Физико-химические основы технологии и микроэлектронике
Термодинамика и кинетика ионно-плазменного травления.
Физико-химические основы формирования рисунка в фотолитографии.
Термодинамика и кинетика термического окисления кремния.
Механизм образования и отжига радиационных дефектов при ионной имплантации.
Получение пленок ионно-плазменным распылением.
Газофазная эпитаксия соединений А3 В5.
Свойства фоторезистор.
Методы исследования физико-химических процессов МЭ.
Анодное окисление металлов.
Расчет профилей распределения примесей при ионной имплантации.
Физические основы проектирования и конструирования
элементой базы БИС и СБИС
Структура полупроводников и типы проводимости.
Подвижность носителей. Удельная проводимость и удельное сопротивление.
Электронно-дырочный переход.
Анализ идеализированного диода.
Расчет технологической структуры интегрального диода.
Расчет элементов топологии интегрального диода.
Расчет технологической структуры диода Шотки.
Особенности дискретных транзисторных структур.
Расчет технологической структуры биполярного транзистора.
Расчет технологической структуры и топологии МОП транзистора.
ДИСЦИПЛИНЫ СПЕЦИАЛИЗАЦИИ
(Физика поверхности полупроводников, термодинамика межфазных границ в конденсированных системах, физика и технология СВЧ ИС, тонкие пленки в микроэлектронике, лазерная технология в производстве изделий электронной техники)
Реконструкция и релаксация поверхности полупроводников. Физические причины реконструкции поверхности. Геометрические модели образования структур на поверхности.
Современные экспериментальные методы исследования состава, структур и свойств поверхности (ЭОС.ДМЭ, СХПЭЭ и др.).
Термическое расширение поверхности твердых тел (Физические основы методов определения коэффициента теплового расширения в нормальном и тангенциальном направлениях, аппаратура, методики эксперимента).
Поверхностная диффузия (механизмы, эксперимент методы, результаты).
Область пространственного заряда на поверхности полупроводников (причины образования, постановка задачи, ход потенциала и концентрации носителей заряда, структур области).
Метод построения термодинамики поверхности по Гиббсу. Фундаментальные уравнения в дифференциальной форме. Интегральные и удельные величины для поверхности.
Термодинамический метод слоя конечной толщены. Фундаментальные уравнения в дифференционный форме. Интегральные и удельные величины для поверхности.
Вывод уравнений изотерм поверхностного натяжения и состава поверхности из фундаментальных уровней термодинамики поверхности для границы «Конденсированная доза – пар (вакуум)».
Уравнение изотерма межфазного натяжения на границе двух растворов (вывод, анализ).
Зависимость состава межфазного слоя на границе двух растворов от состава объемных фаз (вывод, анализ).
Типы структур кристаллов ЛПД.
Конструкция ЛПД.
Меза – планарная технология изготовления кристаллов ЛПД.
Методика измерения выходной мощности и частоты генерации ЛПД.
Методы формирования активной структуры ЛПД.
Вакуумное испарение. Механизм конденсации атомов на подложке. Скорость испарения.
Термодинамическая теория зародышеобразования. Скорость зародышеобразования.
Статистическая теория зародышеобразования. Связь скорости зародышеобразования от температуры подложки.
Электрические явления в тонких металлических пленках. Влияние различных факторов на удельное сопротивление тонких пленок: толщины и структуры пленки, температуры и структуры подложки.
Диэлектрические тонкие пленки. Методы формирования тонких диэлектрических пленок.
Лазерное микрохимическое осаждение и травления материалов.
Лазерный отжиг аморфных и поликристаллических слоев. Лазерная эпитаксия.
Лазерный отжиг ионно-имплантированных слоев.
Взаимодействие лазерного излучения с металлами.
Взаимодействие лазерного излучения с диэлектриками и полупроводниками
7. РЕКОМЕНУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. “Основы кристаллофизики”, М., 1979, Наука.
Шаскольская М.П. “Кристаллография”, М., Высшая школа, 1976.
Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. М. Высшая школа, 1988.
Ашкрофт Н., Мэрмин Физика твердого тела. 1 и 2 том, М. Мир. 1979
Китель Г. Физика твердого тела. М. Наука. 1978.
Уманский Я.С. и др. “Кристаллография, рентгенография, электронная микроскопия”, М., Металлургия, 1982.
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы (учебник для вузов 4-ое изд.). -М., Высшая школа, 1987.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. -М., Мир, 1984.
Терехов В.А. Задачник по электронным приборам. -М., Энергоатомиздат, 1983.
Игумнов Д.В., Костюнина Г.П., Громов И.С. Элементы твердотельной электроники. -Изд. Сарат. ун-та, 1985.
Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника /пер. с исп. под ред. Терехова В.А./. -М., Высшая школа, 1991.
Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. -М., Радио и связь, 1991.
Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000.
Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро и наноэлектроники. П.А. Артюнов, А.Л. Толстихина. Микроэлектроника, 1999, том28, №6Ю,с.405-414.
Шик А.Я. Квантовые нити // Соросовский Образовательный Журнал. 1997. №5, с. 87-92.
В.А. Кульбачинский. Структуры малой размерности в полупроводниках. М., Изд. МГУ,-1998.
Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М., Металлургия, 1979.
Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. М., В.Ш., 1984.
Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронно-ионной технологии. М., В.Ш.,1984.
Вендик С.Г., Горин Ю.Н., Попов В.Ф. Корпускулярно-фотонная технология. М., В.Ш., 1984.
Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М., В.Ш., 1986.
Бер А.Ю., Минсор О.Е. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных схем. М., В.Ш., 1986.
Автоматизация проектирование БИС. В 6-ти книгах. Под.ред. Казёнова К.К. М. В.Ш. 1990г.
Конструирование и технология микросхем. Курсовое прокт. Под.ред. Л.А. Коледова. М.: Радио и связь 1984г. – 392с.
Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. М.Радио и связь 1989г. 425с.
А.И. Петренко, В.М. Лошаков и др. Автоматизированное проектирование СБИС на базовых кристаллов. М.: Радио и связь, 1988г. 324с.
Эрис Р. Проектирование СБИС. М.: Наука. Гл. ред. физ-мат. лит. 1988г.
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. М.: Наука, 1998г., 672с.
К.В. Шалимова. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1999г., 426с.
Русанов А.И. Фазовые переходы и поверхностные явления. -Л.: Химия, 1967
Адомсон А. Физическая химия поверхности. -М.: Мир, 1979
Современная теория капиллярности Гиббса. -Л.: Химия, 1980
Русанов А.И. К термодинамике деформируемых поверхностей./ Сб. Физика межфазных явлений, Нальчик, 1980, с.26-55.
Шебзухов А.А., Карачаев А.М. Сегрегация, избыточное напряжение и адгезия на границе многокомпонентных конденсированных фаз./ Поверхность. Физика, химия, механика., 1984, №5,с.58-67
Русанов А.И., Прохоров В.А. Межфазнаятензиометрия. СПб.: Химия, 1994.
Дао ЧонгТхи, Фоменко А.Т. Минимальные поверхности и проблемы плато. М.: Наука, 1987.
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 2. Пер. англ. Под ред. Р.А. Суриса. М.: Мир, 1984г.
И.Е. Ефимов, И.П. Козырь и др. Микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1987г.
Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы, вып. 5. (1562). А.К. Шухостанов и др. Кремниевые, лавинно – пролетные диоды миллиметрового диапазона, 1990г.
Воробьев Г.А. и др. Тонкие пленки в микроэлектронике.Томск,1991.
Технология тонких пленок. т.т.1-2, М., "Сов. радио", 1977.Под ред. Л.И. Майссела, пер.с англ.
Физика тонких пленок.т.т.1-9, М., 1967-75 гг. Под ред. Г. Хасса, Р.Туна, пер.с англ.
ЧопраК.Л.Электрические явления в тонких пленках.М.,1972.
Чистяков Ю.Д. и др. Физико-химические основы технологии микроэлектроники.М.,1979.
Палатник Л.С. и др. Материаловедение в микроэлектронике.
Д. Реди. Промышленные применения лазеров. М.: Мир, 1981.
У. Дьюли. Лазерная технология и анализ материалов. М.: Мир, 1986.
Применение лазеров, ТИИЭР, 1982.
8. Критерии оценки знаний экзаменуемых.
При оценке итогового государственного междисциплинарного экзамена учитывается:
правильность и осознанность изложения содержания ответа на вопросы., полнота раскрытия понятий и закономерностей, точность употребления и трактовки общенаучных, специальных, технических и технологических терминов;
степень сформированности интеллектуальных и научных способностей экзаменуемого;
самостоятельность ответа;
речевая грамотность и логическая последовательность ответа.
Оценка «отлично»:
полно раскрыто содержание вопросов в объеме программы и рекомендованной литературы;
четко и правильно даны определения и раскрыто содержание физических концептуальных понятий, закономерностей, корректно использованы научные, технические и технологические термины;
для доказательства использованы различные теоретические знания, выводы из наблюдений и опытов;
ответ самостоятельный, исчерпывающий, без наводящих дополнительных вопросов, с опорой на знания, приобретенные при изучении дисциплин специализации.
Оценка «хорошо»:
раскрыто основное содержание вопросов;
в основном, правильно даны определения понятий и использованы научные и технологические термины;
ответ самостоятельный;
определения понятий неполные, допущены нарушения последовательности изложения, небольшие неточности при использовании научных, технических и технологических терминов, которые исправляются при ответе на дополнительные вопросы экзаменаторов.
Оценка «удовлетворительно»:
усвоено основное содержание учебного материала, но изложено фрагментарно, не всегда последовательно;
определение понятий недостаточно четкие;
не использованы в качестве доказательства выводы из наблюдений и опытов или допущены ошибки при их изложении;
допущены ошибки и неточности в использовании научной, технической и технологической терминологии, в определении физического смысла исследуемого параметра.
Оценка «неудовлетворительно»:
ответ неправильный, не раскрыто основное содержание программного материала;
допущены грубые ошибки в определении понятий, физического смысла исследуемого параметра при использовании научной и технологической терминологии.
Не даны ответы на вспомогательные вопросы экзаменаторов.
|
