Программа по дисциплине «Электроника»

Скачать 190.23 Kb.

Название	Программа по дисциплине «Электроника»
Дата публикации	06.03.2016
Размер	190.23 Kb.
Тип	Программа

100-bal.ru > Журналистика > Программа

ЭЛЕКТРОНИКА

Учебная программа дисциплины

Федеральное агентство по образованию

Владивостокский государственный университет

экономики и сервиса

ЭЛЕКТРОНИКА

Учебная программа дисциплины

специальностей

210303.65 Бытовая радиоэлектронная аппаратура

210305.65 Средства радиоэлектронной борьбы

Владивосток

Издательство ВГУЭС

2014

ББК 32.841

Учебная программа по дисциплине «Электроника» составлена в соответствии с требованиями ГОС ВПО. Предназначена для студентов специальностей 210303.65 Бытовая радиоэлектронная аппаратура 210305.65 Средства радиоэлектронной борьбы.

Составитель: Останин Б.П. доцент кафедра Электроники
Утверждена на заседании кафедры Электроники от 26.11.2009 г. протокол № 3. редакция 2014 г. (заседание кафедры от 22.04.2014 г., протокол № 8).
Рекомендована к изданию учебно-методической комиссией Института информатики, инноваций и бизнес-систем ВГУЭС.

© Издательство Владивостокского

государственного университета

экономики и сервиса, 2014
Введение

Актуальность введения дисциплины «Электроника» обусловлена тем, что она является базовой для изучения дисциплин «Схемотехника аналоговых электронных устройств», «Радиоэлектронные средства бытового назначения», «Прием и обработка сигналов», «Формирование колебаний и сигналов» и др. и занимает особо важное место при подготовке радиоинженеров. Учебная программа содержит организационно-методические указания, перечень тем лекционных, практических и лабораторных занятий, распределение часов по темам и видам учебных занятий, методические рекомендации по изучению курса, список рекомендуемой литературы. Для изучения дисциплины необходимо знание дисциплин «Физика», «Математический анализ», «Радиоматериалы и радиокомпоненты».

Предназначена для студентов обучающихся по специальностям 210303.65 Бытовая радиоэлектронная аппаратура и 21305.65 Средства радиоэлектронной борьбы.

1. Организационно – методические указания

Цели и задачи изучения дисциплины

Целью дисциплины «Электроника» является формирование у студентов теоретической базы и практических навыков для изучения последующих радиотехнических дисциплин.

Основными задачами дисциплины являются: изучение процессов, происходящих в полупроводниковых, электровакуумных и газоразрядных приборах, в интегральных микросхемах, а также параметров и характеристик указанных радиокомпонентов.
1.2. Перечень компетенций, приобретаемых при изучении

дисциплины

Дисциплина направлена на формирование следующих профессиональных качеств:

- обоснованно выбирать необходимые электронные компоненты применительно к поставленной задаче;

- владение общей методикой построения схемных и математических моделей радиокомпонентов.

В процессе изучения дисциплины формируются навыки:

- аппроксимировать характеристики электронных компонентов по экспериментальным данным;

- измерять частотные и временные характеристики реальных электронных компонентов;

Теоретические знания, полученные в процессе изучения дисциплины, формируют профессиональный взгляд на:

- аналитическое и экспериментальное исследование основных процессов, имеющих место в электронных приборах.

- моделирование электронных компонентов в специальных программах и исследование их характеристики с помощью виртуальных измерительных приборов.

1.3. Основные виды занятий и особенности их проведения

Дисциплина «Электроника» изучается студентами очной формы обучения в третьем и четвёртом семестрах. Общее количество часов, которое отводится на изучение курса – 160. Аудиторных часов – 68, из них: лекций – 34 часа (17 часов в третьем и 17 часов в четвёртом семестрах), практических занятий - 17 часов (в третьем семестре) и лабораторных занятий – 17 часов (в четвёртом семестре). На самостоятельную работу студентов отводится 92 часа .

