«Физическая электроника и электронные приборы». подготовки специалистов с полным высшим образованием по специальности
Скачать 440.48 Kb.
|
9. Перечень лабораторного оборудования и оргтехники, используемых при проведении лабораторного практикума При проведении лабораторного практикума используется дисплейный класс кафедры (10 ПЭВМ типа Pentium), а так же стенды и установки для исследования
- спонтанных спектров излучения газов; - гелий-неонового лазера; - характеристик и параметров излучения лазера на неодимовом стекле; - поляризации и когерентности лазерного излучения; - поглощения и рассеяния излучения твердыми телами; - параметров и характеристик полупроводниковых приемников излучения; - параметров и характеристик светодиода; - волоконно-оптического световода; - параметров и характеристик оптопары. - характеристик и параметров полупроводниковых диодов; - характеристик и параметров биполярных транзисторов; - влияния температуры на параметры и характеристики диодов и транзисторов; - параметров микросхем; - полупроводниковых фотоэлектронных приборов. Перечень оборудования на каждой установке приводится в учебном пособии «Лабораторный практикум по физической электронике и электронным приборам» под ред. В.И.Светцова. Иваново, изд. ИГХТУ, 2002 год, 236 с. 10. Комплект заданий для самостоятельной работы, тематика рефератов по дисциплине Для самостоятельной работы используются задания и задачи, приведенные в перечисленных ниже учебных пособиях: 1. В.И. Светцов. Вакуумная и газоразрядная электроника. Иваново, изд. ИГХТУ, 2003 г. 2. В.И. Светцов. Оптическая и квантовая электроника. Минск, 2000 г., 112 с., изд. ИГХТУ. 2002 г., 112 с. 3. И.В. Холодков, А.М. Ефремов, В.И. Светцов. Твердотельная электроника. Иваново, Изд. ИГХТУ, 2004 г., 196 с. 4. Денискин Ю.Д. и др. Сборник вопросов по курсу "Электронные приборы":Учеб.пособие для вузов/ Денискин Ю.Д.,А.А.Жигарев,И.Ф.Некрасова;.-М.:Энергия,1972.-296 с. 5. Германюк В.Н. Сборник задач по электровакуумным полупроводниковым приборам: Учеб.пособие. - 2-е изд., доп. -М.: Высш.шк., 1973. 126 с. 6. В.А. Терехов. Задачник по электронным приборам. Учебное пособие. СПб, Лань, 2003, 278 с. Примерные темы рефератов: 1. Физические основы и элементная база оптоэлектроники. 2. Светоизлучающие полупроводниковые приборы. 3. Полупроводниковые приемники излучения. 4. Световоды. 5. Криоэлектроника. 6. Акустоэлектроника. 7. Магнитоэлектроника. 8. Диэлектрическая электроника. 9. Приборы на эффекте Ганна. 10. Приборы с зарядовой связью. 11. Аморфные полупроводнини и приборы на их основе. 12. Органические полупроводники и возможности их применения в электронной технике. 13. Приборы на основе арсенида галлия. 14. Биоэлектроника. 15. Хемотроника. 16. Фотоумножители на микроканальных пластинах. 17. Электронно-оптические преобразователи. 18. Применение волоконно-оптических и микроканальных пластин для усиления яркости изображения. 19. Лазеры на парах металлов. 20. Эксимерные лазеры. 21. Полупроводниковые лазеры. 22. Гетеропереходы и их применение в приборах. 23. Новые приборы на основе арсенида галлия. 24. Твердотельные приборы на основе соединений элементов второй и шестой групп. 25. Твердотельные приборы на основе соединений элементов четвертой группы. 26. Жидкокристаллические системы отображения информации. 27. Физика электролюминесцентных панелей. 28. Системы отображения информации на основе полупроводниковых приборов. 29. Газоразрядные индикаторные панели в системах отображения информации. 30. Новые электронно-лучевые приборы. 11. Комплект контрольно-измерительных материалов для текущего, промежуточного и итогового контроля Контроль знаний студентов на всех этапах осуществляется путем компьютерного тестирования. Комплект тестовых заданий по дисциплине состоит из 300 заданий – в основном закрытого типа. Выдаваемый каждому студенту индивидуальный тест включает 20 заданий по каждому модулю и генерируется с помощью специальной программы. Время проведения тестирования рассчитывается исходя из двух минут на одно задание. Пример контрольного теста приведен ниже. Варианты заданий для программированного контроля студентов Вакуумная электроника При движении электрона в магнитном поле: 1. траектория движения не изменяется 2. траектория движения изменяется 3. энергия электрона не изменяется Волновые свойства электрона проявляются, если его движение ограничено областью пространства, линейные размеры которого по отношению к длине волны Де-Бройля электрона 1. много меньше 2. соизмеримы 3. много больше Для нахождения энергии уровня Ферми в металле необходимо знать: 1. концентрацию электронов в металле 2. работу выхода электронов из металла 3. среднюю энергию электронов в металле С увеличением работы выхода электронов из металла плотность термоэлектронного тока: 1. линейно возрастает 2. увеличивается экспоненциально 3. уменьшается Фотоэлектронная эмиссия - это испускание электронов под действием 1. нагревания 2. электрического поля 3. электромагнитного излучения Типичная спектральная характеристика фотокатода имеет вид 1. монотонно растущей кривой 2. монотонно убывающей кривой 3. кривой с максимумом Глубина проникновения первичных электронов в металл пропорциональна их энергии 1. в степени 1/2 2. в степени 3/2 3. в степени 2 Автоэлектронная эмиссия – это испускание электронов твердым телом под действием 1. электромагнитного излучения 2. нагревания 3. внешнего электрического поля Основным условием существования объемного заряда в вакуумном диоде является 1. превышение тока эмиссии над анодным током 2. равенcтво тока эмиссии и анодного тока 3. превышение анодного тока над эмиссионным Рабочим режимом вакуумного диода является 1. режим насыщения 2. режим объемного заряда 3. любой участок ВАХ диода Сетка в триоде служит для 1. снижения анодного напряжения 2. управления анодным током 3. управления плотностью объемного заряда Коэффициент усиления триода – это частная производная 1. анодного тока по анодному напряжению 2. анодного напряжения по анодному току 3. анодного напряжения по сеточному напряжению Динатронный эффект проявляется 1. только в диодах 2. только в триодах 3. только в тетродах В однородном магнитном поле траекторией электрона является 1. спираль 2. парабола 3. гипербола Чувствительность электростатической отклоняющей системы 1. растет с ростом длины отклоняющих пластин 2. растет с уменьшением длины отклоняющих пластин 3. не зависит от длины отклоняющих пластин В кинескопе используется 1. электростатическая фокусировка 2. электростатическое отклонение луча 3. магнитная фокусировка Осциллографические трубки относятся к ЭЛТ типа 1. передающих 2. приемных 3. запоминающих Напряженность однородного электрического поля между двумя параллельными пластинами 1. уменьшается от катода к аноду 2. увеличивается от катода к аноду 3. неизменна На участке насыщения ВАХ вакуумного диода анодный ток 1. постоянен 2. растет из-за проявления эффекта Шоттки 3. растет из-за проявления туннельного эффекта Вторичная электронная эмиссия – это испускание электронов под действием 1. нагревания 2. электромагнитного излучения 3. внешнего электрического поля Плазменная электроника При упругих столкновениях с атомами или молекулами газа электроны 1. теряют часть энергии пропорционально отношению масс 2. не обмениваются энергией 3. приобретают часть энергии пропорционально отношению масс Состояние вещества в виде низкотемпературной плазмы реализуется в 1. положительном столбе тлеющего разряда 2. катодных областях тлеющего и дугового разряда 3. искровом разряде При неупругих столкновениях второго рода с атомами и молекулами газа электроны 1. теряют большую часть энергии 2. теряют малую часть энергии 3. приобретают энергию Электронное возбуждение атомов и молекул газа при электронном ударе –это процесс столкновения 1. упругий 2. неупругий первого рода 3. неупругий второго рода Зависимость сечения возбуждения атомов и молекул при электронном ударе от энергии электронов имеет вид 1. экспоненциально возрастающей кривой 2. кривой с максимумом 3. кривой с минимумом В условиях неравномерного распределения электрического поля в разрядном промежутке, когда радиус кривизны одного электрода существенно отличается от другого, наиболее вероятно возникновение разряда 1. тлеющего 2. высокочастотного 3. коронного Прерывистый характер присущ разряду 1. дуговому 2. искровому 3. тлеющему Поддержание самостоятельного тлеющего разряда постоянного тока обеспечивается 1. термоэлектронной эмиссией 2. вторичной электрон-ионной эмиссией 3. фотоэлектронной эмиссией Для неравновесной газоразрядной плазмы низкого давления характерное соотношение энергии частиц газа (Ег), ионов (Еи) и электронов (Ее) имеет вид 1. Ее = Еи = Ег 2. Ее >> Еи > Ег 3. Еи > Ее > Ег Сверхвысокочастотные методы диагностики плазмы преимущественно применяются для исследования характеристик 1. дугового и высокочастотного разрядов высокого давления 2. искровых разрядов 3. тлеющего разряда низкого давления Образование заряженных частиц в объеме самостоятельного тлеющего разряда происходит в основном за счет: 1. термической ионизации 2. ионизации при прямом электронном ударе 3. фотоионизации Зависимость потенциала зажигания разряда от давления (кривая Пашена) имеет вид: 1. монотонно растущей кривой 2. монотонно убывающей кривой 3. кривой с минимумом Вольт-амперная характеристика дугового разряда (в виде зависимости напряжения от тока разряда) представляет собой 1. возрастающую кривую 2. прямую линию, параллельную оси тока 3. убывающую кривую В газовых стабилитронах используется участок вольт-амперной характеристики, соответствующий 1. аномальному тлеющему разряду 2. нормальному тлеющему разряду 3. дуговому разряду Закономерности развития какого разряда позволяет описать понятие стриммера 1. дугового 2. тлеющего 3. искрового Уменьшить напряжение зажигания тлеющего разряда можно 1. изготовив электроды из материала с меньшей работой выхода электронов 2. изготовив электроды из материала с большей работой выхода электронов 3. добавив к основному газу легкоионизируемую примесь Зондовые методы исследования плазмы позволяют определить 1. среднюю энергию электронов 2. концентрацию атомов в возбужденном состоянии 3. температуру нейтральной компоненты плазмы Скорость дрейфа электронов – это скорость: 1. теплового хаотического движения 2. скорость движения электронов на внешней орбите атома или молекулы 3. скорость направленного движения вдоль силовых линий поля Принцип Франка-Кондона заключается в: 1. постоянстве межъядерного расстояния при переходе в электронно-возбужденное состояние 2. постоянстве плотности тока в области нормального тлеющего разряда состояние 3. уменьшении коэффициента диффузии положительных ионов в тлеющем разряде низкого давления Ртуть в люминесцентных лампах используется: 1. для облегчения зажигания разряда 2. для создания инверсной заселенности в атомах неона 3. как источник УФ излучения Квантовая электроника Во сколько раз усиливается излучение по мощности, если коэффициент усиления составляет 20 дБ 1. в 10 раз 2. в 100 раз 3. в 20 раз Спонтанное испускание фотона веществом 1. требует внешнего воздействия магнитным полем 2. требует внешнего воздействия электрическим полем 3. не зависит от внешних воздействий Коэффициент Эйнштейна для вынужденного оптического перехода и среднее время жизни частицы в возбужденном состоянии связаны 1. логарифмической зависимостью 2. прямопропорциональной зависимостью 3. обратнопропорциональной зависимостью Доплеровское уширение спектральной линии 1. определяется временем жизни частиц в возбужденном состоянии 2. связано с частотой столкновения излучающих частиц 3. связано со скоростью хаотичного движения излучающих частиц Преимущество сферических зеркал оптических резонаторов перед плоскими заключается в том, что 1. их площадь больше 2. требуется значительно меньшая точность их установки 3. они выдерживают более высокую температуру Оптический резонатор в лазере служит для 1. создания инверсной заселенности в активной среде 2. поляризации излучения 3. многократного пропускания излучения через активную среду В гелий-неоновом лазере генерация излучения происходит 1. при переходах между электронными уровнями неона 2. при переходах между электронными уровнями гелия 3. при переходах между колебательными уровнями молекулы Ne2 Гелий в гелий-неоновом лазере необходим для 1. управления длиной волны излучения 2. увеличения коэффициента вторичной ион-электронной эмиссии 3. температурной стабилизации среды В эксимерных лазерах для создания инверсной заселенности используется 1. химическая реакция 2. прохождение потока газа через сопло 3. флуоресценция органического красителя Какой из перечисленных лазеров генерирует излучение в ультрафиолетовой области спектра? 