Фазы, фазовые состояния и морфотропные области в n компонентных системах сегнетоэлектрических твердых растворов
Скачать 440.02 Kb.
|
Основное содержание работыВо Введении обосновывается актуальность выбранной темы диссертационной работы, сформулированы ее цель и задачи, показана связь темы с планом научных работ, определены объекты исследования, показаны научная новизна и практическая значимость проведенных исследований, представлены основные научные положения, выносимые на защиту, показаны надежность, достоверность и обоснованность полученных результатов, описаны личный вклад автора в разработку проблемы и апробация результатов работы, приведены основные публикации автора по теме диссертации, изложена структура работы, дана краткая характеристика каждой главы. Первая глава, носящая обзорный характер, посвящена рассмотрению особенностей морфотропного фазового перехода в системах твердых растворов. Основное внимание уделено описанию фазовой картины в базовых системах (1-х) PbZrO3 – x PbTiO3 (ЦТС), (1-х) PbNb2/3Mg1/3 – x PbTiO3 (PMN-PT), (1-х) PbNb2/3Zn1/3O3 – x PbTiO3 (PZN-PT): приводятся установившиеся и новые данные о морфологии области морфотропного фазового перехода в них, доменной структуре, электрических характеристиках объектов исследования. Рассматриваются преимущества n-компонентных (n = 36) систем на основе ЦТС, зависимости между структурными и электрофизическими параметрами в таких системах в окрестности области морфотропного фазового перехода (ОМФП), анализируется связь экстремальных характеристик с положением морфотропной области. Описывается теория фазового перехода типа собственного распада бинарных твердых растворов. Ромбоэдрически-тетрагональный переход в системах типа ЦТС рассмотрен в рамках феноменологической теории фазовых переходов. В заключение главы на основе анализа библиографических данных сформулированы цель и задачи работы. Во второй главе описаны объекты исследования, методы получения и исследования образцов. Состав изучаемых твердых растворов отвечает формулам, приведенным выше (в разделе реферата "Объекты исследования"). ТР1, ТР3 – ТР8 получены по обычной керамической технологии: твердофазный двухстадийный синтез с промежуточным помолом и гранулированием порошков, последующее спекание в воздушной атмосфере без приложения давления. В качестве исходных реагентов использовалось сырье (монооксиды и карбонаты металлов) высокой степени чистоты: PbO – "осч", TiO2 – "осч", ZrO2 – "ч", WO3 – "хч", Bi2O3 – "хч", SrCO3 – "чда", BaCO3 – "чда", Nb2O5 – "Нбо-Пт" (для пьезотехники). В табл. 1 приведены оптимальные технологические регламенты получения ТР1, ТР3 – ТР8. Таблица 1 Оптимальные технологические регламенты получения ТР1, ТР3 – ТР8
ТР2, ТР9, ТР10 приготовлены колумбитным методом, заключающимся в применении в качестве исходных компонентов предварительно синтезированного ниобата магния и оксидов свинца и титана. Соединение MgNb2O6 синтезировано в две стадии при температурах Т1 = 1000 С; Т2 = 1050 С и временах изотермических выдержек при указанных температурах 1 = 2 = 4 час. Для синтеза ТР применяли PbO и TiO2 квалификации "осч", MgO – "чда". Синтез ТР2, ТР9, ТР10 производился в одну стадию при Т1 = 1000 С; 1 = 8 час, режимы спекания для ТР2 – Тсп = 12001240 С, ТР9 – Тсп = 12001220 С; ТР10 – Тсп = 12201240 С (в зависимости от состава), сп = 3 час. для всех указанных ТР. Изготовление измерительных образцов включает две технологические операции: механическую обработку и нанесение электродов.