Итоговый контроль в третьем семестре – зачёт, в четвёртом семестре – экзамен.

1.3.1. Лекционные занятия

Объём лекционных занятий составляет 34 часа, что значительно меньше необходимого, поэтому на лекциях рассматриваются наиболее сложные для понимания принципиальные вопросы.

Лекционный материал подразумевает стопроцентное обеспечение студентов учебниками из списка основной литературы, что позволяет не заострять внимание на выводах громоздких формул и второстепенных расчётах, акцентируя внимание студентов на узловых понятиях теории электрических цепей, умении качественно объяснить процессы, происходящие в электрических цепях при минимальном использовании количественных критериев. При чтении лекций используется мультимедийное оборудование.

Лекционные занятия служат основой теоретических знаний студентов и позволяют им при использовании технической и справочной литературы, а также кафедральных разработок изучать другие более сложные электронные приборы.

1.3.2. Практические занятия

Объём аудиторных практических работ составляет 17 часов. Практические занятия проводятся в компьютерном классе. На этих занятиях студенты закрепляют теоретический материал на конкретных примерах использования математических моделей электронных приборов. Особенностью проведения практических занятий является их связь с лабораторными работами, что позволяет подтвердить теоретические выкладки экспериментальными результатами.

1.3.3. Лабораторные работы

Лабораторные работы выполняются как на реальных стендах с использованием прилагаемого программного обеспечения, так и с применением только компьютерных технологий, что обеспечивает моделирование функционирования электронных приборов различной сложности.

В ходе проведения лабораторных работ экспериментально подтверждаются результаты теоретического анализа электронных приборов.

Ряд лабораторных работ выполняется с использованием программы «Electronics Workbench». Использование программы «Electronics Workbench» позволяет расширить программу исследований без увеличения затрат времени или увеличить количество тем, охваченных лабораторным практикумом.

1.3.4. Виды контроля и отчётности по дисциплине

В соответствии с Положением о рейтинговой системе оценки успеваемости студентов во Владивостокском государственном университете экономики и сервиса в ходе изучения дисциплины предусматриваются следующие виды контроля знаний студентов: текущая и промежуточная аттестации.

Текущая аттестация студентов осуществляется по результатам контроля уровня знаний в ходе проведения лекционных занятий, практических, лабораторных работ и консультаций.

Текущая аттестация знаний студентов включает:

- защиту отчётов по выполняемым практическим и лабораторным работам;

- оценку знаний и умений студентов при проведении консультаций по лекционным, практическим занятиям и лабораторному практикуму;

- контроль посещаемости занятий.

Текущая аттестация проводится в форме устного или письменного опроса или теста по разделам дисциплины, изученных студентом в период между аттестациями, при этом учитывается посещение лекционных занятий, количество выполненных и защищённых заданий по практике, лабораторным работам, а также количество выполненных экспресс-контрольных работ за отчётный период. Форма аттестации предлагается ведущим преподавателем и утверждается на заседании кафедры. Результаты аттестации заносятся в ведомость установленной формы.

Промежуточная аттестация - экзамен. Итоговая оценка формируется на основе результатов текущих и промежуточной аттестаций и определяется в соответствии с требованиями Положения о рейтинговой системе оценки успеваемости студентов ВГУЭС

1.3.5. Техническое и программное обеспечение дисциплины

Чтение лекций производится в аудиториях, имеющих мультимедийное оборудование.

Практические занятия проводятся в компьютерных классах.

Лабораторные работы выполняются частично на лабораторных стендах «Сигнал USB» с использованием прилагаемого компьютерного программного обеспечения и частично в компьютерном классе с использованием программы «Electronics Workbench».

2. Содержание ДИСЦИПЛИНЫ

2.1. Перечень тем лекционных занятий

Тема 1. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства

Зонная теория. Чистые (собственные) полупроводники. Примесные полупроводники. Полупроводники c донорной примесью (полупроводники типа n). Полупроводники c акцепторной примесью (полупроводники типа р. 2 часа.

Тема 2. Характеристики p-n-перехода

Структура p-n-перехода. Симметричный и несимметричный р-n переходы. Прямое и обратное включение р-n перехода. Вольтамперная характеристика (ВАХ) идеального р-n перехода. Вольтамперная характеристика (ВАХ) реального р-n перехода. Пробой р-n перехода. Ёмкость р-n перехода. Температурные свойства р-n перехода. Переход металл-полупроводник. 2 часа.

Тема 3. Полупроводниковые диоды, биполярные и полевые транзисторы

Реальная и идеальная прямая ветвь диода. Реальная и идеальная обратная ветвь диода. Расчётная схема диода. Рабочий режим диода. Линия нагрузки диода. Математические модели диода. Работа диода в импульсном режиме. Разновидности полупроводниковых диодов: выпрямительные диоды, стабилитроны, стабисторы, диоды Шоттки, варикапы, туннельные диоды, обращённые диоды. Последовательное и параллельное включение диодов. Импульсный режим работы диода. Устройство диодов. Классификация и система обозначений диодов.

Структура биполярных транзисторов. Основные физические процессы. Потенциальная диаграмма транзистора. Эквивалентная схема транзистора. Усиление с помощью транзистора. Основные схемы включения транзисторов. Каскад с общим эмиттером. Каскад с общим коллектором. Каскад с общей базой. Схемы питания и стабилизации режима работы биполярных транзисторов. Классификация биполярных транзисторов.

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом. Статические вольтамперные характеристики полевых транзисторов. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Транзисторы с собственным (встроенным) каналом. Транзисторы с индуцированным (инверсным) каналом. Основные параметры полевых транзисторов Эквивалентная схема полевого транзистора. Температурные свойства полевых транзисторов. Маркировка полевых транзисторов. Схемы включения полевых транзисторов. 8 часов.

Тема 4. Фотоэлектрические и излучательные приборы

Фоторезисторы. Фотодиоды. Светоизлучающие диоды. Фототранзисторы. Оптопары. 2 часа.

Тема 5. Характеристики, параметры и модели полупроводниковых приборов

Характеристики, параметры и модели полупроводниковых диодов. Характеристики, параметры и модели полупроводниковых биполярных транзисторов. Характеристики, параметры и модели полупроводниковых биполярных транзисторов. Характеристики, параметры и модели полупроводниковых полевых транзисторов. 2 часа.

Тема 6. Элементы интегральных схем

Классификация интегральных микросхем (ИС). Полупроводниковые ИС. Гибридные ИС. Степень интеграции ИС. Операционный усилитель. 4 часа.

Тема 7. Базовые логические элементы на основе биполярных и полевых транзисторов

Условные графические обозначения логических элементов. Принципиальная электрическая схема на биполярном транзисторе, реализующая функцию НЕ. Принципиальная электрическая схема на биполярных транзисторах, реализующая функцию 2И. Принципиальная электрическая схема на биполярных транзисторах, реализующая функцию 2ИЛИ-НЕ. Принципиальная электрическая схема на биполярных транзисторах, реализующая функцию 2И-НЕ. Принципиальная электрическая схема базового логического элемента (БЛЭ) на МДП транзисторах, реализующая функцию 2И – НЕ. Принципиальная электрическая схема базового логического элемента (БЛЭ) на МДП транзисторах, реализующая функцию 2ИЛИ – НЕ. Принципиальная электрическая схема базового логического элемента (БЛЭ) комплементарного МОП-типа (КМОП-типа), реализующая функцию 2И – НЕ. Принципиальная электрическая схема базового логического элемента (БЛЭ) комплементарного МОП-типа (КМОП-типа), реализующая функцию 2ИЛИ – НЕ. 6 часов.

Тема 8. Запоминающие логические элементы

Быстродействующее программируемое постоянное запоминающее устройство с электрической записью и электрическим стиранием информации. Структура ячейки флеш-памяти. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью. 2 часа.
Тема 9. Основы функциональной электроники
Проблемы повышения степени интеграции интегральных микросхем (ИМС). Акустоэлектронные устройства, магнитоэлектронные устройства, оптоэлектронные устройства, устройства на основе эффекта Ганна. 2 часа.

