендации к изучению дисциплины для студентов специальности... Изучение этих проблем обусловлено сугубо прагматическими требованиями к качеству подготовки специалистов-политологов с высшим университетским... | ||
«согласовано» Руководитель департамента образовательных медицинских... Государственный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим медицинским образованием по специальности... | «согласовано» Руководитель департамента образовательных медицинских... Государственный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим медицинским образованием по специальности... | ||
Методические рекомендации по преподаванию специальности педиатрия.... Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим образованием по специальности «педиатрия»... | Методические рекомендации по преподаванию специальности педиатрия.... Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим образованием по специальности «педиатрия»... | ||
Методические рекомендации по преподаванию специальности педиатрия.... Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим образованием по специальности «педиатрия»... | Методические рекомендации по преподаванию специальности Учебный план... Послевузовской профессиональной подготовки специалиста с высшим медицинским образованием по специальности «кардиология» | ||
Образовательная программа повышения квалификации врачей по специальности... «Образовательного стандарта послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим медицинским образованием» по специальности... | Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки... Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалиста с высшим медицинским образованием по специальности... | ||
Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки... Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалиста с высшим образованием по специальности «травматология... | Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки... Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалиста с высшим медицинским образованием по специальности... |