Поисковые измерительные образцы изготавливали в виде дисков ( 10х1 мм или 10х0,5 мм.). Обработку поверхностей производили алмазным инструментом по 6 классу точности. Электроды наносили двукратным вжиганием серебросодержащей пасты при температуре 800 оС в течение 0.5 час. Для микроструктурных и рентгенографических исследований специально готовили один образец из серии образцов каждого состава, плоская поверхность которого полировалась до 13 класса. Формирование поляризованного состояния осуществляли методом "горячей" поляризации, в процессе которой электрическое поле к образцам прикладывали при высокой температуре. При этом образцы загружали в камеру с полиэтиленсилоксановой жидкостью ПЭС-5 при ~ 25 оС, в течение 0.5 час. осуществляли плавный подъем температуры до 140 оС, сопровождающийся увеличением создаваемого поля от 0 до 5÷7 кВ/мм. В этих условиях образцы выдерживали 20÷25 мин. и затем охлаждали под полем до ~25 оС (комнатная температура). Рентгенографические исследования проводились в отделе активных материалов НИИ физики РГУ старшим научным сотрудникам Шилкиной Л. А. методом порошковой дифракции с использованием дифрактометров ДРОН-3 и АДП (FeКα-излучение; Mn-фильтр; FeKβ-излучение; схема фокусировки по Брэггу - Брентано). Исследовались объемные образцы и измельченные керамические объекты, что позволяло исключить влияние поверхностных эффектов, напряжений и текстур, возникающих в процессе получения керамик. Расчет структурных параметров производился по стандартным методикам. Погрешности измерений структурных параметров имеют следующие величины: линейных Δa = Δb = Δc =±(0.002 0.004) Å; угловых Δ = 3'; объема ΔV = ± 0.05Å3 (ΔV/V*100% = 0.07%). Определение измеренной (ρизм..) плотности образцов осуществляли методом гидростатического взвешивания, где в качестве жидкой среды использовали октан. Плотность рассчитывали по формуле ρизм.. =(ρокт *m1)/(m2 - m3 + m4), где ρокт – плотность октана, m1 – масса сухой заготовки, m2 – масса заготовки, насыщенной октаном, m3 – масса насыщенной заготовки, взвешенной в октане с подвесом, m4 – масса подвеса для заготовки. Расчет рентгеновской плотности (ρрентг.) производили по формуле: ρрентг.=1.66*M/V, где М вес формульной единицы в граммах, V – объем перовскитной ячейки в Å. Относительную плотность (ρотн.) рассчитывали по формуле (ρизм./ ρрентг.)*100%. Для аттестации электрофизических свойств исследуемых ТР проведены измерения их диэлектрических, пьезоэлектрических и упругих параметров при комнатной температуре в соответствии с ОСТ 11 0444-87. При этом, определяли: относительные диэлектрические проницаемости поляризованных (ε33т/ε0) и неполяризованных (ε/ε0) образцов, диэлектрические потери в слабом поле (тангенс угла диэлектрических потерь (tgδ)), удельное электрическое сопротивление (ρv) при 100 оС, пьезомодули: - d31, d33, коэффициент электромеханической связи планарной моды колебаний (Kp), механическую добротность (Qм), модуль Юнга (YE11), скорость звука (VE1). Расчет параметров производили с помощью разработанной автором диссертации программы (среда программирования Delphi 5). Полученные значения параметров всех измеренных образцов каждого состава усредняли. Построение зависимостей диэлектрических, пьезоэлектрических и упругих характеристик при комнатной температуре от состава (x) осуществлено с использованием этих усредненных значений. В работе приведены оценки погрешностей измерений всех анализируемых электрофизических характеристик. Высокотемпературные измерения относительной диэлектрической проницаемости (ε/ε0) и тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ) производили при помощи моста переменного тока Е-8-2 на частоте 1 кГц в интервале температур 25 ÷ 650 oC, отдельные составы измеряли на приборе «Измеритель иммитанса Е-7-20» (выпуска 2004 г.). В главе дано обоснование необходимости и возможности исследования систем ТР с малым концентрационным шагом, х < 1 мол.% (0,250,5 мол.%); описан метод поиска морфотропной области в n-компонентных системах ТР. В третьей главе представлено феноменологическое описание твердых растворов системы ЦТС в области морфотропного фазового перехода. Вид экспериментально установленной фазовой х-Т диаграммы системы ЦТС позволяет при последующем полуколичественном анализе фазовых превращений и особенностей физических свойств этой системы считать, что коэффициент 1 зависит только от температуры (Т), тогда как коэффициент 1 является функцией только концентрации (х) компонент ТР: α1= α1Т(Т-Т*) => Т = α1/ α1Т+ Т*; (1) β1 = β1х (х – х*) => х = β1 / β1х+х*; (2), где Т*- температура ФП, х*- концентрация, соответствующая ФП. В свою очередь, наличие критической точки на линии фазовых переходов из кубической в ромбоэдрическую фазу свидетельствует о том, что константа α2 меняет знак в области положительных значений β1. Для удобства последующего анализа запишем α2 как функцию от α1, β1: α2 = kαα1+ kββ1+ α20, где kα = 1/ α1Т; kβ = 1/ β1х; α20= α2Т(Т-Т**) + α2х(х – х**). Особые точки и линии ФД системы ЦТС представлены на рис. 1.  Рис. 1 Схематическая фазовая диаграмма системы ЦТС в плоскости Соотношения между коэффициентами и принятые интервалы их значений приведены ниже:
kαα1+ β1 (kβ +1)+ α0 = 0, на линии α1 = 0, β1 > α0/(kβ +1) = β*; Пусть kβ +1 > 0, тогда kβ > -1; Из 3) => 3kαα1+ 3kββ1+ 3α0+ β1 > 0, на линии α1= 0, (1+ 3kβ)β1+ 3α0 > 0, это условие выполняется на некотором отрезке от β1=0 до β1**= - 3α0/ (1+ 3kβ) = 0; Пусть 1+ 3kβ < 0, тогда β1< - 3α0/ (1+ 3kβ), kβ < -1/3. Тогда
Наличие особых линий α2 + β1 = 0 и 3α2 + β1 = 0 в изучаемой области фазовой диаграммы должно существенно сказаться на диэлектрических свойствах вещества. Рассмотрим, например, область Т- фазы. Для спонтанной поляризации и обратной диэлектрической восприимчивости из потенциала Ф = 1/2α1I1+1/4α2I12+1/4β1I2+1/6α3I13+δI3+c12I1I2 (3) получаем:  χ-1 = -2α1 (1-  ) ~ -2α1В области же линии α2 + β1 = 0 имеем  χ-1 = -4α1. Таким образом, если линия α2 + β1 = 0 действительно пересекается при изменении температуры, мы должны наблюдать в ее окрестности возрастание наклона в зависимости χ-1= f(T). Аналогично должны вести себя диэлектрические характеристики в Рэ- фазе вблизи линии 3α2 + β1 = 0. Такое поведение χ-1 как функции температуры установлены нами в дальнейшем в широкой области концентраций как для Т-, так и для Рэ- фазы. (см. гл. 4). Из общих симметрийных соображений и термодинамического анализа следует, что получить термодинамически устойчивые решения для моноклинной фазы, можно только сохранив в термодинамическом потенциале члены 8-го порядка по компонентам вектора поляризации. Добавили к потенциалу (3) член вида kI2. При наличии особых линий на фазовой диаграмме системы ЦТС моноклинная фаза устойчива (по меньшей мере, метастабильна). Таким образом на фазовой диаграмме системы ЦТС между Рэ- и Т- фазами может существовать одна (или более) промежуточных фаз. В