Устройство, модернизация, ремонт ibm pc
Скачать 7.85 Mb.
|
| ГЛАВА 9 Оперативная память Термин "оперативная память" произошел от похожего термина "оперативное запоминающее устройство" (ОЗУ), применяемого для обозначения части основной памяти персонального компьютера, которая используется для хранения промежуточных данных. По-английски эта память называется Random Access Memory (RAM), что переводится как память с произвольным доступом. Существует множество подвидов памяти: статическая и динамическая, энергонезависимая и энергозависимая. В персональном компьютере используются практически все типы памяти, каждый выполняет ту работу, с которой он лучше всего справляется. Появление новых типов памяти связано со следующими причинами: все возрастающая скорость работы процессоров рано или поздно приводит к тому, что ему приходится большую часть времени простаивать, ожидая, когда остальные компоненты системы, скорость работы которых осталась на прежнем уровне, закончат свою работу и приступят к следующей операции. Результат — разработка и внедрение нового типа памяти, позволяющего уменьшить влияние "узкого места" процессор-память на общую производительность компьютера. По этой простой причине в области разработки новых типов памяти "горят" ожесточенные споры. Совсем недавно пользователю было очень сложно определиться с видом используемой памяти. Вроде еще не совсем устарела память SDRAM, но уже появились более быстрые разновидности — DDR SDRAM и RDRAM. Сегодня компьютерный мир почти определился — будущее за DDR-па-мятью (RDRAM слишком дорога для среднего пользователя, поэтому этот вид памяти используется только в наиболее дорогих и производительных компьютерных системах вроде интернет-серверов). Центральные процессоры достигли такой скорости работы, что даже последние модификации SDRAM (PC100 и РС133) с трудом справляются с потоком данных. С этого момента эта разновидность памяти обречена на провал и уход с рынка, хотя использоваться она будет еще очень долго: на складах компьютерных фирм запасы "железа" ничуть не меньше, чем запасы селедки на военных складах (на случай войны). Принципы работы памяти Микросхема памяти образуется из некоторого количества элементарных ячеек, которые образуют собой двухмерный массив (его еще называют матрицей), который позволяет организовать обращение к конкретному адресу по двум составляющим: номер строки (сигнал RAS) и номер столбца (сигнал CAS). Строку массива иногда называют "страницей памяти". Элементарную ячейку статической памяти образует так называемая триггерная схема, характерным свойством которой является сохранение текущего состояния, заданного входящим импульсом до прихода следующего импульса либо до выключения питания. При считывании записанного в ячейку значения ее состояние не изменяется. Элементарную ячейку динамической памяти образует очень маленький конденсатор, который может быть либо заряжен (логическая единица), либо разряжен (логический ноль). Чтобы сохранять данные в такой памяти, эти конденсаторы требуется периодически подзаряжать, поэтому динамическая память при прочих равных условиях значительно медленнее статической памяти — в моменты подзарядки (ее называют регенерацией) ячейки динамической памяти недоступны ни для чтения, ни для записи. Обычно считается, что на регенерацию требуется около 5% общего времени. Основными показателями, определяющими область применения того или иного типа памяти, являются быстродействие, плотность данных, надежность хранения информации, стоимость хранения одной единицы информации (например, 1 Мбайт), а также наличие каких-либо дополнительных функций. Быстродействие. Здесь имеет преимущество статическая память, способная работать на частоте до 250 МГц и выше со временем доступа равным времени одного тактового импульса центрального процессора. Тогда как для организации одного цикла чтения данных из динамической памяти требуется несколько тактовых импульсов. По этой причине статическая память используется в качестве кэш-памяти центрального процессора. При хорошо проработанной организации работы кэш-памяти можно добиться такой ситуации, когда процессор практически не будет ждать основную память. Очень важным показателем быстродействия памяти является время доступа к ячейке памяти. Чем оно меньше, тем лучше. Так как на чтение первого блока данных, как правило, требуется большее время, чем для чтения последующих, то для отображения быстродействия памяти используют обозначение: х-у-у-у, где х — количество тактов