Учебно-методический комплекс по дисциплине «материалы и элементы электронной техники»

4.3. Комплект контрольно-измерительных материалов для текущего, промежуточного и итогового контроля Контроль знаний студентов на всех этапах осуществляется путем компьютерного тестирования. Комплект тестовых заданий по дисциплине состоит из 160 заданий – в основном закрытого типа. Выдаваемый каждому студенту индивидуальный тест включает 20 заданий по каждому модулю и генерируется с помощью специальной программы. Время проведения тестирования рассчитывается исходя из двух минут на одно задание. Примеры контрольных тестовых вопросов и заданий приведены ниже. Примеры тестовых заданий для контроля учебных достижений студентов Модуль 1 Какие из приведенных ниже высказываний справедливы по отношению к монокристаллам: А – Монокристаллы характеризуются дальним порядком в расположении структурных единиц, который распространяется на весь объем Б. – Монокристаллы изотропны В. – Монокристаллы анизотропны Г. – Монокристаллы характеризуются только ближним порядком при отсутствии дальнего порядка в расположении структурных единиц Д. – Монокристаллы не содержат структурных дефектов в объеме. Какие из приведенных ниже высказываний справедливы по отношению к аморфным телам: А – Аморфные тела характеризуются дальним порядком в расположении структурных единиц, распространяющимся на весь объем Б. – Аморфные тела изотропны В. – Аморфные тела анизотропны Г. – Аморфные тела характеризуются только ближним порядком при отсутствии дальнего порядка в расположении структурных единиц Д. – Аморфные тела не характеризуются определенной температурой плавления. Какие из приведенных ниже утверждений справедливы по отношению к поликристаллическим телам: А. – Поликристаллы анизотропны. Б. – Поликристаллы изотропны. В. – Поликристаллы нельзя охарактеризовать определенной температурой плавления. Г. – В поликристаллических телах в пределах каждого зерна существует дальний порядок в расположении структурных единиц, который нарушается на границах зерен. Сколько атомов приходится на элементарную ячейку в кристалле кремния? А – 1 Б – 4 В – 8 Сколько атомов приходится на элементарную ячейку в кристалле хлорида натрия? А – 12 Б – 4 В – 8 Сколько атомов мышьяка приходится на элементарную ячейку в монокристалле GaAs? А – 12 Б – 4 В – 8 Сколько атомов приходится на элементарную ячейку кристалла структурного типа алмаза? А – 12 Б – 4 В – 8 Сколько атомов приходится на элементарную ячейку кристалла структурного типа сфалерита? А – 12 Б – 4 В – 8 Как связана поверхностная плотность упаковки атомов в плоскости (100) монокристалла Si с периодом кристаллической решетки? А – Б – В – Как связана поверхностная плотность упаковки атомов в плоскости (110) монокристалла алюминия (решетка - ГЦК) с периодом решетки? А – Б – В – Кристалл обладает гранецентрированной кубической решеткой с периодом а. Каково расстояние между ближайшими атомами в решетке? А – а Б – В – Кристалл обладает объемноцентрированной кубической решеткой с периодом а. Каково расстояние между ближайшими атомами в решетке? А – а Б – В – Каково расстояние между ближайшими атомами в кристаллической решетке типа алмаза с периодом а? А – а Б – В – Каким типом кристаллической структуры обладает кремний? А. алмаз Б. сфалерит В. вюрцит Г. кремний Каким типом кристаллической структуры обладает арсенид галлия? А. алмаз Б. сфалерит В. вюрцит Г. тип хлорида натрия Хлорид натрия и фторид лития образуют кристаллы одного и того же структурного типа. Какие из приведенных ниже утверждений справедливы в этом случае? А. – Для этих кристаллов характерна ионная связь. Б. – Эти вещества характеризуются одним и тем же значением постоянной Маделунга. В. – Постоянная решетки в этих кристаллах одинакова. Г. – Энергия решетки для этих кристаллов одинакова. Какие из перечисленных видов дефектов относятся к точечным? А. – вакансии Б. – дефекты по Френкелю В. – краевые дислокации Г. – винтовые дислокации Д. – атомы замещения Какие из перечисленных видов дефектов относятся к линейным дефектам? А. – вакансии Б. – дефекты по Френкелю В. – краевые дислокации Г. – винтовые дислокации Д. – границы зерен Е. – границы двойникования Укажите высказывания, справедливые по отношению к точечным дефектам в монокристаллах: А. – концентрация точечных дефектов зависит только от температуры Б. – концентрация дефектов зависит от температуры и предыстории кристалла В. – точечные дефекты влияют на электрические свойства кристаллов Г. – любые точечные дефекты увеличивают концентрацию свободных носителей заряда в кристаллах. Для каких видов химической связи в кристаллах не характерны свойства насыщенности и направленности? А. – ковалентная Б. – ионная В. – металлическая Модуль 2 В каком температурном интервале удельное сопротивление