четвертой главе приведены экспериментальные результаты исследования бинарных систем ТР (1-х) PbZrO3 – x PbTiO3 (ЦТС) и (1-х) PbNb2/3Mg1/3O3 – x PbTiO3 (PMN-PT). На рис. 2 приведены фазовые х-Т-диаграммы систем ЦТС (а) и PMN-PT (б) (изотермический разрез при Т = 25 С), а на рис. 2 – концентрационные зависимости структурных (в, г) и электрофизических характеристик (д, е) ТР. Характерным для обеих систем является формирование фазовых состояний в однофазных ТР; областей их сосуществования с постоянством объема элементарной ячейки; сложная морфология области ромбоэдрически (Рэ) – тетрагонального (Т) перехода, содержащей две промежуточные фазы, идентифицированные нами (в силу очень слабых расщеплений линий) в системе ЦТС как псевдокубические (ПСК1, ПСК2), в системе PMN-PT – как ПСК1 и моноклинная (М) (аm = 4,023 Å, bm = 4,002 Å, cm = 4,0Å, = 90,18); распад последней при измельчении образцов на две (или три) фазы (Рэ, Т, М); чрезвычайная изрезанность концентрационных зависимостей электрофизических параметров с абсолютными экстремумами величин в окрестности Рэ-Т перехода и с относительными – при смене фазовых состояний. Н  аблюдающиеся явления можно описать в рамках реальной (дефектной) структуры объектов, связанной с переменной валентностью ионов титана, бесконечно-адаптивной структурой TiO2, образованием, упорядочением и поворотами протяженных дефектов – плоскостей   Рис. 2(б) Фазовая х – Т диаграмма системы (1-x)PbNb2/3Mg1/3O3-xPbTiO3 (PMN-PT) (изотермический разрез при Т = 25 оС). Локализация фаз, фазовых состояний, морфотропных областей, областей сосуществования фазовых состояний:
 Рис. 2(г) Концентрационные зависимости структурных характеристик твердых растворов системы (1-x)PbNb2/3Mg1/3O3-xPbTiO3 (1-; 2-aT; 3- aРэ; 5- сТ; 4-c/a-1 ; 6-VT; 7- VРэ) Расшифровка фаз, фазовых состояний, морфотропных областей и областей сосуществования фазовых состояний: I – К; II – К+Рэ1; III – Рэ1; IV - Рэ1+Рэ2; V – Рэ2; VI – Рэ2+Рэ3; VII – Рэ3; VIII – Рэ3+М; IX – М; X – М+Т1; XI – М+Т1+ПСК; XII – Т1+Т2+М+ПСК; XIII – Т2+М+ПСК; XIV - Т2+ПСК; XV – Т2+Т3; XVI – Т3; XVII – Т3+Т4; XVIII - Т4+Т5; XIX – Т5.  Рис. 2(в) Концентрационные зависимости структурных характеристик твердых растворов системы PbTixZr1-xO3 (1-; 2-aT; 3- aРэ; 5- сТ; 4-c/a-1; 6-VT; 7- VРэ) Расшифровка фаз, фазовых состояний, морфотропных областей и областей сосуществования фазовых состояний: I - Рэ1; II – Рэ1+Рэ2; III – Рэ2; IV – Рэ2+Рэ3; V – Рэ3; VI – Рэ3+ПСК1; VII – Рэ3+ПСК1+ПСК2; VIII – Рэ3+ПСК1+ПСК2+Т1; IX – Т1+ПСК2; X – Т1 ; XI – Т1+Т2;XII – Т2.   Рис. 2(д) Концентрационные зависимости электрофизических характеристик ТР системы PbTixZr1-xO3. Рис. 2(е) Концентрационные зависимости электрофизических характеристик ТР системы (1-x)PbNb2/3Mg1/3O3-xPbTiO3. кристаллографического сдвига, пространственной неоднородностью керамик, особенно в областях фазовых превращений. В системе ЦТС вблизи перехода в неполярную кубическую (К) фазу обнаружена область, характеризующаяся слабыми искажениями и температурно-временной нестабильностью кристаллической структуры ТР ("область нечеткой симметрии", ОНС), сдвигающаяся в сторону более высоких температур и сужающаяся по мере обогащения системы титанатом свинца (рис. 3). Полная фазовая х-Т диаграмма системы приведена на рис. 4.   Рис. 3 (б) Ширина “области нечеткой симметрии”. Рис. 3 (а) Фазовая диаграмма твердых растворов системы ЦТС в интервалах концентраций x = 0.37÷0.57, температур Т = 260 оС ÷ 600оС.  Рис. 4 Фазовая диаграмма твердых растворов системы ЦТС в широких интервалах концентраций x = 0.37÷0.57, температур Т = 25 оС ÷ 600оС.  В Рис. 5. Зависимость скачка объема ΔV от содержания PbTiO3. этой же системе выделяются три концентрационные области, различающиеся значениями скачка объема ячейки ΔV на линии переходов ОНС→К: при ~ 0.20 ≤ х ≤ 0.45 величины ΔV не превышают погрешностей измерения (±0.05Å3), то есть практически отсутствуют, что свидетельствует о второродности здесь ФП в СЭ-фазу; в интервале 0.45 < x < 0.50 наблюдаются колебания ΔVОНС от 0 до -0.2 Å3 , что может говорить о некотором смешанном состоянии ТР, предваряющем ФП I рода, которые реализуются при х~0.5; выше х~0.5 ФП первородны (ΔV > ±0.05Å3). В работе рассмотрены возможные причины смены "родности" перехода при х ~ 0,5, появления смешанного состояния, а также существования при х 0,49 вблизи ~ 300 С некоторой структурной неустойчивости, сопровождающейся аномалиями в поведении параметров ячейки ТР и их диэлектрических свойств. Наблюдаются три температурные (25oС ≤ Т < 270oС; 270oС ≤ Т < 360oС; 360oС ≤ Т ≤ 500oС) области зависимостей обратной диэлектрической проницаемости. Появление этих областей можно объяснить в рамках термодинамической теории, развитой в главе 3. Установлено немонотонное поведение фундаментальных характеристик ТР, что связывается с проявлением эффекта топохимической памяти веществ об их низкотемпературных модификациях. Эффект заключается в сохранении в высокотемпературной кубической фазе остаточных механических напряжений на границах фаз и фазовых состояний, формирующихся в процессе приготовления керамик. В пятой главе рассмотрены трехкомпонентные системы с участием ЦТС. Основу анализируемых систем составили ТР вида Pb(TixZr1-x)O3 – Pb(B1-B")O3. В качестве третьих компонентов использованы BaW1/3Bi2/3О3 (сегнетоэлектрик с температурой Кюри 450 С) и гипотетические соединения, не существующие в самостоятельной кристаллической форме, "SrW1/3Bi2/3O3" и "PbNb1/2Bi1/2O3". Проведено стехиометрическое и сверхстехиометрическое модифицирование ТР элементами Sr и Ge. Выбор указанных третьих компонентов и модификаторов обусловлен прогнозируемой возможностью реализации в системах высоких значений Тс, характерных для висмутовых соединений, и пьезоэлектрических параметров, обеспечиваемых "сегнетомягкими" катионами Ba и Sr, а также улучшения технологичности объектов за счет образования низкоплавких Ge-содержащих эвтектик. Так как в указанных системах содержание третьих компонентов невелико, их фазовые диаграммы должны быть близки к диаграмме базовой системы ЦТС. В связи с этим выбранный интервал вариации х обеспечит образование ТР в области Рэ-Т перехода, что хорошо видно из рис. 6 (а,б), на которых представлены концентрационные зависимости структурных параметров ТР анализируемых систем. Так же, как и в системе ЦТС, в тройных системах ТР в морфотропной области наряду с Рэ и Т-фазами образуются ТР более низкой симметрии, формирующие промежуточную фазу, идентифицированную нами, в виду слабого разрешения соответствующих рентгеновских линий, как ПСК. Отличием от системы Pb(TixZr1-x)O3 является возникновение только одной промежуточной фазы, а также расслоение ТР внутри (а не вне, как в системе ЦТС) области морфотропного перехода на несколько тетрагональных и ромбоэдрических фазовых состояний, отличающихся, соответственно, отношением параметров с/а и углом . После длительной выдержки в течение 24 часов эффект расслоения проявляется более четко. (Рентгенографически определяются два типа ТР с отличающимися параметрами Т-ячейки.)   Рис.6 (б) Концентрационные зависимости структурных характеристик твердых растворов системы 0.98Pb(TixZr1-x)O3-0.02”Pb(Nb1/2Bi1/2)O3”, полученных при Тсп = 1200 ºС (справа); Тсп. = 1180 ºС (слева) (aT (1, 1), сТ (2,2); VT (3, 3); T (4, 4); Т (5, 5), Рэ (6, 6), ПСК (7, 7) Рис.6 (а) Концентрационные зависимости структурных характеристик твердых растворов системы 0.98 Pb(TixZr1-x)O3-0,02BaW1/3Bi2/3O3 (слева), 0,98 Pb(TixZr1-x)O3-0,02 “SrW1/3Bi2/3O3“ (справа). (aT (1, 1), сТ (2,2); VT (3, 3); T (4, 4); Т (5, 5), Рэ (6, 6), ПСК (7, 7)   Рис.7 (б) Концентрационные зависимости электрофизических характеристик твердых растворов системы 0.98Pb(TixZr1-x)O3-0.02Pb(Nb1/2Bi1/2)O3, полученных при Тсп = 1200 ºС (справа); Тсп. = 1180 ºС (слева). Рис.7 (а) Концентрационные зависимости электрофизических характеристик твердых растворов системы 0.98 Pb(TixZr1-x)O3-0,02BaW1/3Bi2/3O3 (слева), 0,98 Pb(TixZr1-x)O3-0,02 “SrW1/3Bi2/3O3“ (справа) (1 – Тс, 2-33T/0, 3 - /0, 4 - Кр , 5 - d31, 6 - QM, 6 - tg). На рис. 7 (а, б) показаны изменения электрофизических характеристик ТР рассматриваемых систем от состава. Обращает на себя внимание факт существования в ОМФП одного или двух участков постоянства (или очень малых изменений) структурных и электрофизических характеристик. Каждый из этих участков примыкает (или близко расположен) к границе перехода в однофазные области. Вне этих областей параметры ТР изменяются существенно при вариации составов, при этом экстремальными значениями электрофизических характеристик обладают ТР с максимальным содержанием промежуточной фазы. Анализ полученных экспериментальных данных позволил выбрать оптимальные для практического применения ТР систем 0.98(Pb0.9727Sr0.0273)(TixZr1-x)O3-0.02”Pb(Nb1/2Bi1/2)O3”+1вес%PbO; 0.98(Pb0.9727Sr0.0273)(TixZr1-x)O3-0.02”Pb(Nb1/2Bi1/2)O3”+2вес%PbGeO. Можно выделить группу ТР состава 0.98(Pb0,9727Sr0,0273)(Ti0,455Zr0,545)O3-0.02”Pb(Nb1/2Bi1/2)O3”+2вес%PbGeO с высокими температурами Кюри Тс (350С 360 С), достаточно высокими относительной диэлектрической проницаемостью 33Т/0 (≥1500), пьезоэлектрическими параметрами Kp (0.57 0.58), |d31| (≥100 пКл/Н) при низких диэлектрических (tg < 0.02) потерях, предназначенных для устройств, работающих в силовых режимах (пьезодвигателях, ультразвуковых излучателях и пр.). Выделяется также область ТР состава 0,98Pb(Ti0,465Zr0,535)O3 – 0,02Ba(W1/3Bi2/3)O3 с высокими температурами Кюри Тс (≥ 360 С), пьезоэлектрическими параметрами Kp (~ 0.55), |d31| (100 пКл/Н) при средних значениях относительной диэлектрической проницаемости (33Т/0 ≤ 1300), низких диэлектрических (tg < 0.02) потерях, которые возможно использовать в качестве основы высокотемпературных преобразователей с широкой полосой пропускания, эксплуатируемых в среднечастотном диапазоне. Шестая глава посвящена исследованию структуры, диэлектрических, пьезоэлектрических и упругих свойств ТР четырехкомпонентной системы 0.98(xPbTiO3-yPbZrO3– zPbNb2/3Mg1/3O3) – 0.02PbGeO3. На рис. 8 представлен тетраэдр составов указанной системы, а на рис. 9 показан треугольник Гиббса (исследуемое сечение тетраэдра) с выделенными I - V – разрезами, соответствующими содержанию PbNb2/3Mg1/3O3 (I, II), PbZrO3 (III, IV) 5 и 10 мол. %, соответственно, и постоянному отношению концентраций PbNb2/3Mg1/3O3 и PbZrO3 (V). Наиболее подробно в работе изучены физические свойства твердых растворов I, III и V разрезов системы, фазовые х-Т-диаграммы которых (при комнатной температуре) приведены на рис. 10 (а, б, в) Как свидетельствуют полученные данные, фазовая картина в многокомпонентной системе (I, III разрез) упрощается: уменьшается количество фазовых состояний и промежуточных фаз в ОМФП по сравнению с системой ЦТС.Это, вероятно, является следствием нескольких причин:
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
) (всего 7)Похожие:
 | Эдуард Викторович особенности фазовых переходов pbHfO 3, PbZrO 3... ... | | Систем Дисперсной системой называется гетерогенная система, в которой мелкие частицы одной фазы равномерно распределены в объеме другой... |
| Биологические науки влияние условий культивирования и фазы роста... Геологическая съемка, поиски и разведка месторождений твердых полезных ископаемых | | Фазовые превращения и магнитодиэлектрический эффект в бинарных и... Работа выполнена в отделе активных материалов Научно-исследовательского института физики федерального государственного автономного... |
| Феноменологическая теория стехиометрических и нестехиометрических... Работа выполнена на кафедре теоретической и вычислительной физики Федерального государственного учреждения высшего профессионального... | | Диэлектрические и теплофизические свойства керамики нестехиометрических... Работа выполнена в отделе активных материалов Научно-исследовательского института физики федерального государственного автономного... |
| Адсорбция асфальтенов на твердых поверхностях и их агрегация в нефтяных дисперсных системах Работа выполнена в Учреждении Российской академии наук Институте биохимической физики им. Н. М. Эмануэля ран | | Реферат по курсу Технология получения твердых веществ с заданными свойствами По способам его создания различают два основных метода кристаллизации: 1) охлаждение горячих насыщенных растворов (изогидрическая... |
| Программа по формированию навыков безопасного поведения на дорогах... Название работы Агрегатные состояния вещества. Строение твердых, жидких и газообразных тел |  | 1. Строение вещества. Молекула. Атом. Три состояния вещества Количество теплоты при нагревании и охлаждении. Удельная теплоемкость твердых тел, жидкостей и газов |
| Дефекты твердых тканей коронки зуба. Классификация дефектов. Этиология,... Ортопедическое лечение патологии твердых тканей зубов коронками и частичных дефектов зубных рядов мостовидными протезами | | Пояснительная записка к проекту постановления «порядок предоставления... «хвостов» в брикеты, транспортирование твёрдых бытовых отходов, размещение отходов на полигоне в районе города Белореченск Краснодарского... |
| Разработка методики комплексной оценки состояния индустрии туризма... Специальность: 05. 13. 10 – управление в социальных и экономических системах (экономические науки) | | «Определение кислотности среды водных растворов» В представленном уроке учащиеся знакомятся с понятием ионного произведения воды, водородного показателя среды (рН), рассматривают... |
| Рабочая программа учебной дисциплины «аморфные и микрокристаллические материалы» «Основы научных исследований», «Физика и химия конденсированного состояния/Теория электронного строения твердых тел», «Материаловедение... | | Кариесология и заболевания твёрдых тканей зубов Цель подготовка врача стоматолога, способного оказать пациентам с заболеваниями твёрдых тканей зубов амбулаторную стоматологическую... |