шины, необходимое для чтения первого блока данных, у — количество тактов шины для чтения всех последующих блоков. В IBM-совместимых компьютерах очень часто происходит чтение четырех смежных ячеек памяти, поэтому многие типы памяти оптимизированы для такого режима работы. В сравнительных характеристиках быстродействия приводится количество циклов, необходимых для чтения первых четырех ячеек (например, 3-1-1-1). Плотность данных. Из-за некоторых конструктивных особенностей ячеек динамическая память имеет несколько большую плотность размещения ячеек на кристалле, чем статическая память. Это отражается на стоимости хранения единицы информации — для статической памяти она намного выше. Очень часто встречается такой термин как "банк памяти". Сложность состоит в том, что этим термином могут обозначаться совершенно разные понятия. □ Группа модулей памяти одинаковой емкости, которые должны быть установлены одновременно, чтобы система могла работать. Количество модулей при этом должно равняться отношению ширины системной шины к ширине шины каждого модуля. Например, модули SIMM, которые использовались в компьютерах на базе Pentium, следовало устанавливать попарно, тогда как модули DIMM, которые стали использоваться впоследствии, можно устанавливать поодиночке. □ Логическая единица внутри модуля памяти. Еще во времена модулей SIMM увеличение емкости модуля вдвое достигалось установкой двух банков памяти (вдвое большим количеством микросхем памяти). □ Часть микросхемы памяти типа SDRAM, доступ к которой возможен независимо от другой части. Например, когда идет считывание из первого банка, содержимое второго может быть занято регенерацией. Разновидности памяти В первую очередь вся память компьютера (чаще всего для нее применяют термин основная память, чтобы отличать ее от памяти на накопителях) подразделяется на энергонезависимую и энергозависимую память. Энергонезависимая память позволяет хранить данные продолжительное время при отключении питания от микросхемы памяти. Поэтому ее применяют для сохранения жизненно важных программ и данных: алгоритмов работы микросхем и устройств, данных об аппаратной конфигурации компьютера и т. п. Архитектура процессоров семейства х86, еще начиная с первых моделей Intel 8086, имеет одну интересную особенность: как только на электронную схему процессора поступает напряжение питания, он пытается прочитать информацию из строго определенного места, адрес которого навеки запечатлен разработчиками в ядре процессора. Остается только разместить по этому адресу определенную программу, и после каждого включения в первую очередь будет выполняться именно эта программа. Данная особенность архитектуры процессоров х86 используется для организации базовой системы ввода/вывода (BIOS). Энергозависимая память имеет главный недостаток — даже при кратковременном пропадании питания все данные в ней безнадежно утрачиваются. Зато единственное преимущество (высокое быстродействие) позволило использовать именно этот тип памяти в качестве оперативной памяти компьютера, потому что только при быстром доступе к данным, находящимся в памяти, процессор может развить полную мощность, на которую он рассчитан. Энергозависимая память в свою очередь подразделяется на два вида: динамическую и статическую память. Второй вид самый быстрый из всех видов памяти, поэтому его применяют в качестве кэш-памяти процессоров. Первый значительно медленнее, зато его относительно низкая стоимость позволяет создавать очень емкие (например, 512 Мбайт) модули памяти, в то время как статическая память при таком объеме стоила бы не меньше всего компьютера в целом. Поэтому особенно пристально мы будем рассматривать энергозависимую динамическую память. Именно к этой памяти применим термин "память", который часто используется для описания модулей памяти, устанавливаемых в компьютер. Динамическая память предназначена для хранения программ, выполняемых в этот момент, и данных, непосредственно участвующих в вычислениях. Существует целый ряд различных типов динамической памяти: начиная от тех видов, которые использовались на первых компьютерах IBM PC, заканчивая самыми современными видами, которые еще только начинают входить в нашу жизнь. Естественно, что производители не просто так придумывают новые виды памяти только потому, что им так захотелось. Новый вид появляется тогда, когда максимальная скорость работы центрального процессора намного превышает пропускную способность системной шины, на частоте которой работает