металлов практически линейно растет с увеличением температуры? Обозначения: D – температура Дебая, Tпл – температура плавления. А. 0 < T < Tпл Б. Т<D В. D < T < Tпл Какое из приведенных ниже выражений отражает температурную зависимость удельного сопротивления металлов при температуре D < T < Tпл? А. =0(1 – (Т–Т0)) Б. =0(1 + (Т–Т0)) В. =0+(Т–Т0) Какое из приведенных ниже выражений пригодно для оценки средней энергии свободных электронов в металлах? А. Б. В. Как влияют примеси на удельное сопротивление металлов? А. – любые примеси увеличивают удельное сопротивление металлов Б. – примесь уменьшает удельное сопротивление, если примесью является металл с меньшим удельным сопротивлением В. – примесь может уменьшать или увеличивать удельное сопротивление в зависимости от ее природы и концентрации Выберите выражения, верно отражающие правило Нордгейма для двухкомпонентного сплава типа неупорядоченного твердого раствора: А. Б. В. Г. Выберите выражения, верно отражающие правило Маттиссена. А. Б. В. Г. Укажите правильное соотношение между температурными коэффициентами сопротивления, удельного сопротивления и линейного расширения проводника: А. Б. В. Из меди, вольфрама и нихрома изготовлены проводники одинакового сечения и длины. Какой из этих проводников характеризуется наиболее слабой зависимостью сопротивления от температуры? А. – медь Б. – вольфрам В. – нихром Укажите высказывания, справедливые в отношении электрических свойств тонких пленок металлов: А. – удельное сопротивление тонких пленок металлов не зависит от температуры Б. – удельное сопротивление тонких пленок металлов зависит только от температуры и состава пленки В. – удельное сопротивление тонких пленок металлов зависит от температуры, толщины пленки, ее состава и способа получения Г. – температурный коэффициент удельного сопротивления тонких пленок металлов может принимать отрицательные значения Как изменяется удельное сопротивление тонких металлических пленок с ростом толщины пленки? А. – не изменяется Б. – увеличивается В. – уменьшается Как изменяется температурный коэффициент удельного сопротивления тонких металлических пленок с ростом толщины пленки? А. – не изменяется Б. – увеличивается В. – уменьшается Какой металл используют для изготовления тонкопленочных токоведущих дорожек интегральных микросхем? А. – вольфрам Б. – алюминий В. – платина Какие из металлов можно использовать для изготовления накаливаемых катодов электровакуумных приборов? А. – медь Б. – алюминий В. – вольфрам Г. – ниобий Как влияет термическая закалка на удельное сопротивление металлов? А. – увеличивает удельное сопротивление Б. – уменьшает удельное сопротивление В. – не оказывает никакого влияния Какой из эффектов используется для превращения тепловой энергии в электрическую? А. – эффект Пельтье Б. – эффект Холла В. – эффект Зеебека Г. – эффект Томсона Сопротивление квадрата пленочного проводника равно 20 Ом/квадрат при толщине пленки 0,02 мкм. Чему равно удельное сопротивление этого проводника? А. – 4×10-4 Ом см Б. – 4×10-5 Ом см В. – 1×103 Ом см-1 Модуль 3 Расположите следующие полупроводники в порядке увеличения ширины запрещенной зоны: кремний, германий, арсенид галлия. А. Ge – GaAs – Si Б. GaAs – Si – Ge В. Ge – Si – GaAs Пользуясь справочными данными, найдите отношение электронного тока к дырочному в собственном германии. Пользуясь справочными данными, найдите отношение электронного тока к дырочному в собственном арсениде галлия Оцените концентрацию дырок в n-Si при комнатной температуре, если он легирован фосфором до концентрации 2,251015 см-3. Оцените концентрацию дырок в n-Ge при комнатной температуре, если он легирован фосфором до концентрации 6,251015 см-3. Диффузионная длина электронов в кристалле германия равна 0,1 мм. Оцените время жизни электронов в этом кристалле, используя справочные данные. Время жизни неравновесных носителей заряда (электронов) в кремнии составляет 100 мкс. Используя справочные данные, оцените диффузионную длину электронов. Какие из механизмов поглощения света полупроводниками приводят к генерации неравновесных носителей заряда? А. – собственное поглощение Б. – экситонное поглощение В. – решеточное поглощение Г. – поглощение свободными носителями Какому из механизмов поглощения в полупроводнике соответствует наименьшая длина волны поглощаемого излучения? А. – собственное поглощение Б. – экситонное поглощение В. – решеточное поглощение Г. – поглощение свободными носителями заряда Д. – примесное поглощение Оцените пороговую длину волны, соответствующую собственному поглощению кремния при комнатной температуре. Длина волны излучения при рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводнике определяется А. – концентрацией примеси Б. – шириной запрещенной зоны В. – средней энергией электронов