Скачать 2.95 Mb.
|
Требования к результатам освоения дисциплины Процесс изучения данной дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:
Кафедра установила следующие особенности проектируемых результатов освоения дисциплин: Знать (обладать знаниями)
Уметь (обладать умениями)
Владеть (овладеть умениями)
Содержание дисциплины Семестр № 4 1. Физические основы электроники. 1.1. Движение заряженных частиц в классическом и квантово-механическом представлении: 1) Движение заряженных частиц в рамках классической модели 2) Движение заряженных частиц в квантово-механическом представлении 3) Описание волновых процессов при движении заряженных частиц на основе вспомогательной волновой функции 4) Принцип неопределенности Гейзенберга. 1.2. Основное уравнение квантовой механики: 1) Связь между параметрами силового поля и состоянием микрочастицы. Уравнение Шредингера 2) Движение микрочастицы в зоне потенциального барьера 3) Линейные колебания и вращательное движение микрочастиц 4) Состояние электрона на внешней оболочке атома. 1.3. Связанное состояние микрочастицы в потенциальной яме: 1) Типы колебаний(моды) 2) Плотность электромагнитных колебаний 3) Классическое распределение частиц по Максвеллу 4) Потенциальные ямы. Потенциальный барьер. 1.4. Принцип запрета Паули и уровень Ферми: 1) Принцип запрета Паули 2) Распределение Ферми 3) Уровень Ферми 4) Квантовые числа и квантово-механическое описание электронов в атоме. 2. Электронно-дырочный переход. 2.1. Образование электронно-дырочного перехода: 1) Работа выхода 2)Контакт двух металлов 3) Контакт металла и полупроводника 4) Контакт двух полупроводников. 2.2. Электрическое смещение р-n-перехода: 1) Включение р-n-перехода в электрическую цепь 2) Прямое включение 3) Обратное включение 4) Ток дрейфа и ток диффузии. 2.3. Вольт - амперная характеристика р-n-перехода: 1) Исходные положения. Определение ВАХ 2)Уравнение ВАХ 3) Исследование уравнения ВАХ 4) Прямой и обратный участки ВАХ 5) Основные параметры р-n-перехода. 2.4. Пробои р-n-перехода: 1) Лавинный пробой 2) Туннельный пробой 3) Поверхностный пробой 4) Тепловой пробой. 3. Полупроводниковые приборы. 3.1. Полупроводниковые диоды: 1) Принцип действия и классификация 2) Плоскостные и точечные диоды 3) Параметры и обозначение силовых диодов 4) Специальные типы диодов. 3.2. Транзисторы: 1) Назначение и классификация 2) Физические явления в биполярных транзисторах и схемы их включения. 3) Характеристики биполярных транзисторов и режимы их работы 4) Характеристики работы полевых транзисторов и режимы их работы. 3.3. Тиристоры: 1) Назначение и классификация 2) Физические процессы в p-n-p-n структуре тиристора 3) Вольт - амперная статическая характеристика тиристора 4) Тринисторы и семисторы. 3.4. Оптоэлектронные приборы и устройства: 1) Оптоэлектронные приборы и устройства 2) Излучатели 3) Оптроны 4) Волоконно-оптические линии связи. Код РПД: 784 Кафедра: "Электрические машины и аппараты " Б2.С.01 Основы теории полупроводниковых приборов Дисциплина вариативной по выбору студента части Учебного плана (от 29.06.2012 № 17, от 08.07.2011 № 13) подготовки бакалавра (специальное звание "Бакалавр-инженер") имеет трудоемкость 3 зачетные единицы (включая 48 часов аудиторной работы студента). Форма аттестации: текущее тестирование в Центре мониторинга качества образования, зачет в семестре 4. Цели и задачи дисциплины Целью дисциплины "Основы теории полупроводниковых приборов" является расширение и углубление естественнонаучной подготовки в составе других базовых дисциплин цикла "Математический и естественнонаучный цикл", в соответствии с требованиями, установленными федеральным государственным образовательным стандартом (приказ Минобрнауки России от 08.12.2009 № 710) для формирования у выпускника профессиональных компетенций, способствующих решению профессиональных задач в соответствии с видами профессиональной деятельности: проектно-конструкторская, производственно-технологическая;, организационно-управленческая, научно-исследовательская, монтажно-наладочная;, сервисно-эксплуатационная. и профилем подготовки "Электромеханика". Для достижения цели поставлены задачи ведения дисциплины:
Требования к результатам освоения дисциплины Процесс изучения данной дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:
Кафедра установила следующие особенности проектируемых результатов освоения дисциплин: Знать (обладать знаниями)
Уметь (обладать умениями)
Владеть (овладеть умениями)
Содержание дисциплины Семестр № 4 1. Физические явления и процессы в полупроводниковых структурах. 1.1. Общие сведения о полупроводниках: 1) Собственная электропроводность полупроводников. 2)Типы связей в кристаллах. 3) Дефекты кристаллической решетки. 4) Тепловые свойства кристаллов. 5) Энергетические зоны в кристалле. 1.2. Электропроводность полупроводников: 1) Собственные и примесные полупроводники 2) Примесная проводимость полупроводников. 3) Донорная проводимость полупроводников 4) Концентрация носителей заряда. 1.3. Концентрация носителей заряда в полупроводниках: 1) Вырожденные полупроводники. 2) Невырожденные полупроводники. 3) Основные и не основные носители заряда. 4) Удельная электропроводность собственных и примесных полупроводников. 1.4. Полупроводники в сильном электрическом поле: 1) Критическая напряженность электрического поля 2) Подвижность носителей заряда в сильных электрических полях 3) Термоэлектронная эмиссия 4) Электростатическая ионизация. 2. Электронно-дырочный переход. 2.1. Образование электронно-дырочного перехода: 1) Работа выхода 2)Контакт двух металлов 3) Контакт металла и полупроводника 4) Контакт двух полупроводников. 2.2. Электрическое смещение р-n-перехода: 1) Включение р-n-перехода в электрическую цепь 2) Прямое включение 3) Обратное включение 4) Ток дрейфа и ток диффузии. 2.3. Вольт - амперная характеристика р-n-перехода: 1) Исходные положения. Определение ВАХ2 2)Уравнение ВАХ3 3) Исследование уравнения ВАХ4 4) Прямой и обратный участки ВАХ5 5) Основные параметры р-n-перехода. 2.4. Пробои р-n-перехода: 1) Лавинный пробой 2) Туннельный пробой 3) Поверхностный пробой 4) Тепловой пробой. 3. Полупроводниковые приборы. 3.1. Полупроводниковые диоды: 1) Общие сведения о диодах. 2) Плоскостные и точечные диоды. 3) Параметры и обозначение силовых диодов. 4) Специальные типы диодов. 3.2. Транзисторы: 1) Назначение и классификация. 2) Физические явления в биполярных транзисторах и схемы их включения. 3) Характеристики биполярных транзисторов и режимы их работы. 4) Транзистор как линейный четырехполюсник. 5) Принцип работы и стоко-затворные характеристики полевых транзисторов . 6)Основные параметры полевых транзисторов. 3.3. Тиристоры: 1) Назначение и классификация 2) Физические процессы в p-n-p-n структуре динистора и тринистора. 3) Вольт - амперные статические характеристики управляемых и неуправляемых тиристоров. 4) Семисторы и триаки. 3.4. Оптоэлектронные приборы и устройства: 1) Оптоэлектронные приборы. 2) Излучатели. 3) Фотодиоды. Фототранзисторы. 4) Оптроны. Код РПД: 2339 Кафедра: "Электрические машины и аппараты " Б2.С.02 Способы охлаждения электрических машин и аппаратов Дисциплина вариативной по выбору студента части Учебного плана (от 29.06.2012 № 17, от 08.07.2011 № 13) подготовки бакалавра (специальное звание "Бакалавр-инженер") имеет трудоемкость 4 зачетные единицы (включая 60 часов аудиторной работы студента, выполнение расчетно-графической работы). Форма аттестации: защита расчетно-графической работы, экзамен в семестре 6. Цели и задачи дисциплины Целью дисциплины "Способы охлаждения электрических машин и аппаратов" является расширение и углубление естественнонаучной подготовки в составе других базовых дисциплин цикла "Математический и естественнонаучный цикл", в соответствии с требованиями, установленными федеральным государственным образовательным стандартом (приказ Минобрнауки России от 08.12.2009 № 710) для формирования у выпускника профессиональных компетенций, способствующих решению профессиональных задач в соответствии с видами профессиональной деятельности: проектно-конструкторская, производственно-технологическая;, организационно-управленческая, научно-исследовательская, монтажно-наладочная;, сервисно-эксплуатационная. и профилем подготовки "Электромеханика". Для достижения цели поставлены задачи ведения дисциплины:
Требования к результатам освоения дисциплины Процесс изучения данной дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:
В результате изучения данной дисциплины студент должен: |
Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Дисциплина базовой части Учебного плана (от 08. 07. 2011 №13) подготовки бакалавра (специальное звание "Бакалавр-инженер") имеет... | Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Дисциплина базовой части Учебного плана (от 04. 06. 2012 №16, от 08. 07. 2011 №13) подготовки бакалавра имеет трудоемкость 12 зачетных... | ||
Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Программа предназначена для преподавателей, ведущих данную дисциплину, учебных ассистентов и студентов специальности 030100. 68 «Философия»... | Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Целью дисциплины "История" является фундаментальная гуманитарная подготовка в составе других базовых дисциплин цикла "Гуманитарный,... | ||
Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Дисциплина базовой части Учебного плана (от 04. 06. 2012 №16) подготовки бакалавра имеет трудоемкость 6 зачетных единиц (включая... | Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Целью дисциплины "История" является фундаментальная гуманитарная подготовка в составе других базовых дисциплин цикла "Гуманитарный,... | ||
Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Дисциплина базовой части Учебного плана (от 08. 07. 2011 №13) подготовки бакалавра имеет трудоемкость 6 зачетных единиц (включая... | Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Дисциплина базовой части Учебного плана (от 04. 08. 2011 №14, от 29. 06. 2012 №17) подготовки бакалавра (специальное звание "Бакалавр-инженер")... | ||
Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Целью дисциплины "История" является фундаментальная гуманитарная подготовка в составе других базовых дисциплин цикла "Гуманитарный,... | Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Рецензенты: Старший преподаватель английского языка кафедры общенаучных дисциплин бф пгту е. Б. Кучина, Старший преподаватель английского... | ||
Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Дисциплина базовой части Учебного плана (от 29. 06. 2012 №17, от 09. 09. 2011 №1) подготовки бакалавра (специальное звание "Бакалавр-инженер")... | Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Дисциплина базовой части Учебного плана (от 29. 06. 2012 №17, от 08. 07. 2011 №13) подготовки бакалавра (специальное звание "Бакалавр-инженер")... | ||
Основной образовательной программы по направлению подготовки: Стоматология... Дисциплина относится к базовой (обязательной) части цикла «Гуманитарный, социальный и экономический цикл» для медицинского образования... | Программам дисциплин (модулей) Гуманитарный, социальный и экономический цикл Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ооп | ||
Программам дисциплин (модулей) Гуманитарный, социальный и экономический цикл Место дисциплины в структуре основной образовательной программы, в модульной структуре ооп | Рабочие программы дисциплин в структуре Основной образовательной... Целью дисциплины "История" является фундаментальная гуманитарная подготовка в составе других базовых дисциплин цикла "Гуманитарный,... |