Тема 10. Приборы вакуумной электроники
Электровакуумный триод. Основные параметры. Усилительный каскад с общим катодом. Электровакуумный пентод. Основные параметры. Электронно-лучевая трубка. 4 часа.

2.2. Перечень тем практических занятий

Тема 1. Расчёт вольтамперной характеристики (ВАХ) диода.

Задание включает в себя расчет ВАХ выпрямительного диода и определение статического и дифференциального (динамического) сопротивлений в заданных точках ВАХ.

Тема 2. Расчёт режима работы диода при постоянном напряжении

Задание включает в себя расчёт напряжений на диоде и на сопротивлении нагрузки при воздействии только постоянного напряжения.

Тема 3. Расчёт режима работы диода при одновременном воздействии постоянного и переменного напряжений

Задание включает в себя расчёт минимальных и максимальных напряжений на диоде и на сопротивлении нагрузки, а также минимального и максимального токов в цепи при воздействии суммы постоянного и переменного напряжений.

Тема 4. Расчёт параметрического стабилизатора напряжения

Задание включает в себя расчёт минимального и максимального допустимых значений тока в цепи при заданном напряжении питания и сопротивлении нагрузки и температуре.

Тема 5. Расчёт входного напряжения каскада с общим эмиттером, обеспечивающего получение выходного напряжения, равного половине напряжения питания

Задание включает в себя расчёт тока коллектора, тока базы и входного напряжения графическим и аналитическим методами по заданным входной и выходным характеристикам транзистора..

Тема 6. Расчёт диапазона изменения входного напряжения, соответствующего работе транзистора в активном режиме.

Задание включает в себя расчёт минимального и максимального токов базы, а также минимального и максимального входных напряжений, соответствующих активному режиму работы транзистора.

Тема 7. Расчёт коэффициентов усиления напряжения, тока и мощности усилительного каскада

Задание включает в себя расчет коэффициентов усиления напряжения, тока, мощности по заданным параметрам элементов каскада.

Тема 8. Расчёт тока стока полевого транзистора

Задание включает в себя расчет тока стока полевого транзистора по его передаточной характеристике и параметрам элементов каскада.

2.3. Перечень тем лабораторных занятий

Перед выполнением лабораторных работ студент должен ознакомиться с описанием стенда «Сигнал USB», его программным обеспечением и пакетом «Electronics Workbench».

Тема 1. Вольтамперная характеристика диода

Цель занятия – снятие опытным путём вольтамперной характеристики диода. Нахождение по полученной характеристике статического и динамического сопротивлений диода в заданных точках.

Тема 2. Исследование параметрического стабилизатора

Цель занятия - экспериментальное определение рабочего диапазона тока в цепи стабилизатора при заданном напряжении питания и сопротивлении нагрузки.

Тема 3. Входные и выходные характеристики биполярного транзистора

Цель занятия - снятие опытным путем входных и выходных характеристик биполярного транзистора и нахождение по полученным характеристикам h-параметров транзистора.

Тема 4. Входные и выходные характеристики полевого транзистора

Цель занятия - снятие опытным путем выходных и передаточных характеристик полевого транзистора и нахождение по полученным характеристикам основных параметров полевого транзистора: коэффициента усиления по напряжению при неизменном токе стока, крутизны, дифференциального выходного (внутреннего) сопротивления, дифференциального сопротивления затвор-сток.

3. методические рекомендации по изучению ДИСЦИПЛИНЫ

3.1. Перечень и тематика самостоятельных работ студентов

3.1.1. Рефераты

Применение полупроводниковых материалов в электронной технике.
Свойства p-n-перехода.
Области применения полупроводниковых диодов.
Устройство, характеристики и применение выпрямительных диодов.
Устройство, характеристики и применение стабилитронов.
Устройство, характеристики и применение стабисторов.
Устройство, характеристики и применение туннельных диодов.
Устройство, характеристики и применение обращённых диодов.
Устройство, характеристики и применение варикапов.
Устройство, характеристики и применение диодов Шоттки.
Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов.
Устройство и основные физические процессы в биполярных транзисторах.
Характеристики и параметры транзистора, включённого по схеме с общей базой.
Характеристики и параметры транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером.
Характеристики и параметры транзистора, включённого по схеме с общим коллектором.
Математические модели биполярного транзистора.
Эквивалентные схемы биполярного транзистора.
h-параметры транзистора.
Классификация и система обозначений биполярных транзисторов.
Устройство и основные физические процессы в полевых транзисторах.
Характеристики и параметры полевых транзисторов.
Математические модели полевого транзистора.
Разновидности полевых транзисторов.
Устройство и основные физические процессы в тиристорах.
Разновидности тиристоров.
Оптоэлектронные приборы.
Операционные усилители.
Интегральные микросхемы.
Силовые (мощные) полупроводниковые приборы.
Классификация, основные параметры и характеристики усилителей.

3.1.2. Контрольные работы

Расчёт режима работы диода.
Расчёт режима покоя биполярного транзистора.

3.1.3. Индивидуальные домашние задания

Расчёт h-параметров транзистора по входным и выходным характеристикам.
Расчет простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе.
Расчет простейшего усилительного каскада на плевом транзисторе.

3.2. Методические рекомендации по организации СРС
При написании реферата, выполнении контрольной, индивидуального домашнего задания следует предварительно изучить соответствующий материал по предлагаемой теме. Для этого можно воспользоваться конспектом лекций, презентацией курса, расположенной в хранилище презентационных материалов ВГУЭС, литературой указанной в конце этой программы или любой другой литературой по заданной теме.
3.3. Рекомендации по работе с литературой
Основной рекомендуемый учебник: Лачин, Вячеслав Иванович.
«Электроника» [1] (основная литература). В нём рассматриваются темы данной программы с первой по восьмую включительно. Материал темы 9 изложен в [2] (основная литература). Материал темы 10 изложен в [3] (основная литература). Компьютерное моделирование процессов в электрических цепях описано в пособии [2] (дополнительная литература): Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа «Electronics Workbench» и ее применение и может быть применено при проведении лабораторных работ и практических занятий.

3.4. Контрольные вопросы для самостоятельной оценки

качества освоения дисциплины

Укажите, чем обусловлена разная величина проводимости у металлов, полупроводников и диэлектриков.
Поясните основные моменты зонной теории строения материалов.
Поясните появление подвижных носителей зарядов в чистых (собственных) полупроводниках.
Опишите, что даёт введение в чистый полупроводник донорной примеси.
Опишите, что даёт введение в чистый полупроводник акцепторной примеси.
Поясните, что называют основными и неосновными носителями заряда.
Поясните, что происходит в примесном полупроводнике при увеличении температуры.
Опишите структуру p-n-перехода.
Поясните, как создают симметричный и несимметричный p-n-переходы.
Опишите поведение p-n-перехода при прямом включении внешнего напряжения.
Опишите поведение p-n-перехода при обратном включении внешнего напряжения.
Опишите вольтамперную характеристику p-n-перехода.
Опишите виды пробоя p-n-перехода.
Укажите причины возникновения ёмкостей p-n-перехода.
Поясните возникновение барьерной ёмкости p-n-перехода.
Поясните возникновение диффузионной ёмкости p-n-перехода.
Опишите температурные свойства p-n-перехода.
Укажите, чем объясняются свойства контакта металл-полупроводник.
Опишите свойства невыпрямляющего контакта металл-полупроводник.
Опишите свойства выпрямляющего контакта металл-полупроводник.
Запишите формулу тока в идеальном диоде и поясните все величины входящие в неё.
Укажите, почему напряжение на реальном диоде при заданном токе несколько больше (обычно на доли вольта), чем следует из формулы.
Укажите, основные причины того, что реально обратный ток обычно на несколько порядков больше тока насыщения i_s.
Начертите упрощённую схему диода в прямом направлении.
Начертите упрощённую схему диода в обратном направлении.
Начертите полную схему диода с учетом его резистивных сопротивлений, индуктивности и ёмкостей.
Опишите, как можно определить рабочий режим диода.
Опишите, как строится линия нагрузки при определении рабочего режима диода.
Укажите, что понимают под математической моделью диода.
Начертите какую-либо известную Вам схему, используемую для математической модели диода, и укажите назначение элементов этой схемы.
Рассчитайте ток и напряжения в простейшей цепи постоянного тока с диодом.
Начертите на одной системе координат ВАХ реального и идеального диодов.
Опишите особенности работы диодов в импульсном режиме.
Перечислите разновидности полупроводниковых диодов.
Опишите особенности выпрямительных диодов.
Укажите область применения стабилитронов и их основные параметры.
Опишите особенности стабисторов и область их применения.
Укажите особенности диодов Шоттки.
Укажите область применения варикапов и их основные параметры.
Укажите особенности туннельных диодов и область их применения.
Укажите особенности обращённых диодов и область их применения.
Опишите особенности последовательного включения диодов.
Опишите особенности параллельного включения диодов.
Опишите принципы устройства диодов.
Дайте классификацию и систему обозначения диодов.
Опишите структуры транзисторов типа n-p-n и p-n-p.
Опишите принцип действия биполярного транзистора.
Начертите эквивалентную схему биполярного транзистора для постоянного тока.
Начертите основные схемы включения биполярного транзистора.
Опишите усиление с помощью биполярного транзистора.
Опишите схемы питания транзистора, включённого по схеме ОЭ.
Опишите схему коллекторной стабилизации режима работы биполярного транзистора.
Опишите схему эмиттерной стабилизации режима работы биполярного транзистора.
Опишите схемы питания транзистора, включённого по схеме ОК.
Опишите схемы питания транзистора, включённого по схеме ОБ.
Опишите входные и выходные характеристики биполярных транзисторов.
Опишите эквивалентную схему транзистора с использованием h-параметров.
Опишите влияние температуры на характеристики биполярного транзистора.
Опишите влияние частоты на характеристики биполярного транзистора.
Опишите импульсный режим работы транзистора.
Дайте классификацию биполярных транзисторов.
Опишите принцип действия полевых транзисторов.
Опишите устройство транзисторов с управляющим p-n-переходом.
Опишите статические ВАХ полевых транзисторов.
Опишите устройство транзисторов с изолированным затвором и с собственным (встроенным) каналом.
Опишите устройство транзисторов с изолированным затвором и с индуцированным (инверсным) каналом.
Укажите основные параметры полевых транзисторов.
Начертите эквивалентную схему полевого транзистора.
Опишите температурные свойства полевых транзисторов.
Начертите схемы включения полевых транзисторов.
Дайте маркировку полевых транзисторов.
Опишите ячейку памяти на основе транзистора с изолированным затвором (флеш-память).
Опишите устройство и работу динистора.
Опишите устройство и работу тринистора.
Опишите устройство и работу симистора.
Опишите особенности интегральных схем.
Опишите устройство и основные характеристики фотоэлектрических приборов (фоторезистора, фотодиода, светоизлучающего диода, фототранзистора).
Начертите условные графические обозначения основных логических элементов.
Начертите принципиальную электрическую схему на биполярном транзисторе, реализующую функцию НЕ.
Начертите принципиальную электрическую схему на биполярных транзисторах, реализующую функцию 2И.
Начертите принципиальную электрическую схему на биполярных транзисторах, реализующую функцию 2НЕ.
Начертите принципиальную электрическую схему на биполярных транзисторах, реализующую функцию 2ИЛИ-НЕ.
Начертите принципиальную электрическую схему на биполярных транзисторах, реализующую функцию 2И-НЕ.
Начертите принципиальную электрическую схему на МДП транзисторах, реализующую функцию 2И – НЕ.
Опишите устройство и работу электровакуумного триода.
Опишите устройство и работу электровакуумного пентода.
Опишите устройство и работу электроннолучевой трубки.

4. Список рекомендуемой литературы

4.1. Основная литература

1. Лачин, Вячеслав Иванович.
Электроника: учебное пособие для студ. вузов / В. И. Лачин, Н. С. Савелов. - 7-е изд. - Ростов н/Д : Феникс, 2009. - 703,[1] с. - (Высшее образование). + ил..

2. Игнатов, Александр Николаевич.
Классическая электроника и наноэлектроника: учебное пособие для студ. вузов, обучающихся по направлению 210400 "Телекоммуникации" / А. Н. Игнатов, Е. В. Фадеева, В. П. Савиных. - М. : Флинта : Наука, 2009. - 728 с. : ил.

3. Прянишников, Виктор Алексеевич.
Электроника [Текст] : полный курс лекций : [учебник для высш. и сред. учебных заведений] / В. А. Прянишников. - 5-е изд. - СПб. ; М. : КОРОНА принт : Бином-Пресс, 2006. - 416 с. : ил.

4.2. Дополнительная литература

1. Наундорф, Уве.
Аналоговая электроника. Основы, расчет, моделирование: [учебник для студ. вузов] / У. Наундорф ; пер. с нем. М. М. Ташлицкого. - М. : Техносфера, 2008. - 472 с. + CD-ROM.
2. Карлащук В.И.

Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее применение «Солон- Р» Москва 2000.

3. Электроника: схемы и анализ / Д. С. Дьюб ; пер. с англ. А. Х. Мухаметова. - М. : Техносфера, 2008. - 432 с. : ил. - (Мир электроники).

4. Опадчий, Юрий Федорович.
Аналоговая и цифровая электроника: полный курс. / Ю. Ф. Опадчий, О. П. Глудкин, А. И. Гуров. - М. : Горячая линия -Телеком, 2000. - 768с.

5. Электроника [Текст] : учебник для студ. вузов / О. В. Миловзоров, И. Г. Панков. - М. : Высш. шк., 2004. - 288 с.

6. Радиоматералы, радиокомпоненты и электроника: Учебное пособие для студ. вузов, обуч. по направлению 654200 "Радиотехника" / К.С.Петров. - СПб. : Питер, 2003. - 512с. - (Учебные пособия).

4.3. Список учебно-методических

разработок

1. Гудаков, Геннадий Александрович.
Физические основы электроники: Курс лекций / Г.А.Гудаков. - Владивосток : Изд-во ВГУЭС, 2003. - 156с..

2. Горошко, Дмитрий Львович.
Электроника: Учебно-практическое пособие / Д.Л.Горошко, Г.А.Гудаков. - Владивосток : Изд-во ВГУЭС, 2003. - 60с.

Добавить документ в свой блог или на сайт

	«Электрорадиотехника и электроника» Рабочая учебная программа по дисциплине «Электрорадиотехника и электроника» для ооп «050100 Педагогическое образование (Технология...		Рабочая программа учебной дисциплины «Химия» «Электроника и наноэлектроника», профилю подготовки: «Промышленная электроника»
	Учебно-методический комплекс по дисциплине «материалы и элементы электронной техники» Дисциплина «материалы и элементы электронной техники» входит в цикл общепрофессиональных дисциплин направления 210100 «Электроника...		1 Общие положения Нормативные документы для разработки ооп впо по направлению подготовки 210100. 68 «Электроника и наноэлектроника»( магистерская программа...
	Основная образовательная программа бакалавриата, реализуемая вузом... Нормативные документы для разработки ооп бакалавриата по направлению подготовки 210100 Электроника и наноэлектроника		Рабочая программа дисциплины «Электротехника и электроника» «Электротехника и электроника» по специальности 230101. 65 Вычислительные машины, комплексы, системы и сети
	Рабочая учебная программа дисциплины социология направление подготовки... Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования		Рабочая программа учебной дисциплины «Электротехника и электроника ч. 2» Дисциплина «электротехника и электроника ч» относится к базовому циклу циклу блока Б3, изучается в четвертом семестре
	Рабочая программа по дисциплине б 10. Общая электротехника и электроника Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования		Рабочая программа Дисциплина «Квантовая электроника» «Ядерные физика и технологии» и Учебного плана мирэа по специальности 140306 (200600) «Электроника и автоматика физических установок»,...
	Учебно-методический комплекс по дисциплине Оптическая и квантовая электроника Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования		Программа по формированию навыков безопасного поведения на дорогах... Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов направления 210100. 62 «Электроника...
	Рабочая программа учебной дисциплины «введение в специальность» «введение в специальность» ознакомление студентов направлениея подготовки бакалавра 200100. 62 электроника и наноэлектроника профиль...		Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину,... ...
	Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину,... ...		Рабочая программа по дисциплине «Силовая электроника», составленная... Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Программа по дисциплине «Электроника»

ЭЛЕКТРОНИКА

Учебная программа дисциплины

Федеральное агентство по образованию

Владивостокский государственный университет

экономики и сервиса

ЭЛЕКТРОНИКА

Учебная программа дисциплины

специальностей

210303.65 Бытовая радиоэлектронная аппаратура

210305.65 Средства радиоэлектронной борьбы

Предназначена для студентов обучающихся по специальностям 210303.65 Бытовая радиоэлектронная аппаратура и 21305.65 Средства радиоэлектронной борьбы.

1. Организационно – методические указания

Цели и задачи изучения дисциплины

1.3. Основные виды занятий и особенности их проведения

1.3.1. Лекционные занятия

1.3.2. Практические занятия

1.3.3. Лабораторные работы

1.3.4. Виды контроля и отчётности по дисциплине

1.3.5. Техническое и программное обеспечение дисциплины

2. Содержание ДИСЦИПЛИНЫ

2.1. Перечень тем лекционных занятий

Тема 1. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства

Тема 2. Характеристики p-n-перехода

Тема 3. Полупроводниковые диоды, биполярные и полевые транзисторы

Тема 4. Фотоэлектрические и излучательные приборы

Тема 5. Характеристики, параметры и модели полупроводниковых приборов

Тема 6. Элементы интегральных схем

Тема 7. Базовые логические элементы на основе биполярных и полевых транзисторов

Тема 8. Запоминающие логические элементы

2.2. Перечень тем практических занятий

Тема 1. Расчёт вольтамперной характеристики (ВАХ) диода.

Тема 2. Расчёт режима работы диода при постоянном напряжении

Тема 3. Расчёт режима работы диода при одновременном воздействии постоянного и переменного напряжений

Тема 4. Расчёт параметрического стабилизатора напряжения

Тема 5. Расчёт входного напряжения каскада с общим эмиттером, обеспечивающего получение выходного напряжения, равного половине напряжения питания

Тема 6. Расчёт диапазона изменения входного напряжения, соответствующего работе транзистора в активном режиме.

Тема 7. Расчёт коэффициентов усиления напряжения, тока и мощности усилительного каскада

Тема 8. Расчёт тока стока полевого транзистора

Задание включает в себя расчет тока стока полевого транзистора по его передаточной характеристике и параметрам элементов каскада.

2.3. Перечень тем лабораторных занятий

Тема 1. Вольтамперная характеристика диода

Тема 2. Исследование параметрического стабилизатора

Тема 3. Входные и выходные характеристики биполярного транзистора

Тема 4. Входные и выходные характеристики полевого транзистора

3. методические рекомендации по изучению ДИСЦИПЛИНЫ

3.1.1. Рефераты

3.1.2. Контрольные работы

3.1.3. Индивидуальные домашние задания

3.4. Контрольные вопросы для самостоятельной оценки

качества освоения дисциплины

4. Список рекомендуемой литературы

4.1. Основная литература

4.2. Дополнительная литература

4.3. Список учебно-методических

разработок

Похожие: