Республики Беларусь «24»

Скачать 2.32 Mb.

Название	Республики Беларусь «24»
страница	26/26
Дата публикации	05.03.2016
Размер	2.32 Mb.
Тип	Пояснительная записка

100-bal.ru > Журналистика > Пояснительная записка

1 ... 18 19 20 21 22 23 24 25 26

Утверждена

УМО вузов Республики Беларусь

по образованию в области информатики и радиоэлектроники

« 29 » октября 2004 г.

Регистрационный № ТД-39-078/ тип.

Технология изделий интегральной техники
Учебная программа для высших учебных заведений

для специальности I-39 02 02 Проектирование и производство

радиоэлектронных средств

Согласована с Учебно-методическим управлением БГУИР

« 25 » октября 2004 г.

Составители:

Л.И. Гурский, профессор кафедры электронной техники и технологии Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», член-корреспондент Национальной академии наук Беларуси, доктор технических наук;

А.П. Достанко, заведующий кафедрой электронной техники и технологии Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники», академик Национальной академии наук Беларуси, профессор, доктор технических наук

Рецензенты:

В.А. Емельянов, генеральный директор научно-производственного объеди-нения «Интеграл», доктор технических наук, профессор;

Кафедра интеллектуальных систем Учреждения образования «Белорусский национальный технический университет» (протокол № 9 от 24.03.2004 г.)

Рекомендована к утверждению в качестве типовой:

Кафедрой электронной техники и технологии Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» (протокол № 16 от 12.04.2004 г.);

Научно-методическим советом по группе специальностей I-39 02 Конструкции радиоэлектронных средств УМО вузов Республики Беларусь по образованию в области информатики и радиоэлектроники (протокол № 4 от 14.05.2004 г.)

Разработана на основании Образовательного стандарта РД РБ 02100.5.105-98.

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
Типовая программа «Технология изделий интегральной техники» разработана для студентов специальности I-39 02 02 Проектирование и производство радиоэлектронных средств высших учебных заведений. Она предусматривает изучение технологических процессов, оборудования и средств производства изделий интегральной техники.

Цель преподавания дисциплины-овладение студентами технологическим подходом к выбору и использованию научно обоснованной последовательности базовых технологических процессов при производстве изделий интегральной техники, знаниями конструкторско-технологической реализации интегральных микросхем различного функционального назначения.

Поставленная цель достигается путем изучения:

- физико-химических основ отдельных процессов производства, их моделирования и оптимизации;

- анализа и синтеза сложных технологических систем в условиях гибкого автоматизированного производства;

- принципов проектирования и компоновки элементов конструкции интегральных микросхем и технологических процессов их изготовления.

- примеров базовых технологических процессов: технологический маршрут изготовления динамических оперативных запоминающих устройств (ОЗУ) по комплиментарной металл-окисел-проводник (КМОП) технологии; технологический маршрут изготовления микропроцессора по биполярной транзисторно-транзисторной логике (ТТЛИ²) технологии.

В результате изучения дисциплины студенты должны:

знать:

— основы функционирования различных элементов и компонентов в составе изделий интегральной техники;

— основные и вспомогательные материалы, используемые при производстве изделий электронной техники, их свойства, характеристики, особенности применения радиоэлектронной аппаратуры;

— особенности и основные процессы современной планарной технологии производства изделий интегральной техники (ИИТ);

уметь:

— анализировать особенности функционирования различных ИИТ;

— разрабатывать технологические маршруты производства конкретных ИИТ с заданными характеристиками;

— проектировать технологические процессы производства ИИТ;

— разрабатывать конструкторско-технологическую документацию;

иметь представление:

— о состоянии технологии производства ИИТ в мире и Республике Беларусь;

о перспективах развития технологии ИИТ.

Программа составлена в соответствии с требованиями образовательного стандарта РД РБ 02.100.5.105-98 и рассчитана на объем 140 учебных часов, в том числе 64 аудиторных часов. Примерное распределение учебных часов по видам занятий: лекции – 32 часа, лабораторные работы – 16 часов, практические занятия – 16 часов.

