Скачать 117.3 Kb.
|
Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный институт электронной техники (технический университет)» Факультет «Электроника и компьютерные технологии»
Программа вступительных испытаний в магистратуру по направлению 210100 68 «Электроника и микроэлектроника» (магистр техники и технологии) по программе «Технология и проектирование интегральных микросхем»
Москва 2010г. 1.ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА НАПРАВЛЕНИЯ «ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА» 1.1. Направление утверждено приказом Министра образования Российской Федерации N 686 от 02.03.2000 г. 1.2. Степень (квалификация) выпускника - магистр техники и технологий. Нормативный срок освоения основной образовательной программы подготовки магистра по направлению “Электроника и микроэлектроника” при очной форме обучения 6 лет. Основная образовательная программа подготовки магистра состоит из программы подготовки бакалавра по соответствующему направлению (4 года) и специализированной подготовки магистра (2 года). 1.3. Квалификационная характеристика выпускника Магистр по направлению подготовки “Электроника и микроэлектроника” в соответствии с требованиями “Квалификационного справочника должностей руководителей специалистов и других служащих”, утвержденного Постановлением Минтруда России от 21.08.98, № 37, может занимать следующие должности; инженер-электроник, инженер-технолог, инженер-конструктор, инженер-лаборант, младший научный сотрудник, ассистент и прочие. 1.3.1. Область профессиональной деятельности Область профессиональной деятельности выпускника включает в себя совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной на исследование, моделирование, разработку, производство и эксплуатацию материалов, компонентов, приборов и устройств различного назначения вакуумной, плазменно, твердотельной, микро- и наноэлектроники. 1.3.2. Объекты профессиональной деятельности Объектами профессиональной деятельности выпускника в зависимости от содержания образовательной программы подготовки (магистерской специализации) являются материалы, структуры, элементы, компоненты, приборы и устройства электронной техники, технологические процессы их изготовления, методы исследования, проектирование и конструирование, диагностическое и технологическое оборудование, математические модели процессов и объектов электроники и микроэлектроники, алгоритмы решения типовых задач, относящихся к профессиональной сфере. 1.3.3. Виды профессиональной деятельности Магистр подготовлен к деятельности, требующей углубленной фундаментальной и профессиональной подготовки, в том числе к научно-исследовательской работе; при условиии освоения соответствующей образовательно-профессиональной программы педагогического профиля - к педагогической деятельности. 1.3.4. Обобщенные задачи профессиональной деятельности Магистр по направлению подготовки "Электроника и микроэлектроника должен быть подготовлен к решению следующих типовых задач:
1.3.5. Квалификационные требования Для решения профессиональных задач магистр
Магистр должен знать:
2. ПЕРЕЧЕНЬ ОСНОВНЫХ УЧЕБНЫХ ДИСЦИПЛИН ВЫНОСИМЫХ НА ВСТУПИТЕЛЬНЫЕ ИСПЫТАНИЯ 2.1. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Полупроводниковые диоды. Энергетическая диаграмма р-n перехода. Токи через переход в равновесном состоянии. Граничные условия. Параметры ступенчатого и линейного переходов. Граничные условия. Модель идеализированного диода. Тепловой ток. Коэффициенты инжекции. Особенности ВАХ реального диода. Токи генерации-рекомбинации носителей заряда в области р-n перехода. Особенности высокого уровня инжекции. Механизмы пробоя р-n перехода. Диффузионная емкость диода. Эквивалентная схема. Биполярные транзисторы. Структура и принцип действия транзистора. Режимы работы, способы включения. Модель идеализированного транзистора (модель Эберса-Молла). Особенности ВАХ реального транзистора. Эффект Эрли. Усилительные свойства транзистора. Коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов. Время пролета неосновных носителей через базу. Частотные и импульсные свойства биполярных транзисторов. Диффузионные емкости. Физические эквивалентные схемы транзистора для большого и малого сигналов. Особенности интегральных транзисторов. Встроенное электрическое поле в базе и его влияние на параметры. Особенности эквивалентных схем интегральных транзисторов. Четырехслойные полупроводниковые приборы (тиристоры) Принцип действия тиристора. Тиристорный эффект. ВАХ 2-электродного тиристора. Тиристорные структуры в интегральных микросхемах. Полевые транзисторы. Структура МДП. Пороговое напряжение, вольтфарадные характеристики. Влияние поверхностных состояний и заряда в диэлектрике. Структура и принцип действия МДП-транзистора. ВАХ идеализированного транзистора. Пороговое напряжение транзистора, его зависимость от потенциалов подложки и стока. ВАХ реального транзистора с длинным каналом. Современные интегральные структуры МДП-транзисторов. Комплементарные пары. Эффекты короткого канала. Модуляция длины канала напряжением сток-исток. Эффект смыкания. Подвижность носителей заряда в канале. Влияние длины и ширины канала на пороговое напряжение. Моделирование МДП-транзисторов. Эквивалентные схемы. Частотные и импульсные свойства МДП-транзисторов. Пассивные элементы ИМС. Пассивные элементы интегральных микросхем. Методы реализации резисторов, конденсаторов, индуктивных элементов. Приборы с зарядовой связью (ПЗС). Структура и принцип действия ПЗС. Методы переноса заряда. Области применения ПЗС. 2.2 ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМОТЕХНИКА Основы цифровой техники. Способы представления информации. Основы булевой алгебры. Преобразование логических функций. Цифровые ИМС. Элементная база биполярных цифровых ИМС: ТТЛ, ЭСЛ. Элементная база ИМС на МДП-транзисторах. Функциональные узлы комбинационного типа. Преобразователи кодов, шифраторы и дешифраторы, мультиплексоры и демультиплексоры, двоичные сумматоры, компараторы. Триггерные схемы: структура, классификация. Способы реализации триггеров различного типа на биполярных и полевых транзисторах. Функциональные узлы последовательностного типа. Регистры, счетчики. ИМС памяти. Статические и динамические ОЗУ. Микросхемы ПЗУ и РПЗУ. Аналоговые ИМС. Основные и специальные аналоговые функции. Пассивные RС-цепи. Элементарные усилительные каскады. Операционные усилители и их применение. Аналого-цифровые ИМС. Типы, назначение и классификация, аналого-цифровых ИМС. Компараторы напряжения. Цифро-аналоговые и аналогово-цифровые преобразователи. 