1. рубиновый 2. эксимерный 3. на неодимовом стекле Выберите наиболее известные лазеры, работающие в инфракрасной области спектра 1. лазер на СО2 2. лазер на неодимовом стекле 3. гелий-неоновый лазер Выберите лазеры, работающие в видимой области спектра 1. гелий-неоновый лазер 2. эксимерный лазер 3. лазер на СО2 В веществе с двухуровневой энергетической схемой (Е1 < E2) с помощью системы накачки 1. инверсную заселенность получить невозможно 2. инверсная заселенность достигается при сравнительно малых мощностях накачки 3. инверсная заселенность достигается только при больших мощностях накачки Для создания лазера на n-p переходе необходимо применить 1. собственные кремний или германий 2. слаболегированные полупроводники 3. сильнолегированные полупроводники Одно из зеркал оптических резонаторов в лазерах делается полупрозрачным с целью 1. увеличить монохроматичность излучения 2. вывести излучение из объема резонатора 3. уменьшить размеры резонатора Степень монохроматичности лазерного излучения 1. обратно пропорциональна добротности резонатора 2. пропорциональна квадрату добротности резонатора 3. не зависит от добротности резонатора Добротность оптического резонатора 1. прямо пропорциональна его длине 2. обратно пропорциональна его длине 3. пропорциональна квадратному корню от его длины Наименьшим порогом создания инверсной заселенности обладает 1. одноуровневая система 2. двухуровневая система 3. трехуровневая система 4. четырехуровневая система Наличие столкновительного уширения спектральной линии лазерного излучения является характерной особенностью лазеров 1. полупроводниковых 2. жидкостных 3. газовых Какие из перечисленных типов лазеров позволяют изменять частоту излучения в широких пределах 1. рубиновый 2. лазер на красителях 3. гелий-неоновый |
Похожие:
 | «Корпускулярно-фотонные процессы и технологии». подготовки специалистов... Поэтому важность изучения таких вопросов при подготовке инженера-технолога очевидна. Дисциплина предлагается для свободного выбора... | | Рабочая программа подготовки специалистов в интернатуре по специальности «Психиатрия» Рабочая программа подготовки специалистов в интернатуре по специальности «Психиатрия» составлена на основании Образовательного стандарта... |
| Программа подготовки клинических ординаторов по специальности «Терапия»... Программа составлена на основании Государственного стандарта послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим медицинским... | | Программа дисциплины «Лазерные информационные и управляющие си стемы»... Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов направления подготовки специальности... |
| Образовательный стандарт послевузовской профессональной подготовки... Постдипломная подготовка по рентгенологии (первичная специализация, клиническая ординатура, тематическое усовершенствование) |  | Методические рекомендации к изучению дисциплины для студентов специальности... Изучение этих проблем обусловлено сугубо прагматическими требованиями к качеству подготовки специалистов-политологов с высшим университетским... |
| «согласовано» Руководитель департамента образовательных медицинских... Государственный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим медицинским образованием по специальности... | | «согласовано» Руководитель департамента образовательных медицинских... Государственный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим медицинским образованием по специальности... |
| Методические рекомендации по преподаванию специальности педиатрия.... Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим образованием по специальности «педиатрия»... | | Методические рекомендации по преподаванию специальности педиатрия.... Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим образованием по специальности «педиатрия»... |
| Методические рекомендации по преподаванию специальности педиатрия.... Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим образованием по специальности «педиатрия»... | | Методические рекомендации по преподаванию специальности Учебный план... Послевузовской профессиональной подготовки специалиста с высшим медицинским образованием по специальности «кардиология» |
| Образовательная программа повышения квалификации врачей по специальности... «Образовательного стандарта послевузовской профессиональной подготовки специалистов с высшим медицинским образованием» по специальности... | | Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки... Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалиста с высшим медицинским образованием по специальности... |
| Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки... Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалиста с высшим образованием по специальности «травматология... | | Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки... Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки специалиста с высшим медицинским образованием по специальности... |
