Скачать 117.81 Kb.
|
Внимание преподавателей гуманитарных предметов! 28 дек. в 12:19 28 дек. в 12:19Андреева Елена Витальевна 39 получателей: Ал.Гай Амерова▼, beketova.74@mail.ru▼, Бондарева▼, Базарный Карабулак Бекенева▼, Дедов▼, dinara_masja@mail.ru▼, engelnsch29@mail.ru ▼, СарИПКиПГО Гаврилова▼, Сафарова▼, Козлова▼, Карапетян▼, madinoni@mail.ru▼, Митченко▼, Балтай Киселева▼, Попонов▼, Scarlet8753@mail.ru▼, smirnoffon@mail.ru▼, Барышева Л.И. (СОШ с.Берез ово)▼, Красноармейский р-н Яковлева▼, село▼, Балашов Антипенко ▼, iagodpol@rambler.ru▼, irinantipenko@rambler.ru▼, Гаврилова▼, Маковейчук▼, Петровский Петрова▼, Николаева▼, Калининский р-н Бригадиренко▼, gormaral@yandex.ru▼, Красный Кут Лещенко▼, madina.nushaeva@yandex.ru▼, Сергиенко▼, Блльшая Дмитриевка Аброськина▼, Дворянчикова▼, Базарова▼, Суворова▼, Авонесян▼, я▼, Ульянова▼ КомуАл.Гай Амерова ▼, Scarlet8753@mail.ru▼, smirnoffon@mail.ru▼, Барышева Л.И. (СОШ с.Берез ово) Перевести Создать правило Свойства письма подробнее кратко Внимание преподавателей гуманитарных предметов! Уважаемые коллеги! Саратовский региональный ресурсный центр продолжает цикл бесплатных образовательно-методических вебинаров для учителей школ города и области и всех желающих. Напоминаем, что вебинары будут проводиться в дни школьных каникул, по итогам цикла будет выдаваться сертификат участника. На вебинар приглашаются учителя МХК, истории, а также завучи по воспитательной работе и все желающие. Тема вебинара: «Музейный комплекс - Государственный Русский музей» Вебинар состоится в пятницу 11 января 2013 г. в 11.00. Для участия необходимо: 1. Иметь компьютер и выход в Интернет 2. Зарегистрироваться на сайте VZOchat (в правом верхнем углу сайта http://vzochat.com/ru/Default.aspx кликнуть Регистрация и заполнить регистрационную форму) 3. Отправить письмо-заявку на e-mail: andreeva_ev@ssea.runnet.ru с указанием: Фамилия Имя Отчество E-mail Телефон раб.\моб.; Регистрационные данные VZOchat участника (VZOchat ID) 1 2 3 4 4. Далее вы получите ответ с пошаговой инструкцией подключения к вебинару. Дополнительную информацию можно узнать у начальника отдела инновационных технологий обучения СРРЦ Елены Витальевны Андреевой ежедневно с 10.00-17.00, кроме сб. и вскр. по тел.: (8452) 333-821, 21-17-02 Наш сайт: http://museum.seun.ru/ Адрес: 410003, г. Саратов, ул. Радищева, 89, СГСЭУ Видеоконференция dfkz1960
Сообщество Фотографии Блоги Новости Advertising Возможности Скачать Купи VZOplus Помощь Моя cтраница Мои фото Мой блог Мои настройки Мои платежи Контакты Входящие Виджеты Как создать свой блог. Всего 4 бесплатных урока и Вы владелец собственного блога bus.moiradosti100.ru Создать блог самому! Теперь создать самому блог можно не напрягаясь. Подробнее здесь! druchinblogger.ru Яндекс.ДиректВсе объявления Изменить аватару dfkz1960
О сeбе: Я закончила Сызранское педагогическое училище по специальности "Преподаватель ИЗО, черчения и технологии(мальчики)). Вот уже 33 год преподаю свои предметы. Работаю и в тоже время продолжаю учиться, т.е. иду в ногу со временем. В данный момент являюсь руководителем РМО учителей технологии. Свои работы выставляю на сайте schola.ru Блог Создать свой собственный блог Мои Фотографии Загрузить фото Посетители Посмотреть моих посетитей Друзья Найти новых друзей Адрес профиля http://vzochat.com/profile/dfkz1960 Видеозвонок http://videocall.ru/dfkz1960 Видео звонки, конференции и средства совместной работы для корпоративных пользователей. Попробуйте совершенно бесплатно наши сервера видеоконференц связи (ВКС) и онлайн видео сервис. Да. Мы разработали VZOchat. FD04C5CA0A4B420EC928E12E2F62A622код Урок « Авометр.»