Дисциплина является системной и завершающей технологическую подготовку студентов специальности «Проектирование и производство РЭС». Изучение дисциплины основано на использовании знаний, полученных студентами по следующим дисциплинам: «Физика» - разделы: «Электричество и магнетизм», «Волновые процессы», «Атом»; «Химия» - разделы: «Химическая кинетика», «Конструкционные материалы», «Основы химической термодинамики», «Фазовые равновесия»; «Теория вероятности и математическая статистика» - разделы: «Основные понятия математической статистики», «Интегральные оценки параметров распределений», «Основные задачи регрессионного анализа»; «Физико-химические основы микроэлектроники и технологии»; «Материаловедение»; «Теоретические основы конструирования, технологии и надежности РЭУ»; «Автоматизация конструкторско - технологического проектирования»; «Технология деталей» и другим дисциплинам в соответствии с требованиями, предъявляемыми Образовательным стандартом в Республике Беларусь по данной специальности.
СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
ВВЕДЕНИЕ
Общие вопросы технологии изделий интегральной техники. Класси-фикация изделий интегральной техники и их базовых элементов.
Раздел 1. ОСНОВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ИЗДЕЛИЙ

ИНТЕГРАЛЬНОЙ ТЕХНИКИ

1. Микроэлектроника — современный этап развития изделий интегральной техники для радиоэлектронной техники.

2. Характеристика электропроводности металлов, полупроводников и диэлектриков.

3. Простые вещества с полупроводниковыми свойствами.

4. Соединения и твердые растворы типа А^хВ₁^8-хВ₂^8-х, А₁^хА₂^хВ⁸, А₁^хА₂^хВ₁^8-хВ₂^8-х.

5. Классификация соединений и твердых растворов с полупро-водниковыми свойствами и распределение их компонентов по группам системы Д.И. Менделеева.

6. Понятие о донорных и акцепторных уровнях. Элементы, создающие донорные и акцепторные уровни в германии и кремнии.

7. Диффузия в сложных полупроводниках.

8. Основные диффузанты для кремния: газообразные, жидкие, твердые.
Раздел 2. ОСНОВЫ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОГО АНАЛИЗА: ДИАГРАММЫ СОСТОЯНИЯ
1. Понятие о диаграммах состояния термодинамических систем. Тройная точка. Критические точки.

2. Диаграммы состояния и термодинамические функции: энтропия, свободная энергия Гельмгольца, свободная энергия Гиббса.

3. Зависимость молярной свободной энергии жидкой и твердой фаз от атомной доли компонента В (N_В) для конкретной температуры.

4. Диаграмма состояния. Линия ликвидуса, линия солидуса. Характерные точки в зависимости от температуры для конкретного сплава системы АВ (N_В).

5. Зависимость молярной свободной энергии жидкой и твердой фаз от атомной доли компонента В (N_В) для конкретной температуры.

6. Методы построения диаграмм состояния. Равновесная диаграмма состояния, соответствующая кривым свободной энергии при температурах (Т₁, Т₂, Т₃, Т₄, …). Условие равновесия в точке х.

7. Системы с ограниченной взаимной растворимостью компонентов в твердом состоянии.

8. Равновесные диаграммы состояния с ограниченной растворимостью компонентов в твердом состоянии эвтектического типа.

9. Равновесные диаграммы состояния с ограниченной растворимостью компонентов в твердом состоянии перитектического типа.

10. Важнейшие типы диаграмм состояния в бинарных системах.

11. Симметричная тройная диаграмма состояния по Гиббсу.

12. Химический потенциал. Условия равновесия для закрытых систем. Равновесие в системе «жидкость – твердое тело». Растворимость, особенности растворимости кремния в алюминии.
Раздел 3. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИЗДЕЛИЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ТЕХНИКИ
1. Общие сведения о технологии изделий интегральной техники. Подготовка полупроводниковых пластин. Размеры пластин. Технологический цикл: два основных этапа.

2. Эпитаксия, газофазная эпитаксия, устройство газофазного реактора. Составы газов-носителей, температуры процессов, основные диффузанты для кремния. Толщины эпитаксиальных слоев.

3. Молекулярно-лучевая эпитаксия, температура процесса, характе-ристики и устройства молекулярно-лучевой эпитаксии.

4. Диффузия примесей, температура процесса, концентрация примесей. Материалы для масок. Толщина диффузионного слоя. Форма р-п перехода. Коэффициент диффузии. Плотность потока диффундирующих атомов. Время диффузии. Предельная растворимость примесей. Твердые, жидкие и газообразные диффузанты для кремния.

5. Диффузия в однозонной диффузионной печи. Примеры распределения примесей. Сущность операции — загонка и разгонка примесей. Доза легирования. Особенности выбора режимов последовательных диффузий.

6. Ионное легирование. Сущность процесса и его характеристики. Дозы легирования и распределение концентраций примесей в зависимости от энергии ионов. Материалы масок при ионном легировании. Радиационные дефекты. Активационный отжиг. Преимущества и недостатки процесса ионного легирования по сравнению с диффузией примесей.

7. Термическое окисление и свойства диоксида кремния. Функции пленки диоксида кремния и ее основные характеристики. Оборудование и режимы окисления. Роль маски в процессах окисления.