2.3. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Химическая обработка полупроводниковХимическое травление кремния. Факторы, влияющие на скорость химического травления. Плазмохимическое травление, его кинетика. Факторы, влияющие на скорость плазмохимического травления. Диффузия примесей в кремнийФизические основы процесса диффузии. Основные уравнения. Метода проведения диффузии. Источники примесей. Метода контроля процесса диффузии. Ионное легирование полупроводниковПринцип устройства установок для ионного легирования. Физические процессы в приповерхностном слое полупроводника при ионном легировании. Получение и свойства тонких диэлектрических пленокПолучение слоев SiO2 различными методами (термическое окисление в парах воды, в сухом и влажном кислороде; пиролитическое осаждение). Кинетика роста пленок при получении их различными методами и методы контроля их толщины. Пленки SiO2, маскирующая способность. Зарядовое состояние SiO2 и методы контроля и управления зарядом. Пленки нитрида кремния. ЛитографияФотолитография. Фоторезисты. Негативные и позитивные фоторезисты. Факторы, влияющие на качество фотолитографии. Проекционная фотолитография, ее особенности. Получение и свойства тонких металлических пленокТермическое испарение металлов в вакууме. Катодное распыление. Химическое и плазмо-химическое осаждение. Факторы, влияющие на электропроводность пленок. Использование пленок силицидов тугоплавких металлов и поликремния в технологии ИМС. Моделирование приборов интегральной электроники и технологических процессов Роль математического моделирования в проектировании и производстве интегральных микросхем. Моделирование процесса ионной имплантации. Моделирование процесса диффузии примеси. Моделирование термического окисления. Моделирование процессов травления и осаждения слоев. Моделирование литографических процессов. Основы численного моделирования полупроводниковых приборов. ЛИТЕРАТУРА 1.Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. В 2 кн. М.: Мир, 1984. 2.Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника / Под ред. Н.Д. Федорова. М.: Радио и связь, 1998. 3.Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Радио и связь, 1998. Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. М.: Радио и связь, 1987. 4.Соклоф С. Аналоговые интегральные схемы. М.: Мир, 1988. 5.Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы, материалы, приборы и их изготовление. М.: Мир, 1985. 6.Технология СБИС. В 2 кн. / Под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986. 7.Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. М.: Радио и связь, 1989. 8.Валиев К.А. Физические основы субмикронной фотолитографии. М.: Наука, 1990. 9.Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов / Под ред. Д. Миллера. М.: Радио и связь, 1989. 10.Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. М.: Высш. шк., 1984. 11.Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Ч.1. Технологические основы изготовления кремниевых интегральных микросхем и их моделирование. Под ред Чаплыгина Ю.А. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2007. Программа вступительных испытаний составлена на основании государственного образовательного стандарта ВПО по направлению подготовки 550700 «Электроника и микроэлектроника» и рассмотрена на заседании кафедры «Интегральная электроника и микросистемы» (ИЭМС)
|
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию | Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... | ||
Федеральное агентство по образованию государственное образовательное... Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Ставропольская государственная медицинская академия»... | Федеральное агентство по образованию Российской Федерации Государственное... Помощник заместителя Министра экономического развития Российской Федерации Руководителя Росимущества | ||
Министерство образования и науки российской федерации федеральное... Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования | Инистерство образования и науки российской федерации федеральное агентство по образованию Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования | ||
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... «Московский государственный институт электронной техники (технический университет)» | Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... «Московский государственный институт электронной техники (технический университет)» | ||
Российской федерации федеральное агентство по образованию Негосударственное образовательное учреждение высшего профессионального образования | Федеральное агентство по образованию российской федерации государственное... Перечень нормативных документов, используемых при составлении рабочей программы по географии | ||
Федеральное агентство по образованию российской федерации государственное... Городская научно-практическая конференция молодых исследователей «шаг в будущее 2010» | Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... Методика проведения контрольных мероприятий примерные вопросы к зачету по курсу «лингвострановедение и страноведение великобритании»... | ||
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... Методика проведения контрольных мероприятий примерные вопросы к зачету по курсу «лингвострановедение и страноведение великобритании»... | Федеральное агентство по образованию российской федерации государственное... Базовый учебник: Перышкин А. В., физика 7кл.: учеб для общеобразоват учреждений. – 12-е изд.,– М.: Дрофа, 2010г | ||
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное... Методическая разработка по практическим занятиям по курсу «Гражданское право ч. 1». Таганрог: Изд-во трту. 2006. 47с | Методические указания разработаны кандидатом экономических наук,... Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение... |