1 Общие положения
Скачать 1.26 Mb.
|
Место дисциплины в структуре основной образовательной программы (ООП). Дисциплина относится к базовой (общепрофессиональной) части учебного цикла – В2.6 профессиональный цикл. Место дисциплины в модульной структуре ООП. Дисциплина «Технологические процессы наноэлектронники» является дисциплиной по выбору. Цель изучения дисциплины. Целью преподавания дисциплины является подготовка высококвалифицированных инженеров, способных на основе приобретенных знаний к активной творческой работе в области наноэлектроники как в научных лабораториях, так и в условиях производства. Структура дисциплины.
Понятие "тонкая пленка". Зависимость удельной электропроводности сплошных металлических пленок от толщины. Механизмы токопереноса в островковых металлических пленках. Влияние термообработки. Тонкие пленки полупроводников. Условия наблюдения квантовых размерных эффектов. Процессы в тонких пленках диэлектриков. Термическое напыление. Адсорбция: основные закономерности, кинетика, адсорбционное равновесие. Теории зародышеобразования. Механизмы конденсации. Частичная и полная конденсация: зоны захвата, критическая температура. Химическое вакуумное нанесение. Физическая и химическая адсорбция. Особенности хемосорбции на поверхности полупроводников. Плазмо-химическое нанесение плёнок. Нанесение плёнок ионным распылением. Реактивное ионное распыление.
Эпитаксия, её разновидности. Современные представления о механизме формирования эпитаксиальных слоев. Методы эпитаксиального наращивания слоев, используемые в наноэлектронной технологии. Молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводников, технологические возможности. Модели роста полупроводниковых плёнок из молекулярных пучков.
Механизмы диффузии. Диффузия из источника ограниченной и неограниченной ёмкости. Диффузия из тонкого слоя. Распределение атомов примеси по глубине. Дефекты кристаллической структуры и их роль в процессе диффузии.
Принципы ионного легирования полупроводников. Ионный имплантер. Закономерности торможения ионов в веществе. Распределение внедрённых ионов по глубине. Поперечное смещение. Каналирование. Образование дефектов при ионном облучении. Отжиг дефектов. Электрическая активность примеси.
Принципы планарной технологии. Методы создания оксидных и нитридных плёнок. Фотолитографический процесс. Фоторезисты. Субмикронная литография. Электронная и ионная литография. Химическое травление полупроводников и защитных покрытий. Ионно-плазменная обработка.
Типы сверхрешеток, электрическое и магнитное квантование электронных состояний в сверхрешетке. Сверхрешетки постоянного состава с переменным легированием: формирование хода потенциала, эффективная ширина запрещенной зоны, способы управления зонной структурой. Приборы и устройства на основе сверхрешеток. Возможности создания квантовых проволок и квантовых точек. Самоорганизующиеся системы. Основные образовательные технологии. В учебном процессе используются следующие образовательные технологии: по организационным формам: лекции, практические занятия, индивидуальные занятия, контрольные работы; по преобладающим методам и приемам обучения: объяснительно-иллюстративные (объяснение, показ- демонстрация учебного материала и др.) и проблемные, поисковые (анализ конкретных ситуаций («casestudy»), решение учебных задач и др.); активные (анализ учебной и научной литературы, составление схем и др.) и интерактивные, в том числе и групповые (деловые игры, взаимное обучение в форме подготовки и обсуждения докладов и др.); информационные, компьютерные, мультимедийные (работа с источниками сайтов академических структур, научно-исследовательских организаций, электронных библиотек и др., разработка презентаций сообщений и докладов, работа с электронными обучающими программами и т.п.). Требования к результатам освоения дисциплины. В результате освоения дисциплины формируются следующие компетенции:
Знать: - физические основы, законы и методы нанотехнологии; - способы управления технологическими процессами и методы выходного контроля в современной наноэлектронике. Уметь: - обоснованно выбирать исследовательское и технологическое оборудование, оценивать эффективность его работы и адекватность поставленной задаче; - предсказывать и оценивать результаты технологических воздействий и на основе этого выбирать оптимальные технологические операции, проводить анализ полученных результатов, представлять аргументацию для подтверждения сделанных на их основе выводов и принятых решений. Иметь представление: - об основных научно-технических проблемах и перспективах развития наноэлектроники и соответствующих технологиий; - о роли нанотехнологии в создании приборов с качественно новыми характеристиками. Общая трудоемкость дисциплины. 3 зачетных единицы (108 академических часа). Формы контроля. Промежуточная аттестация - экзамен/зачет (2 семестр). Составитель. к.ф.-м.н. , доцент Керефов А.Х. |
Похожие:
 | Положение о расписании учебных занятий Общие положения Общие положения. Расписание составляется на основании требований санитарных норм, Учебного плана на текущий год, Правил внутреннего... |  | I. Общие положения Об утверждении Положения об организации профессиональной подготовки, повышения квалификации и переподготовки безработных граждан... |
| Открытое акционерное общество «федеральная гидрогенерирующая компания-русгидро»... Российской Федерации установлены Федеральным законом от 27 декабря 2002г. №184-фз «О техническом регулировании», а общие положения... | | 1. Общие положения В целях реализации Постановления Правительства Российской Федерации от 17 июня 2004 г. N 293 "Об утверждении Положения о Федеральном... |
| Инструкция по заполнению бланков Общие положения Положения о проведении государственной (итоговой) аттестации выпускников 9 и 11 классов оу рф; утвержденное приказом мо РФ от 03.... | | Общие положения к г (И) а в новой форме допускаются Положения о проведении государственной (итоговой) аттестации выпускников 9 и 11 классов оу рф; утвержденное приказом мо РФ от 03.... |
| Программа государственной аттестации студентов Общие положения Государственный... Выписка из положения о порядке проведения итоговой государственной аттестации выпускников | | Основные положения о порядке проведения аттестации работников учреждений... Учебно-методический комплекс по дисциплине «Коммерческая деятельность» составлен в соответствии с требованиями Государственного образовательного... |
| Инструкция о работе в проекте марс общие положения Участники Проекта составляют библиографические записи на статьи из журналов, закрепленных за ними в соответствии с обязанностями... | | Правила приема в аспирантуру гну вниивив россельхозакадемии в 2014 году I. Общие положения Правительства Российской Федерации от 14. 02. 2008 г. №71, Положения о подготовке научно-педагогических и научных кадров в системе... |
| Правила приема в аспирантуру высшей школы экономики в 2011 году I. Общие положения Правительства Российской Федерации от 14. 02. 2008 г. №71, Положения о подготовке научно-педагогических и научных кадров в системе... | | Оглавление общие положения «Высшая школа экономики» и «Положения об организации и проведении практики студентов в Национальном исследовательском университете... |
| Правила приёма в аспирантуру Ульяновского высшего авиационного училища... Правительства Российской Федерации от 14. 02. 2008 №71, Положения о подготовке научно-педагогических и научных кадров в системе послевузовского... | | Образовательная программа основного общего образования Общие положения |
| Методические рекомендации по написанию и защите вкр общие положения | | Правительство Российской Федерации Государственное образовательное... На втором курсе студенты изучили общую часть гражданского права, которая включает основные положения гражданского права, права собственности... |