План урока «Полупроводниковый диод» Раздел: Электротехника – 8 класс. Тема: Полупроводниковый диод. Цель урока: ознакомление учащихся с полупроводниковыми материалами; понятием p-n переход и его свойствами; устройством и принципом работы полупроводникового диода; формировать навыки чтения электрических схем и сборки цепей с диодом. Активизировать стремление учащихся к самостоятельному поиску информации через интерес; аккуратность, бережливое отношение к вещам, которые были изготовлены предшественниками. Оборудование и материалы: информационная карта «Ковалентная связь. Акцепторные и примесные полупроводники», таблица «Периодическая система элементов Д.И. Менделеева», для практической работы: инструкционная карта «Односторонняя проводимость диода», МФК (многофункциональный комплект): диод Д 226 Б, источник постоянного тока, лампочка 6 -12 В, выключатель, соединительные провода, авометр. Ход урока: 1. Актуализация опорных знаний: а) строение металлической кристаллической решетки и ее способность проводить электрический ток; б) определение валентности (номер группы, к которой принадлежит элемент, определяется общим числом валентных электронов). Методы обучения: иллюстративный, демонстрационный, беседа, задания . Оборудование: для учителя – плакат «Кристаллическое строение вещества Fe»; для учащихся - таблица «Периодическая система элементов Д.И. Менделеева». Учащиеся восстанавливают свои знания о кристаллическом строении металлических проводников на примере кристаллической решетки железа, полученных ими на уроках Технологии. Тема: Источники и проводники электрической энергии. Изоляторы. Закрепляют понятия о физическом смысле электрического тока, напряжения (разности потенциалов) и сопротивления. Актуализируют первичные знания о кристаллическом строении вещества, полученных на уроках физики и химии, с помощью таблицы «Периодическая система элементов Д.И. Менделеева», самостоятельно определяют валентность химических элементов Si, Ge, As, In. Полученные результаты записывают в тетрадь. 2.Изложение нового материала: а) сообщение целей и задач урока, б) объяснение учащимся физического смысла ковалентной связи в кристаллических решетках полупроводников. Методы обучения: демонстрационный, иллюстративный, задания, контроль на бумажных носителях. Оборудование: для учителя – компьютер (интерактивная доска); для учащихся – информационная карта «Ковалентная связь. Акцепторные и примесные полупроводники». 3. Первичное закрепление: учащиеся работают с информационными картами, зарисовывают в тетрадях структуры акцепторных и примесных полупроводников, указывая полупроводники с дырочной проводимостью и электронной проводимостью. Обозначают их буквами латинского алфавита p – тип (позитив - положительный +) и n – тип (негатив – отрицательный - ). 4.Вводный инструктаж: пояснение учителя как образуется p – n переход (при соединении двух материалов с электронной проводимостью и дырочной, в результате диффузионного тока образуется потенциальный барьер), который назвали p – n переходом. Элемент с одним p – n переходом называется диод. Объяснение прямого и обратного включения диода. Ковалентная связь. Акцепторные и примесные полупроводники. В расплавленный германий Ge или кремний Si добавляют мышьяк As, у которого на внешней орбите 5 электронов, а у германия 4, появляются свободные заряды (электроны). Они свободно блуждают в пустотах решетки. Такие полупроводники называют примесными (с электронной проводимостью) и обозначают буквой n, от слова (Negativus) – отрицательный (–). Под действием электрического напряжения свободные электроны сразу включаются в электрический ток и упорядоченно смещаются от минуса к плюсу. В расплавленный кремний (Si), во время его кристаллизации вводят небольшое количество индия (In). У кремния на внешней орбите 4е- валентных электрона они являются общими с соседними атомами (ковалентная связь). У индия 3 электрона на внешней орбите. В атомной решетке появляются дырки. Под действием электрических сил (притяжения) от соседнего атома может оторваться электрон и на его месте образуется дырка. Такие полупроводники называют акцепторными (с дырочной проводимостью) и обозначают p от слова позитив (Positivus) – положительный (+). Соединив два кристаллика p-типа и n-типа, получают диод. Диод – электрический кран (вентиль). На рисунке, а показано устройство диода 1 – анод (+); 2 – катод (–); 3 – кристаллодержатель; 4 – корпус. На рисунке, б показано изображение диода на электрических схемах. p-n – переход образуется в виде потенциального барьера на границе соединения двух кристаллов. Материалы полупроводниковых диодов: Селен (Se); Кремний (Si); Германий (Ge); Галлий (Ga) и т.