оперативная память. Возникает так называемое "узкое место", которое препятствует дальнейшему увеличению производительности. Первый тип памяти, который применялся в компьютерах IBM PC, назывался Page Mode DRAM. Чтение каждой ячейки памяти осуществляется за 5 синхронизирующих импульсов, равных тактовой частоте центрального процессора, при этом адрес каждой ячейки передается отдельно от всех других: контроллер выдал адрес, получил данные, выдал следующий адрес, получил данные и т. д. Следующий тип отличается от первого как раз тем, что можно было повторно не передавать адрес строки, из которой происходило предыдущее чтение в том случае, если следующая ячейка находится в той же строке. Из-за этого она и получила свое название — Fast Page Mode (FPM) DRAM. При этом для чтения первой ячейки требуется по-прежнему 5 циклов, а для чтения всех последующих ячеек достаточно всего 3 цикла (схема 5-3-3-3). Этот тип памяти использовался вплоть до появления процессоров Pentium, для которых время доступа 60—70 не стало слишком большим. Следующий шаг развития — EDO DRAM (Extended Data Out). Этот тип мало чем отличается от предыдущего: изменилась только схема чтения последовательных ячеек 5-2-2-2, что дает преимущество только на мультимедийных приложениях (проигрывание музыки, просмотр видеофильмов). Но, несмотря на столь схожие принципы работы, для памяти EDO требуется аппаратная поддержка со стороны чипсета материнской платы. Впервые такая появилась в чипсете i430FX. С более ранними чипсетами этот вид памяти ведет себя так же, как и FPM-память, т. е. работает по схеме 5-3-3-3. На практике замена FPM на EDO позволяет увеличить быстродействие компьютера на 5—10%. Очень много разговоров велось вокруг памяти BEDO DRAM (Burst EDO). Практически все известные производители материнских плат широко рекламировали поддержку этой памяти, но никто ее в продаже так и не видел. Наверное, разработчики решили, что этот вид является бесперспективным. Все вышеперечисленные типы памяти асинхронные, т. е. управляются только сигналами RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe), и никакого отношения к системной шине не имеют. То есть при несовпадении циклов чтения/записи с тактирующими импульсами происходит ожидание следующего импульса, только после чего контроллер памяти сможет произвести необходимое действие. При использовании синхронной памяти имеется гарантия того, что циклы чтения/записи данных она будет осуществлять в строго определенные моменты времени согласно с поступающим тактирующим импульсам. Поэтому все последующие типы памяти являются синхронными. Память SDRAM (Sychronous DRAM) — это синхронная оперативная память. Она создана на основе стандартной DRAM, но обладает рядом отличительных характеристик. Например, благодаря конструктивным особенностям и организации работы контроллер памяти, который имеет прямую связь с центральным процессором, всегда точно знает, в какие моменты данные могут быть обработаны. Таким образом процессор теперь всегда "знает", в какой момент времени можно получить ответ от памяти, а в какой нет. Это позволяет более продуктивно организовать цепь запросов к памяти, избегая простоев из-за отсутствия синхронности работы памяти и процессора. Основные технические характеристики памяти SDRAM: □ синхронная работа памяти по тактам с центральным процессором; □ повышенное быстродействие памяти (увеличено до 4 раз без особых изменений в DRAM); □ работа на частоте системной шины, превышающей 66 МГц. Невозможность работы старых типов памяти на частотах свыше 66 МГц приводило к тому, что память работала не на тактовой частоте системной шины процессора, а на фиксированной частоте (кстати, значительно меньшей). Память SDRAM может работать по схеме 5-1-1-1. Производители чипсетов аппаратно поддерживают этот вид памяти, начиная с i430VX/TX, VIA 580VP/590VP. Память SDRAM работает абсолютно так же, как и стандартная DRAM: предоставляет свободный доступ к строкам и колонкам ячеек данных. Отличительными свойствами этого типа памяти являются: синхронное функционирование ячеек памяти и пакетный режим передачи данных. Ячейки памяти внутри чипа SDRAM разделяются на два или более независимых банка ячеек. Это позволяет обращаться к ячейкам памяти одного банка, пока идет регенерация ячеек второго банка. И дополнительно повышает быстродействие памяти: возможность держать открытыми одновременно две строки памяти (из разных банков) влияет на результирующее быстродействие. При организации поочередного обращения к любому из банков можно вдвое уменьшить частоту обращения к каждому из них в отдельности. А это значит, что можно вдвое увеличить реальную частоту работы микросхемы памяти по сравнению с EDO RAM — с 66 до 133 МГц. Эту возможность производители реализовали в модулях PC 133. Пакетный режим характеризуется одновременной подачей запроса не к отдельной ячейке памяти, а к целой последовательности сразу, что позволяет сэкономить на переключении контроллера памяти с передачи адресов на передачу данных. Ускорение работы оперативной памяти достижимо несколькими путями: увеличением частоты работы, оптимизацией извлечения и передачи данных. Память DDR SDRAM — это один из новейших и, скорее всего, самый перспективный вид памяти. До начала 2001 года он применялся исключительно в качестве видеопамяти, но впоследствии (с появлением процессоров AMD Athlon) стал использоваться в качестве оперативной памяти. Передача данных по каналу память—чипсет ведется по обоим фронтам тактирующего сигнала аналогично шине AGP в режиме 2х и системной шине процессоров Athlon/Duron. Пиковая пропускная способность вдвое превышает соответствующий показатель для SDRAM (PC 100 = 800 Мбит/с, РС133 = = 1064 Мбит/с). При маркировке DDR-памяти стали применять не частоту системной шины, как прежде, а величину пропускной способности шины. Например, РС1600, РС2100, РС2700 или РС3200. Поначалу это вводило в заблуждение, но таковы правила рекламы: главное удивить пользователя невиданными цифрами, а уж потом объяснить, что к чему. Иногда при описании DDR-памяти используют более привычное наименование: DDR200, DDR266, DDR333 или DDR400. С последним типом памяти сегодня связано очень много споров и разногласий. Например, компания SiS официально объявила о прекращении поддержки памяти DDR400, такое же решение приняла VIA Technologies. Соответственно корректная работа всех чипсетов этих двух компаний с памятью DDR400 не гарантируется. Скорее всего, речь идет о плохом качестве работы уже выпущенных модулей или же о невероятной сложности схемы их работы. Тем более что предыдущие типы еще не полностью исчерпали своих потенциальных возможностей. Появление памяти DDR SDRAM на рынке не было однозначным. Скорее оно выглядело как ответ на выпуск Intel новейшей высокоскоростной памяти RDRAM (Rambus DRAM). Но с введением в системы на базе процессоров Pentium 4 поддержки DDR-памяти, она стала понемногу теснить ставшую привычной память SDRAM. RDRAM так и осталась "за гранью возможного" для среднего пользователя из-за высокой стоимости. Сегодня существует один тип памяти, который, несмотря на весьма обширную рекламу и действительно высокое быстродействие, так и не получил широкого распространения. Это память RDRAM, разработанная компанией Rambus. За счет внедрения уникальной технологии удалось добиться стабильной работы памяти на тактовых частотах вплоть до 400 МГц. Контроллер памяти RDRAM состоит из специализированной микросхемы, которая генерирует управляющие сигналы для памяти и обменивается данными с компьютером. К одной такой микросхеме можно подключить до четырех каналов, функционирующих независимо друг от друга. У каждого канала имеется отдельный управляющий блок, который отвечает за микросхемы памяти, подключенные к каналу, их состояние, ответы и т. д. Канал создает электрическую связь между контроллером и микросхемами RDRAM и представляет собой 30 высокоскоростных линий, передающих данные на обоих фронтах тактирующих сигналов частотой 400 МГц. Использование такой большой частоты стало возможным благодаря применению резистивного терминатора на конце канала, подавляющего паразитные отражения сигналов низкого напряжения, а также хорошо рассчитанной топологии самих каналов для соблюдения одинаковой дистанции пробега сигналов по разным проводникам и т. п. Канал может располагаться на стандартной материнской плате и соответствует типоразмерам современного дизайна SDRAM-памяти. Интересным фактом является разделение адресных линий строки и столбца, что дополнительно позволяет увеличить быстродействие системы. Синхронизация всего канала построена таким образом, что передающиеся сигналы распространяются всегда в одном направлении с тактирующими импульсами, что позволяет избежать запаздывания им- пульсов за счет преодолеваемого расстояния. Тактовый генератор вырабатывает импульсы, которые распространяются от крайней точки канала к контроллеру, где разворачиваются и по другой линии идут в обратном направлении, после чего попадают в терминатор. Все сигналы, распространяющиеся по направлению к контроллеру памяти, синхронизируются входящими тактовыми импульсами, а сигналы, исходящие из контроллера, — импульсами, идущими по направлению к терминатору. Один канал может использовать максимум до 32 микросхем RDRAM, что дает возможность нарастить память до 1 Гбайт при емкости микросхем 256 Мбит. Интересно то, что логику выпускает исключительно компания Rambus, в то время как ядро может производить поставщик микросхем самостоятельно. В отличие от SDRAM с независимыми банками, RDRAM содержит зависимые банки. Это означает, что на два банка используются общие усилители, формирователи сигналов и другая логика. Такой подход позволяет разместить больше банков памяти на заданной площади кристалла и снизить себестоимость памяти, однако исключает возможность доступа к двум банкам в смежных операциях. Обходится данный недостаток довольно просто: при работе памяти запрос формируется одновременно только к восьми банкам, а остальные в это время могут быть заняты регенерацией содержимого. Для RDRAM-памяти применяют уже ставший традиционным метод маркировки при помощи указания пропускной способности. Существует несколько типов памяти: РС600, РС700, РС800 и РС1066. Данные в памяти RDRAM, как известно, передаются по обоим фронтам тактового сигнала, поэтому реальная пропускная способность каждого канала в два раза больше указанной в маркировке: 1,2 Гбит/с (примерно так же, как РС133) для памяти РС600 и соответственно для остальных типов 1,4; 1,6 (прямо как у DDR PC1600) и 4,2 Гбит/с. Как видите, последний тип памяти резко отличается от предыдущих вчетверо увеличенной пропускной способностью шины данных. Дело в том, что для производства модулей последней модификации применяют 32-битную организацию вместо 16-битной. Это позволило разместить на одном модуле уже 4 параллельно работающих канала вместо двух. Применяется такая память совместно с процессорами Pentium 4 с частотой системной шины 533 МГц. Следует отметить, что двухканальная память RDRAM на практике показывает результаты еще в два раза лучшие, чем было указано раньше. Так, например, память РС800 позволяет достигнуть уровня 3,2 Гбит/с. Особенностью памяти RDRAM является высокое потребление электроэнергии, что повышает требования к системе охлаждения системного блока в целом. Несмотря на многообразие видов DRAM, все они базируются на том же ядре, что применялось еще лет 15—20 назад. Все кардинальные изменения коснулись области интерфейсной логики — ведется поиск оптимального решения считывания данных из ячеек памяти. С приходом синхронной памяти изменения коснулись также и контроллера памяти. При работе памяти с асинхронным доступом (FPM и EDO) процессор должен был ожидать, пока закончатся внутренние операции вроде регенерации. Это занимает примерно 60 нс времени. При работе памяти с синхронным доступом регенерация содержимого памяти осуществляется независимо от процессора, т. е. процессор во время прохождения внутренних операций может выполнять другие задачи. Применение синхронной памяти позволило отказаться от отдельного генератора стробирующих сигналов — все операции ввода/вывода на системной шине стали управляться одними и теми же синхроимпульсами. Это позволило, во-первых, уменьшить трафик на шине, во-вторых, упростить операции ввода/вывода, т. к. процессору теперь нет необходимости выделять полезную информацию среди служебных стробирующих импульсов. Немало разговоров ведется вокруг контроля и исправления ошибок, возникающих при работе памяти. Основные термины "контроль четности" и "ЕСС". Контроль четности это довольно старый метод проверки сохраняемых в памяти данных на отсутствие ошибок. Заключается он в том, что при записи данных в память для каждого байта (8 бит) вычисляется контрольная сумма, которая сохраняется вместе с записываемыми данными в виде бита четности. При считывании данных контрольная сумма вычисляется еще раз, и второй результат сравнивается с первым, записанным в памяти. Если они совпадают, то данные считаются верными, если же нет, то компьютер генерирует сообщение об ошибке четности. Этот метод имеет целый ряд недостатков: □ любой незначительный сбой приведет к останову работы всей системы, что в свою очередь послужит причиной потери информации. Особенно остро эта проблема стоит в многозадачных системах, когда сбой, например, в работе проигрывателя музыки может привести к невозможности сохранения результатов работы в пакете Microsoft Office, который работал абсолютно стабильно; □ вывод об ошибке может быть вызван также сбоем в ячейке бита четности, т. е. данные вроде как не испорчены, а компьютер все равно остановит свою работу; □ постоянное вычисление бита четности приводит к некоторому уменьшению производительности процессора; □ качественные модули памяти способны нормально работать в течение срока, превышающего средний срок службы всего компьютера, что говорит о принципиальной нерациональности приобретения модулей с кон- тролем четности. Тем более что применение таких модулей вовсе не гарантирует 100%-ной гарантии сохранности данных — сбои могут возникнуть в любой момент. Сегодня используется более прогрессивная технология ЕСС (Error Checking and Correcting), позволяющая не только обнаруживать, но и исправлять ошибки в памяти. В основе этой системы лежит принцип введения каждого бита данных в более чем одну контрольную сумму. Это позволяет при возникновении ошибки путем анализа нескольких контрольных сумм вычислить действительное значение конкретной ячейки и восстановить ее содержимое. Правда, система с ЕСС имеет ограничение в один восстанавливаемый бит. При возникновении двойной ошибки система может только констатировать этот факт с выводом соответствующего сообщения, не более того. Архитектура модулей DIMM более всего подходит для организации ЕСС-метода коррекции данных, чем для коррекции путем введения бита четности. Модули памяти Конструктивно современная оперативная память представляет собой небольшую печатную плату прямоугольной формы с размещенными на ней микросхемами. Из-за того, что все микросхемы расположены в один линейный ряд, модули памяти иногда называют "линейками". Но так было не всегда. На первых компьютерах IBM PC использовали обычные микросхемы в корпусах DIP — это маленький черный прямоугольный корпус из пластмассы, по обеим сторонам которого располагаются металлические контакты. Ими комплектовались компьютеры на базе процессоров i8086/88, i80286 и, частично, i80386SX/DX. Для установки этих микросхем в специальные панельки, расположенные на материнской плате, требуется прикладывать значительное усилие, что может привести к трещинам на материнской плате. Следует также очень внимательно следить за правильностью их установки. Если установить микросхему, развернув ее на 180°, напряжение питания попадет на совершенно другие выводы и микросхема сгорит. При транспортировке необходимо следить, чтобы случайно не повредить выводы микросхемы (как правило, они очень ломкие). При установке следует учитывать, что микросхемы должны быть одинаковой разрядности и емкости. Микросхемы обязательно устанавливаются целыми банками (бывают 64, 256 Кбайт, 1 и 4 Мбайт). Каждый банк состоит из восьми (девяти) одинаковых микросхем. Начиная с компьютеров i80386DX, стали использовать модули SIMM. SIMM (Single In-line Memory Module) — каждый модуль представляет собой небольшую печатную плату с односторонним (или двусторонним с дублированием контактов с каждой стороны) краевым разъемом и смонтированными на плате микросхемами памяти в корпусах SOJ или TSOP с общей ем- костью 256 Кбайт, 1, 2, 4, 8, 16, 32 и 64 Мбайт. Модуль SIMM устанавливается на материнскую плату в специальный разъем. Для этого следует под углом 70° по отношению к плате приложить модуль к месту установки и закрепить его предназначенными для этого держателями, расположенными по торцам разъема. Специальные вырезы на модуле (и соответствующие выступы на разъеме) не позволяют установить модуль неправильно. Соединяются модули SIMM с платой не штырьками, а плоскими контактами (позолоченными полосками, нанесенными на плату модуля — это так называемые "пины", pin). Такой краевой разъем иногда называют "ножевым". Первыми представителями SIMM-модулей считаются 30-пиновые SIMM FPM DRAM. Максимальная частота их работы 29 МГц. Стандартное время доступа 70 нс. Эти модули применялись вплоть до компьютеров на базе процессора i80486DX2, а затем были вытеснены сначала 72-пиновыми FPM DRAM, а в дальнейшем EDO DRAM. SIMM EDO DRAM имеют 72 контакта и способны работать на частоте до 50 МГц. Этими модулями оснащались компьютеры на базе процессоров Intel 80486DX2/DX4, Intel Pentium, Pentium Pro и Pentium MMX, а также AMD 80586 и К5. Данные модули поддерживают материнские платы, собранные на чипсетах: i440TX, i440EX, i440LX, i450NX, VIA Apollo MVP 3/4, Pro/Pro+, ALI Aladdin 4/4+/V/PRO II, ALI Aladdin TNT2. Появление чипсета Intel 440BX с шиной 100 МГц заставило производителей отказаться от модулей SIMM, т. к. виды памяти, использовавшиеся для их сборки, не способны работать на частотах выше 66 МГц. В настоящее время они вытеснены модулями DIMM. Модули DIMM (Dual In-line Memory Module, модуль памяти с двойным расположением контактов) пришли в мир компьютеров с приходом синхронной памяти SDRAM. Длительное время одновременно выпускались материнские платы с поддержкой модулей DIMM и SIMM, также были модели, имеющие слоты под оба типа модулей. Но, в конце концов, "победа" досталась модулям DIMM. Причиной тому стал выпуск компанией Intel новых чипсетов с поддержкой SDRAM и плат с установленными на них слотами DIMM. Эта крупная корпорация в те времена была основным законодателем моды, а также крупнейшим поставщиком как чипсетов, так и материнских плат. Так что остальным только и осталось, как следовать моде и выпускать платы под новые модули. Если быть более точным, Intel закладывала базу для развития своего нового чипсета i440BX, поддерживающего частоту системной шины до 100 МГц. Модуль DIMM содержит 168 контактов, которые расположены с двух сторон платы (по 84 контакта с каждой стороны) и разделены изолятором. Разъем под модули DIMM отличается от разъема SIMM. На модулях со стороны контактов "ножевого" разъема имеется 2 выреза (ключа), которые делят всю линейку контактов на три группы по 20, 60 и 88 контактов (рис. 9.1). На приемных разъемах обязательно присутствуют соответствующие вырезам выступы. Единственное отличие модулей SIMM и DIMM, это то, что у первого типа модулей контакты, расположенные по обеим сторонам модуля, которые дублируют друг друга, тогда как у второго типа они электрически независимы, что, соответствующим образом, отражено в названиях модулей (Single и Dual). |
Похожие:
 | План введение основные блоки ibm pc дополнительные устройства логическое... Эвм и мини ЭВМ. Это стало предметом серьезного беспокойства фирмы ibm (International Bussines Machines Corporation) ведущей компании... |  | Литература по мдк 01. 02 «Устройство, техническое обслуживание и ремонт автотранспорта» Организация самостоятельной работы студентов по мдк 01. 02 «Устройство, техническое обслуживание и ремонт автотранспорта» |
| Новости ibm academic Initiative Представляем Вашему вниманию семнадцатый выпуск ежемесячной новостной рассылки ibm для вузов | | Программа по формированию навыков безопасного поведения на дорогах... Фото сделано в клубе ibm недалеко от пересечения Рейна и Майна на барбекю-парти нашего отдела в ibm |
| «Маркировка шин» ... | | Программа по формированию навыков безопасного поведения на дорогах... «Устройство и ремонт механического оборудования кранов металлургического производства» |
| План урока по мдк 02. 01 «Устройство, техническое обслуживание и... Ок организовывать собственную деятельность, исходя из цели и способов ее достижения, определенных руководителем | | Урок Курс: второй Специальность Обучающая цель: Ознакомить учащихся со сварочными п/автоматами: назначение, устройство; механизм подачи проволоки и регулирования... |
| «Московский государственный университет культуры и искусств» «утверждаю» Проректор по научной Ключевые слова: модернизация, социальная модернизация, человеческий потенциал, социокультурные изменения, факторы модернизации | | Программа по формированию навыков безопасного поведения на дорогах... Ремонт, проводящийся в этом году, не закончен. Много недоделок. Не все работы проведены достаточно качественно. Не закончен ремонт... |
| Устройство для измерения массы микро- и нанообъектов Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве фоторефрактивного кристалла использован кристалл теллурида кадмия | | Моделирование процесса сборки персональных компьютеров в системах... Моделирование процесса сборки персональных компьютеров в системах ibm rational rose и bpwin/arena |
| Программа по формированию навыков безопасного поведения на дорогах... «Устройство пк», урок №9-10 в теме «Компьютер как универсальное устройство обработки информации» | | Методика изучения раздела «Уход за одеждой, ее ремонт» Цель урока: сформировать у учащихся знания, а также умения выполнять ремонт распоровшихся швов, ухаживать за одеждой из хлопчатобумажных... |
| Пояснительная записка к рабочей программе по курсу: «Устройство и... Учебники: Боровских Ю. И. «Устройство автомобиля» М, Карагодин В. Н. «Слесарь по ремонту автомобилей» М | | Снятие, ремонт и установка радиатора автомобилей газ 53 Ремонт, сборка, установка, регулировка регулятора распределения зажигания автомобиля газ 53 |
