1 Общие положения
Скачать 1.26 Mb.
|
7. Общая трудоемкость дисциплины.4 зачетные единицы (144 часа). 8. Формы контроля.Форма текущего контроля: коллоквиум, курсовая работа, тестирование, практические (семинарские) занятия. Промежуточная аттестация - экзамен (2 семестр). 9. Составитель.А.А. Хатухов.
Дисциплина относится к вариативной части профессионального цикла - В.2.5. Физика и технология монокристаллов и гетероструктур, которая читаетсямагистрантам очной формы обучения по направлению подготовки 210100.68 - Электроника и наноэлектроника. Содержание дисциплины не оговорено ФГОС ВПО по направлению 210100 - Электроника и наноэлектроника утвержденного приказом Министерства образования и науки Российской Федерации «14» января 2010 г. № 31.
.Дисциплина « Физика и технология монокристаллов и гетероструктур »является самостоятельным модулем.
Целью настоящего курса является изучение теоретических и экспериментальных основ технологии получения полупроводниковых кристаллов и гетероструктур. Изучение дисциплины, ориентированно также на формирование навыков экспериментальных исследований свойств и параметров монокристаллов и гетероструктур. Основной задачей курса является углубленное изучение физики и технологии процессов выращивания монокристаллов и наногетероструктур, имеющих на сегодня перспективы практического использования в интегральной, квантовой, оптической и функциональной электроники.
Дисциплина состоит из 2 модулей. Раздел 1. Физика и технология гетероструктур. Основные элементы структур низкой размерности: свободная поверхность и интерфейсы; гетероструктуры 1-го и 2-го типов; полупроводниковые сверхрешетки, сверхрешѐтки полупроводник-диэлектрик, напряжѐнныесверхрешѐтки. Наноструктуры с квантовым ограничением за счет приложенного внешнего электрического пол. Наногетероструктуры с квантовым ограничением за счет внутреннего (встроенного) электрического поля: дельта-легированные и n-i-p-i структуры; модуляционно-легированные структуры; квантовые ямы, периодические квантовые ямы. Современные технологии выращивания гетеростуктур: физические и физико-химические основы методов(МЛЭ, осаждение из газовой фазы, атомно-слоевая эпитаксия и т.д.), оборудование( особенности аппаратной реализации), области приложения в технологиях микро и наноэлектроники. Раздел 2. Технология и физико-химические основы технологии монокристаллов: термодинамические системы их свойства и классификация Термодинамические параметры и уравнения состояния Термодинамические процессы. Характеристические термодинамические функции. Соотношения Максвелла и уравнения Гиббса-Гельмгольца Уравнение Гиббса-Дюгема Принципы равновесия Гиббса Условие фазового и химического равновесия. Правило фаз Гиббса. .Критерии устойчивости фаз и гетерогенных систем Термодинамическая устойчивость неравновесных систем. Принцип смещения равновесия (принцип Гиббса-ле-Шателье-Брауна). Условия равновесия гетерогенной системы с химическими реакциями. Закон действующих масс. Теоретические основы управления процессами выращивания монокристаллов методами Чохральского, Бриджмена, зонной плавки их современные приложения в технологии микро- и наноэлектроники.
Преподавание дисциплины ведется по следующим организационным формам: лекции, лабораторно-практические занятия, индивидуальные занятия, контрольные работы и компьютерное тестирование промежуточных знаний. Лекции по дисциплине проводятся с использованием мультимедийных презентаций. Лабораторный практикум проводиться в учебно-научной лаборатории материалы и компоненты твердотельной электроники. Содержательная часть практикума ориентированна на закрепление знаний по основным разделам теоретического курса, освоение техники измерений характеристик материалов электронной техники, включая методики обработки экспериментальных результатов Для подготовки к занятиям студентам организован Интернет- доступ к различным сайтам образовательных и научных учреждений, в том числе и к единому образовательному порталу, в котором находятся ресурсы учебно-методической литературы ведущих ВУЗОВ России. По данной дисциплине создан фонд тестовых заданий объемом в 300 тестов, охватывающий основные разделы данной дисциплины, который используется при компьютерном тестировании промежуточных и итоговых знаний.
Процесс изучения дисциплины направлен на формирование элементов следующих компетенций в соответствии с ФГОС ВПО и ООП ВПО по данному направлению подготовки: а) общекультурных (ОК): способностью совершенствовать и развивать свой интеллектуальный и общекультурный уровень (ОК-1); способностью к самостоятельному обучению новым методам исследования, к изменению научного и научно-производственного профиля своей профессиональной деятельности (ОК-2); б) профессиональные компетенции (ПК): способностью использовать результаты освоения фундаментальных и прикладных дисциплин магистерской программы (ПК-1); способностью демонстрировать навыки работы в научном коллективе, порождать новые идеи (креативность) (ПК-2); способностью понимать основные проблемы в своей предметной области, выбирать методы и средства их решения (ПК-3); В результате изучения дисциплины студенты должны: 1) Иметь представление - о месте и роли монокристаллов и гетероструктур в развитии науки техники и технологии; - о состоянии решения проблемных вопросов в области физики и технологии монокристаллов и гетероструктур; - о перспективах практического использования гетероструктур в современных направлениях развития электронного приборостроения 2) Знать и уметь использовать - основные положения физики процессов выращивания монокристаллов полупроводников; - физико-химическиеэлектро - физические и структурные свойства основных групп полупроводниковых монокристаллов и гетероструктур применяемых на современном этапе изготовления изделий электронной техники; - методы получения монокристаллов и гетероструктур, параметров технологических режимов с характеристиками получаемых материалов; -- типовые структуры и технологию изготовления монокристаллов и гетероструктур . 3) Иметь навыки - практического получения полупроводниковых монокристаллов на базовом технологическом оборудовании, применяемом в электронной технике; - исследования основных параметров и характеристик монокристаллов и гетероструктур
3 зачетных единицы (108 академических часа).
Промежуточная аттестация – экзамен (2 семестр).
Доцент, к.х.н. Гаев Д.С. |
Похожие:
 | Положение о расписании учебных занятий Общие положения Общие положения. Расписание составляется на основании требований санитарных норм, Учебного плана на текущий год, Правил внутреннего... |  | I. Общие положения Об утверждении Положения об организации профессиональной подготовки, повышения квалификации и переподготовки безработных граждан... |
| Открытое акционерное общество «федеральная гидрогенерирующая компания-русгидро»... Российской Федерации установлены Федеральным законом от 27 декабря 2002г. №184-фз «О техническом регулировании», а общие положения... | | 1. Общие положения В целях реализации Постановления Правительства Российской Федерации от 17 июня 2004 г. N 293 "Об утверждении Положения о Федеральном... |
| Инструкция по заполнению бланков Общие положения Положения о проведении государственной (итоговой) аттестации выпускников 9 и 11 классов оу рф; утвержденное приказом мо РФ от 03.... | | Общие положения к г (И) а в новой форме допускаются Положения о проведении государственной (итоговой) аттестации выпускников 9 и 11 классов оу рф; утвержденное приказом мо РФ от 03.... |
| Программа государственной аттестации студентов Общие положения Государственный... Выписка из положения о порядке проведения итоговой государственной аттестации выпускников | | Основные положения о порядке проведения аттестации работников учреждений... Учебно-методический комплекс по дисциплине «Коммерческая деятельность» составлен в соответствии с требованиями Государственного образовательного... |
| Инструкция о работе в проекте марс общие положения Участники Проекта составляют библиографические записи на статьи из журналов, закрепленных за ними в соответствии с обязанностями... | | Правила приема в аспирантуру гну вниивив россельхозакадемии в 2014 году I. Общие положения Правительства Российской Федерации от 14. 02. 2008 г. №71, Положения о подготовке научно-педагогических и научных кадров в системе... |
| Правила приема в аспирантуру высшей школы экономики в 2011 году I. Общие положения Правительства Российской Федерации от 14. 02. 2008 г. №71, Положения о подготовке научно-педагогических и научных кадров в системе... | | Оглавление общие положения «Высшая школа экономики» и «Положения об организации и проведении практики студентов в Национальном исследовательском университете... |
| Правила приёма в аспирантуру Ульяновского высшего авиационного училища... Правительства Российской Федерации от 14. 02. 2008 №71, Положения о подготовке научно-педагогических и научных кадров в системе послевузовского... | | Образовательная программа основного общего образования Общие положения |
| Методические рекомендации по написанию и защите вкр общие положения | | Правительство Российской Федерации Государственное образовательное... На втором курсе студенты изучили общую часть гражданского права, которая включает основные положения гражданского права, права собственности... |