д. Проводящее включение диода (p-n – переход открыт) - дырки движутся к (–), а электроны к (+) источника Методы обучения: объяснительно – иллюстративный. Оборудование: для учителя - компьютер (интерактивная доска); для учащихся – информационная карта. 5.Самостоятельная работа: Учащиеся зарисовывают в тетрадь условное обозначение диода на электрических схемах, рассматривают рисунки, представленные в информационной карте. Методы обучения: задания, исследование, обобщение сказанного ранее. Оборудование: для учащихся тетрадь, информационная карта. 5.Текущий инструктаж: а) инструктаж по правилам электро безопасности при выполнении лабораторной работы; б) указание порядка выполнения и оформления лабораторной работы. Методы обучения: объяснительно – демонстрационный, иллюстративный. Оборудование: для учителя – компьютер (интерактивная доска); для учащихся – МФК (многофункциональный комплект), инструкционная карта «Односторонняя проводимость диода», тетрадь. Односторонняя проводимость диода. Соберите цепь согласно рисунку 1. Будет – ли гореть лампочка? Поверните диод и включите его в цепь так, как показано на рис. 2 Горит – ли лампочка при таком включении диода. 6. Лабораторная работа: а) с помощью МФК учащиеся выполняют задание, приведенное в инструкционной карте, б) отвечают на вопросы, в) итоги проведенных исследований записывают в тетрадь, в) чертят схемы собранных ими цепей. Методы обучения: исследование. Оборудование: для учащихся инструкционная карта, пружинные контакты МФК, лампочка 6 – 12 в, источник тока, диод Д226, выключатель, соединительные провода. 7.Заключительный инструктаж: а) пояснение учащимся, что проведенные ими опыты носят практический характер. В самом деле если в одном направлении диод пропускает ток а в другом нет, можно считать, что его p – n переход исправен. б) обобщающие вопросы: 1. какая причина вызвала неисправность диода, если он пропускает ток в обоих направлениях? Ответ: замыкание p – n перехода. 2. какова причина неисправности диода, если он не пропускает ток ни в одном направлении? Ответ: обрыв p – n перехода. в) учащимся предлагается проверка исправности диода с помощью Омметра. г) заключительный вывод: если нет под рукой Омметра, можно изготовить простой пробник для проверки исправности p – n переходов. Схема такого пробника и дана в инструкционной карте. д) учащимся предлагается аккуратно уложить в коробку МФК, использованные в лабораторной работе радиодетали Методы обучения: беседа, исследование, задание, требование. Оборудование: авометр, инструкционная карта, МФК. 8. Подведение итогов урока: а) сообщение о достигнутой цели, б) оценка индивидуальных показателей труда (оформление лабораторной работы, записи, зарисовки, схемы и т.д.). Методы обучения: поощрение, контроль на бумажных носителях. Оборудование: тетрадь инструкционная и информационная карты. 9.Постановка домашнего задания: а) повторить определения основных понятий (кристаллическая решетка полупроводников, ковалентная связь, акцепторные и примесные полупроводники, p – n переход); б) знать графическое обозначение диода на электрических схемах и его свойства; в) уметь осуществлять проверку исправности p – n перехода с помощью Омметра и пробника. Методы обучения: Оборудование: конспект урока, школьный учебник «Технология 8 класс п/р В.Д. Симоненко. |