проводимости Красная граница внутреннего фотоэффекта в полупроводнике определяется А. – концентрацией основных носителей заряда Б. – энергией ионизации примеси В. – шириной запрещенной зоны Оцените пороговую длину волны собственного поглощения фосфида индия при комнатной температуре. Для какого из полупроводниковых материалов: GaAs или Al0,3Ga0,7As, - край собственного поглощения находится в более коротковолновой области спектра? Как изменяется период кристаллической решетки в ряду полупроводников: GaAs - GaAs0.7P0.3 - GaAs0.5P0.5 - GaAs0.2P0.8 - GaP? Оцените период решетки твердого раствора состава GaAs0.5P0.5. К какому классу полупроводников относится селенид цинка? Почему собственный ZnSe обладает электронным типом проводимости? Оцените постоянную Холла для Ge, легированного фосфором до концентрации 51015 см-3. Модуль 4 Перечислите основные механизмы поляризации диэлектриков. Какой механизм электропроводности характерен для ионных кристаллов? Чем обусловлена температурная зависимость электропроводности таких диэлектриков? С какой целью на поверхность изоляторов может наноситься водоотталкивающее покрытие? А - Для снижения поверхностного удельного сопротивления Б - для снижения вероятности поверхностного пробоя В - для увеличения поверхностного удельного сопротвления Какой механизм пробоя характерен для диэлектриков при импульсном воздействии высокого напряжения? А - тепловой Б - электрический обратимый В - электрохимический Какой из полимерных диэлектриков сильнее нагревается в ВЧ электрическом поле при одинаковых условиях эксплуатации?

Похожие:

	Учебно-методический комплекс по дисциплине «технология монокристаллов,... Целью данной дисциплины является изучение типовых технологических процессов, используемых в производстве изделий электронной техники,...		Учебно-методический комплекс по дисциплине «Компьютерные технологии в науке и образовании» Магистерская программа «Микро и нанотехнологии в производстве изделий электронной техники»
	Учебно-методический комплекс по дисциплине «математические модели... Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования		Рабоч ая учебная программа дисциплины Материалы электронной техники Это одна из основных дисциплин профиля, ибо без знания физико-химических характеристик материалов и протекающих в них физических...
	Учебно-методический комплекс ростов-на-Дону 2009 Учебно-методический... Учебно-методический комплекс по дисциплине «Адвокатская деятельность и адвокатура» разработан в соответствии с образовательным стандартом...		Учебно-методический комплекс включает в себя учебную рабочую программу... Учебно-методический комплекс составлен в соответствии с требованиями государственного образовательного стандарта высшего профессионального...
	Учебно-методический комплекс по дисциплине «Методы оптимальных решений» Учебно-методический комплекс предназначен для студентов очной формы обучения, содержит план лекционных, практических и лабораторных...		Учебно-методический комплекс по дисциплине «Медиапсихология» Учебно-методический комплекс предназначен для студентов очной формы обучения, содержит план лекционных и практических занятий, рекомендации...
	Учебно-методический комплекс по дисциплине «судебная медицина» Учебно-методический комплекс предназначен для студентов очной формы обучения, содержит план лекционных и практических занятий, рекомендации...		Учебно-методический комплекс по дисциплине «Искусствоведение» Учебно-методический комплекс предназначен для студентов очной формы обучения, содержит план лекционных и практических занятий, рекомендации...
	Учебно-методический комплекс по дисциплине «Психофизиология» Учебно-методический комплекс предназначен для студентов заочной формы обучения, содержит план лекционных и практических занятий,...		Учебно-методический комплекс по дисциплине «Макроэкономика» Учебно-методический комплекс предназначен для студентов заочной формы обучения, содержит план лекционных и практических занятий,...
	Примерная структура, состав и содержание учебно-методического комплекса... Учебно-методический комплекс по дисциплине «Социология рекламной деятельности» составлен в соответствии с требованиями Государственного...		Учебно-методический комплекс по дисциплине «Психофизиология» Учебно-методический комплекс предназначен для студентов очной формы обучения, содержит план лекционных и практических занятий, рекомендации...
	Учебно-методический комплекс по дисциплине «Психология семьи» Учебно-методический комплекс предназначен для студентов заочной формы обучения, содержит план лекционных и практических занятий,...		Учебно-методический комплекс по дисциплине «Основы патопсихологии» Учебно-методический комплекс предназначен для студентов заочной формы обучения, содержит план лекционных и практических занятий,...