8. Травление. Жидкостное травление, изотропное и анизотропное травление. Скорость реакций и кристаллографическая ориентация поверхности пластины. Сухое анизотропное травление, реактивное ионное травление. Режимы и среды процессов.

9. Нанесение тонких пленок. Термическое вакуумное испарение. Характеристики процесса. Распыление ионной бомбардировкой, катодное распыление. Характеристики процесса, магнетронные распылительные системы, реактивное катодное распыление.

10. Ионно-плазменное напыление, характеристики процесса.

11. Высокочастотное распыление. Характеристики процесса.

12. Химическое осаждение из газовой фазы, функциональное назначение слоев диоксида и нитрида кремния. Характеристика процесса.

13. Химическое осаждение из водных растворов, характеристика процесса, анодное окисление.

14. Методы получения структур: поликристаллический кремний — диоксид кремния — кремний. Характеристики структур: с графитовым нагревателем, легированием кислородом.
Раздел 4. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА ИЗДЕЛИЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ТЕХНИКИ
1. Основные понятия и определения. Интегральная технология, технологическая совместимость. Базовые технологии. Топология микросхемы.

2. Общая характеристика технологического процесса. Три основных группы технологических процессов: заготовительные процессы, обрабатывающие процессы, сборочно-контрольные процессы.

3. Технологические процессы производства биполярных приборов.

3.1. Диффузионно-планарная структура и последовательность техноло-гических операций ее формирования.

3.2. Эпитаксиально-планарная структура и последовательность техноло-гических операций ее формирования.

3.3. Структуры с инжекционным питанием И²Л — структура и после-довательность технологических операций ее формирования.

3.4. Эпитаксиально-планарная структура со скрытым п⁺ слоем и после-довательность технологических процессов ее формирования.

3.5. Структура с диэлектрической изоляцией и последовательность техно-логических процессов ее формирования.

3.6. Изопланарная структура и последовательность технологических процессов ее формирования.

3.7. Изопланарная структура с изолирующими V-каналами и последо-вательность технологических процессов ее формирования.

4. Технологические процессы изготовления МДП-приборов.

4.1. Комплементарные структуры на МДП-транзисторах и последо-вательность технологических процессов ее формирования.

4.2. Структуры «кремний на сапфире», их разновидности и последо-вательность технологических операций их формирования.
Раздел 5. ТИПОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МАРШРУТЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ И МОП ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРОСХЕМ
1. Технологический маршрут изготовления современных изделий микро-электроники. Основные группы технологических операций, их после-довательность, повторяемость и количество.

2. Технологический маршрут изготовления ОЗУ статического типа емкостью 1 кбит. Последовательность операций, технологические режимы, контроль качества операций. Пооперационный контроль параметров. Всего 136 операций.

3. Технологический маршрут изготовления динамического ОЗУ по КМОП - технологии. Последовательность технологических операций, технологические режимы, контроль качества операций и пооперационный контроль параметров. Всего 110 операций.

4. Технологический маршрут изготовления микропроцессора по биполярной ТТЛИ² - технологии. Последовательность операций. Техноло-гические режимы, контроль качества операций, пооперационный контроль качества параметров. Всего 122 операции.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Перспективы развития технологии изделий интегральной техники.
ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ
1. Определение профилей распределения примесей при термической диффузии.

2. Определение технологических режимов процесса диффузии.

3. Определение технологических режимов при ионной имплантации.

4. Методы расчета ионно-имплантированных структур.

5. Расчет времени окисления кремния в парах воды.

6. Определение технологических режимов термического окисления кремния.

7. Анализ и расчет характеристик тонкопленочных контактов.

8. Определение технологических режимов формирования тонкопленочных контактов.

ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ

1. Исследование и моделирование процесса термической диффузии.

2. Исследование и моделирование процесса контактной и проекционной фотолитографии при формировании конфигурации элементов электронно-оптических устройств.

3. Формирование тонкопленочных элементов интегральных схем нанесением в вакууме и исследование их свойств.

4. Исследование электропроводности полупроводниковых структур.
ЛИТЕРАТУРА
ОСНОВНАЯ

1. Достанко А.П. Технология интегральных схем. – Мн.: Выш. шк., 1982.

2. Парфенов О.Д. Технология микросхем. – М.: Высш. шк., 1986.

3. Аваев Н.А., Наумов Ю.Ф., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. – М: Радиосвязь, 1991.

4. Гурский Л.И., Степанец В.Я. Проектирование микросхем. – Мн: Наука и техника, 1991.– 295 с.

Маршрутная технология производства кристаллов СБИС: Метод. пособие: В 4 ч. Ч. I/ Под общ. ред. проф. А.П. Достанко. – Мн.: БГУИР, 1994. Ч.2. – Мн.: БГУИР, 1994. Ч.3. – Мн.: БГУИР, 1995. Ч.4. – Мн.: БГУИР, 2000.
Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. – М.: Высш. шк., 1973.
Кан Р. Физическое металловедение./ Вып. 2. Фазовые превращения. Металлография. – М.: Мир, 1968.

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ

Емельянов В.А. Быстродействующие цифровые КМОП БИС. - Мн.: Полифакт, 1998.
Емельянов В.А. Технология микромонтажа интегральных схем. – Мн.: Бел. наука, 2002.
Колешко В.М., Гойденко П.П., Буйко Л.Д. Контроль в технологии микроэлектроники. - Мн.: Наука и техника, 1979.
Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. – М.: Наука, 1972.
Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – М.: Высш. шк., 1980.
Чистяков Ю.Д., Райкова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. – М.: Металлургия, 1979.
Гурский Л.И., Румак Н.В., Куксо В.В. Зарядовые свойства МОП-структур. – Мн.: Наука и техника, 1980.
Достанко А.П., Грушецкий С.В., Киселевский Л.И., Пикуль М.И., Ширипов В.Я. Плазменная металлизация в вакууме. - Мн.: Наука и техника, 1983.
Гурский Л.И., Зеленин В.А., Жебин А.П., Вахрин Г.Л. Структура, топология и свойства тонкопленочных резисторов. - Мн.: Наука и техника, 1987.

1 ... 18 19 20 21 22 23 24 25 26

	Республики беларусь В целях установления единой правоприменительной практики, руководствуясь статьей 18 Закона Республики Беларусь "О хозяйственных судах...		Гражданский кодекс республики беларусь Законом Республики Беларусь от 18. 05. 2007 n 233-З; в ред. Законов Республики Беларусь от 20. 06. 2008 n 347-З, от 28. 12. 2009...
	Республики беларусь и комитета по архивам и делопроизводству при... Утвердить перечень документов, образующихся в деятельности Министерства по чрезвычайным ситуациям Республики Беларусь, подчиненных...		Выписка из положения о государственной (итоговой) аттестации выпускников Правила) разработаны на основании Закона Республики Беларусь «Об образовании» (в редакции Закона Республики Беларусь от 19 марта...
	Введение Организационно-правовое обеспечение образовательной деятельности Правила) разработаны на основании Закона Республики Беларусь «Об образовании» (в редакции Закона Республики Беларусь от 19 марта...		Положение о системе оценок, текущем и итоговом контроле успеваемости учащихся Правила) разработаны на основании Закона Республики Беларусь «Об образовании» (в редакции Закона Республики Беларусь от 19 марта...
	Классный час в 3 классе Тема: «Символы Республики Беларусь» Цель: расширить представления детей о символах Беларуси, подвести к раскрытию понятия «гражданин Республики Беларусь»; воспитывать...		Правила текущей и итоговой аттестации учащихся учреждений, обеспечивающих... Правила) разработаны на основании Закона Республики Беларусь «Об образовании» (в редакции Закона Республики Беларусь от 19 марта...
	Вопросы темы: Внешняя политика: ее сущность, принципы, функции, цели, средства, субъекты О международных договорах Республики Беларусь: Закон Республики Беларусь от 23. 10. 1991 г. №1188 XII (В редакции Закона от 15. 11....		Доклад нормотворческий процесс в республике беларусь подготовлен:... «О нормативных правовых актах Республики Беларусь» нормотворческая деятельность – это научная и организационная деятельность по подготовке,...
	«Наследование по завещанию» 4 часа Постановление Министерства юстиции Республики Беларусь 19. 02. 2002 №3: в ред постановления Министерства юстиции Республики Беларусь...		Постановление Министерства природных ресурсов и охраны окружающей... На основании статьи 35 Закона Республики Беларусь от 20 июля 2007 года "Об обращении с отходами" Министерство природных ресурсов...
	Министерство транспорта и коммуникаций Республики Беларусь Проект... Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов (ЭП)		Введение глава 1 президент республики беларусь в системе органов государственной власти Основные этапы подготовки и проведения выборов президента республики беларусь
	Актуальные проблемы создания единой автоматизированной информационной... Концептуальные основы построения еаис в таможеных органах республики беларусь 9		Курдюмов Н. И. – Мир вместо защиты На основании статьи 35 Закона Республики Беларусь от 20 июля 2007 года "Об обращении с отходами" Министерство природных ресурсов...

Республики Беларусь «24»

Утверждена

Похожие: