Реализованные и/или подготовленные инновации
в научно-исследовательской деятельности
По результатам проведения научных исследований в 2010 году университетом получены 42 охраноспособных документа на объекты интеллектуальной собственности, из них 17 патентов на изобретения, 22 свидетельства на программы для ЭВМ, 3 свидетельства на топологии интегральных микросхем. Три объекта интеллектуальной собственности после независимой оценки были выбраны в качестве имущественного вклада в уставный капитал трех малых предприятий, созданных в 2010 г. в рамках ФЗ-217.
Проведенная модернизация научных лабораторий МИЭТ позволяет развивать новые направления научных исследований и разработок по ПНР.
В рамках ПНР «Микро- и наноэлектроника», направленного на развитие твердотельной электроники и быстродействующей электронной компонентной базы цифровых и цифро-аналоговых интегральных схем, работающих в диапазоне частот десятков гигагерц, особое внимание было уделено совершенствованию материально-технической базы в области технологий наноэлектроники. Ранее в МИЭТ был создан значительный задел по различным направлениям развития технологии гетероструктур. В области развития методов нанотехнологии и создания элементной базы наноэлектроники разработаны новые принципы обработки и преобразования информации, основанные на управляемой перестройке когерентных состояний квантовых гетероструктур, содержащих туннельно-связанные квантовые ямы, и предложены новые типы функционально-интегрированных логических квантовых элементов; созданы программные комплексы по моделированию и проектированию квантовых приборов на базе полупроводниковых гетероструктур; установлены фундаментальные аналогии транспорта носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах и в электронных волноводах с переменным сечением и нетривиальной топологией и развиты методы проектирования базовых элементов волноводной наноэлектроники; получены действующие экспериментальные образцы полностью планарных (без использования мезаструктур) интегральных схем на основе резонансно-туннельных гетероструктур; разработаны и получены действующие базовые элементы акустонаноэлектронных приборов с акустическим переносом заряда на основе полупроводниковых гетероструктур.
В МИЭТ введена в эксплуатацию первая в России установка наноимпринт литографии Suss Mikrotex FC 150, предназначенная для формирования наноразмерных элементов. Отработана технология формирования элементов наноэлектроники на основе углеродных нанотрубок и наностолбиков оксида цинка, получены экспериментальные образцы полевых транзисторов с длиной затвора менее 0,5 мкм. Отработаны процессы совмещения технологии нанолитографии и стандартной литографии для получения монолитно интегрированных схем на основе гетероструктурных соединений А3В5. Патентуется технология создания НЕМТ транзисторов и микросхем с длиной затвора менее 0,1 мкм при помощи технологии наноимпринтлитографии.
В области разработки и создания сверхбыстродействующей элементной базы для систем телекоммуникаций и радиолокации отработана технология молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур на базе соединений А3В5, разработана оригинальная технология и реализован единственный в вузах России замкнутый технологический маршрут изготовления сверхбыстродействующих цифровых и цифро-аналоговых интегральных схем на основе полупроводниковых гетероструктур соединений А3В5; получены первые в России экспериментальные образцы интегральных схем на основе полупроводниковых гетероструктур для систем подповерхностной локации и цифровой осциллографии гигагерцового диапазона частот; разработаны схемотехнические решения, обеспечивающие работоспособность интегральных схем при значительном разбросе пороговых напряжений; получены экспериментальные образцы GaAs-нанотранзисторов и ведутся работы по созданию интегральных схем на их основе по заказам Минобороны и Минатома РФ.
Дооснащение имеющегося современного технологического оборудования для проведения основных технологических операций изготовления монолитно интегрированных СВЧ микросхем (МИС СВЧ) на гетероструктурных соединениях А3В5 позволяет вплотную подойти к конкурентноспособным изделиям, востребованным на современном рынке СВЧ схем. Разработанные в НИЧ МИЭТ совместно с НПП «Исток» аналогово-цифровые микросхемы фазовращателей, аттенюаторов, переключателей, работающих на частоте 18 ГГц, имеют значительный спрос для систем АФАР. Потребности их исчисляются сотнями тысяч. Постановка технологии получения качественных омических контактов, которую позволяет осуществить введенная в эксплуатацию установка вжигания «RTP 1200-100», позволит значительно повысить выход годных изделий и значительно снизит стоимость единицы изделия.
Современное развитие техники и технологии требует дальнейшего повышения частотного диапазона твердотельных приборов и МИС. Повышение степени интеграции и удельных мощностей современных схем требует обеспечение достаточного теплоотвода. Для решения этой задачи приобретен комплекс установок утонения «Logiteсh». Возможность получения подложечного материала соединений А3В5 толщиной порядка 50 мкм, кроме решения вопросов теплоотвода, открывает значительные перспективы по разработке и изготовлению МИС, в которых возможно интегрировать как высокочастотные активные элементы, так и высокочастотные пассивные элементы: волноводы, резонаторы и пр.
В рамках программы произведена закупка коррелятора оптических, спектральных и топографических свойств поверхностных объектов «Centaur HR». В результате появилась возможность проводить как независимые исследования топографии и спектральных характеристик поверхности с высоким разрешением, так и получать одновременно спектрально-топографические характеристики исследуемых объектов. Благодаря этому возможно сделать однозначное сопоставление топографии поверхности с её структурой и составом. Кроме того «Centaur HR» позволяет получать отдельный спектр в каждой исследуемой точке, а не только интенсивность по строго выбранному спектральному признаку, как у приборов предыдущих поколений. Сочетание спектроскопии комбинационного (рамановского) рассеяния и сканирующей зондовой микроскопии в комплексе «Centaur HR» позволяет проводить исследования состава, структуры и взаимодействия органических и неорганических веществ, особенностей структуры биологических клеток и микроэлектромеханических систем (MEMS).
В области разработки малогабаритных химических сенсоров на основе углеродных нанотрубок для интеграции в роботизированные платформы мобильных газоанализаторов появляется возможность проведения исследований на нанометровом уровне механизмов возникновения чувствительности при адсорбции примесных газов на газочувствительный слой из углеродных нанотрубок. Комплекс «Centaur HR» позволит в реальном масштабе времени определять энергии адсорбционных связей. Полученные результаты позволят разработать новые композитные слои для создания селективных чувствительных сенсоров. В целом, в области газоанализаторов на основе нанотрубок полученные результаты позволят разработать сенсоры повышенной чувствительности и селективности.
На развитие работ в области нано-, микросистемной техники и электронной компонентной базы была направлена модернизация научно-технологического центра «Нано и микросистемная техника» МИЭТ. НТЦ «Нано и микросистемная техника» был создан в рамках реализации федеральной целевой программы «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008-2011 годы» по направлению «Развитие приборно-инструментальной составляющей инфраструктуры наноиндустрии». Целью деятельности НТЦ является обеспечение развития отечественного сектора высоких технологий и повышения конкурентоспособности национальной экономики на основе передовых достижений наноиндустрии. Модернизация была направлена на обеспечение условий для разработки новых устройств микро- и наноэлектроники, повышения эффективности исследований и расширения технологических возможностей.
Закупленное оборудование расширило возможности имеющихся исследовательско-технологических процессов в части:
- обеспечения проведения процесса электронно-лучевого экспонирования на фотошаблонных заготовках размером 7 дюймов с использованием электронно-лучевого генератора изображения Vistec SB350B, требующихся для формирования наноразмерных структур;
- плазмохимического удаления фоторезиста с поверхности исследуемых кремниевых образцов со скоростью не менее 30 нм/мин и селективностью к Al, SiO2 не менее 200;
- маркировки комплектов полупроводниковых пластин и их привязки к кодам технологических маршрутов методом глубокой гравировки, резки тонких материалов лазерным лучом с точностью позиционирования < 1 мкм;
- проведения контроля промежуточных шаблонов с учетом требований проекционной литографии в масштабе 5:1 при разработке наноэлектронных систем посредством обнаружения проколов в маскирующем слое, островков на светлом фоне, вырывов, выступов элементов рисунка с диапазоном коррекции размеров элементов эталонного изображения 50-250 нм;
- утонения исследуемых пластин методом шлифовки, в том числе сколотых пластин и пластин с неправильной формой, из монокристал-лического Si n- и p- типа диаметром до 200 мм, толщиной 0,3-1,8 мм, до конечной толщины 100 мкм и менее;
- генерации искусственного водорода для обеспечения активированного осаждения тонких слоёв методом генерации паров деионизованной воды при исследовании диффузионных процессов;
- хранения кремниевых пластин, экспериментальных образцов, материалов, электровакуумных и полупроводниковых приборов в защитной атмосфере;
- проведения микросварки золотой проволокой методом шарик-клин при разварке экспериментальных образцов с точностью позиционирования по оси Θ – 10;
- исследований электрофизических свойств пластин и подложек диаметром до 150 мм зондовым методом;
- обеспечения возможности формирования магнитных, диэлектрических, сложных композиционных, в том числе пьезоэлектрических, и других гетероструктур на полупроводниковых подложках с заданными параметрами в диапазоне толщин от 5 до 1000 нм магнетронным методом;
- определения качества поверхности, необходимого для контроля процессов химической обработки экспериментальных пластин и чистоты процессов формирования слоев гетероструктур;
- измерения профиля «плоской» поверхности исследуемых пластин методом механического сканирования стилуса (иглы-зонда), а также определение толщины различных слоев наноструктур при напылении на плоскую поверхность;
- проведения экспериментов по формированию различных структур с наноразрешением на базе растрового электронного микроскопа JEOL JSM-6490LV посредством литографии;
- качественного и количественного анализа состава поверхности экспериментальных образцов в диапазоне спектров определяемых элементов от бериллия до плутония на базе растрового электронного микроскопа JEOL JSM-6490LV;
- проведения исследования температурных характеристик тестовых образцов на базе растрового электронного микроскопа JEOL JSM-6490LV;
- создания и подержания микроклимата на рабочих местах инженеров-исследователей и в общем объеме помещения при помощи приточно-вытяжной вентиляции, управляемой системой автоматики.
На основе проведенной модернизации оборудования появилась возможность развивать базовые технологии по разработке, изготовлению и исследованию устройств микро и наноэлекроники:
- НЭМС-магниторезистивных преобразователей на эффекте гигантского магнетосопротивления (магниторезистивные сенсоры магнитного поля, сверхплотная энергонезависимая память MRAM, СВЧ генераторы электромагнитного излучения, гироскопы в электронных системах навигации).
- НЭМС-тензорезистивных преобразователей (сенсоры давления, акселерометры).
- НЭМС-терморезистивных преобразователей (газовые и жидкостные расходомеры).
- КМОП ИС с топологическими нормами 350 нм.
- сборок интеллектуальных датчиков, предусматривающих интеграцию КМОП ИС (интегральных схем обработки сигнала) с НЭМС- и МЭМС сенсорами в едином конструктивном исполнении.
Планируется выполнение комплекса работ в различных областях деятельности созданной лаборатории электронно-микроскопической нанодиагностики. В области диагностико-метрологического обеспечения предполагается проведение следующих научно-исследовательских работ:
- диагностика многослойной структуры интегральных микросхем, их локальная модификация на основе применения фокусированного ионного пучка и растровой электронной микроскопии;
- исследования и диагностика наноструктурированных материалов и выбранных участков полупроводниковых структур методами просвечивающей электронной микроскопии с разрешением вплоть до атомарного;
- диагностика и локальная модификация изделий микро- наносистемной техники;
- теоретические и экспериментальные исследования упруго и неупругого рассеяния быстрых электронов в твердом теле, процессов взаимодействия электронных и ионных пучков с веществом;
- развитие методов идентификации структуры и состава в наноразмерных областях;
- развитие методов диагностики микро- и наноструктур, нанообъектов на основе комплексного применения растровой и просвечивающей электронной микроскопии, фокусированного ионного пучка;
- развитие методов и средств автоматизированного измерения координат и позиционирования большой совокупности объектов в наноинженерии и наноэлектронике;
- разработка методик автоматизированного измерения координат большой совокупности нанообъектов и их локальной характеризации в наноинженерии и наноэлектронике с различной степенью детализации.
Совершенствование материально-технической базы университета позволило расширить спектр фундаментальных и прикладных научных исследований, повышение качества подготовки специалистов и кадров высшей квалификации в области создания радиоинформационных систем мониторинга состояния атмосферы и гидросферы, навигации и управления, зондирования поверхности Земли. В результате дооснащения созданы условия для исследований и разработок в области:
- построения и реализации скрытных беспроводных локальных сетей;
- разработки технологии проектирования многофункциональных масштабируемых радиоинформационных систем на базе технологии цифровых активных фазированных антенных решеток (АФАР);
- создания аппаратно-программных комплексов сбора и передачи с высокой достоверностью телеметрической информации по радиоканалу;
- создания комплексов адаптивного приема радиосигналов;
- создания систем встроенного контроля и калибровки бортовых многоэлементных АФАР;
- разработки самолетных метеорологических радиолокаторов обзора атмосферы;
- создания перспективных средств и методов высотного баллонного радиозондирования атмосферы;
- разработки многофункциональных радиолокационных систем обнаружения льда, нефтяных пятен и волнения на море.
Проведенное дооснащение научно-исследовательских лабораторий позволило значительно расширить возможности проведения не только фундаментальных научных исследований, но и опытно-конструкторских работ по созданию реальных радиэлектронных изделий.
Среди наиболее значимых проектов, выполнявшихся в 2010 году, следует отметить ОКР «Разработка СБИС и технологии изготовления чип-модулей для идентификационно-платежных систем и универсальных сенсоров, интегрированных со схемами обработки сигналов», выполняемую по заказу ОАО «НИИМЭ и завод «Микрон» в рамках постановления правительства Российской Федерации №218 от 9 апреля 2010 года «О мерах государственной поддержки развития кооперации российских высших учебных заведений и организаций, реализующих комплексные проекты по созданию высокотехнологичного производства». Объектами ОКР являются интеллектуальный МЭМС-сенсор расхода газа, с возможностью беспроводной передачи накопленной информации на смарт-карты и датчики физической активности на основе микромеханических акселерометров с электростатическим принципом съема сигнала.
В 2010 году были разработаны технические предложения на разрабатываемые изделия, проведено моделирование работы термоанемометрических чувствительных элементов в потоке газа, выбраны и обоснованы конструкции сенсора, исследованы характеристик зарубежных аналогов, проведен поиск оптимальных схемных решений для обработки сигнала терморезистивного микромеханического чувствительного элемента, разработана архитектура и системная модель ИС обработки сигналов с резистивных сенсоров, разработан маршрут изготовления кристалла МЭМС сенсора расхода газа с элементами предварительной обработки сигнала. Разработан стенд отладки программного обеспечения для реализации протокола обмена данных между датчиками расхода газа и считывающими устройствами по протоколу ISO 14443, включающий в себя «газовую часть», обеспечивающую подачу воздуха в канал измерения с заданной скоростью и крепление кристалла МЭМС в измерительном канале и электронную часть, позволяющую проводить работы по отладке программного обеспечения и отработки процедуры связи между сенсором расхода газа и считывающими устройствами.
Научные исследования и разработки проводились по заказам следующих предприятий и организаций: ГУП "КБП"; ЗАО "Электрон-точмаш"; ЗАО"ИнтЭКС"; ИНМЭ РАН; КБ «Точмаш»; ОАО "Изумруд"; ОАО "Красногорский завод им. С.А. Зверева"; ОАО "СКБ ПА"; ОАО "Авангард"; ОАО "АК "Туламашзавод"; ОАО "Вологодский оптико-механический завод"; ОАО "НИИМЭ" и завод "Микрон"; ОАО "Объединенная авиастроительная корпорация" (ОАО "ОАК"); ОАО "Радиотехнический институт им.академика А.Л. Минца"; ОАО "ЦКБ"Фотон"; ОАО ЦНИИ"Буревестник"; ОАО "Зелено-градский инновационно-технологический центр"; ОАО "Московский радиозавод"Темп"; ОАО "Ратеп"; ООО "Нелс"; ООО "Научно-образовательный центр ФИАН и МИЭТ(ТУ) "Квантовые приборы и нанотехнологии"; ООО "Сигнал"; ООО "ЭЛЕМ ИНФО"; ООО "Элита"; ООО НПК "Оптолинк"; РНЦ "Курчатовский институт"; Управление перспектив-ных межвидовых исследований и специальных проектов; Учреждение РАН С-Петербург.Академический университет-НОЦ нанотехнологии РАН; ФГУП "ВНИИФТРИ"; ФГУП "ВНИИМ им.Д.И.Менделеева"; ФГУП "ГНПРКЦ"ЦСКБ-Прогресс"-"НПП"ОПТЭКС"; ФГУП "НИИП"; ФГУП "НПП "Исток"; ФГУП "НПП "Пульсар"; ФГУП "ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова"; ФГУП КБ машиностроения; ФГУП НИИ "Субмикрон"; ФГУП НПЦ автоматики и приборостроения им. академика Н.А.Пилюгина; ФГУП"ЦНИХБИ".
Университет принял активное участие в формировании технологических платформ, создаваемых по инициативе бизнеса, науки, государства. В 2010 году подписаны меморандумы с участниками технологических платформ «Интеллектуальные встраиваемые системы» и «НБИК системы».
В рамках разработки Программ инновационного развития компаний с государственным участием МИЭТ предложил свое сотрудничество в области НИОКР и образовательных программ следующим компаниям:
ГК «Ростехнологии», в т.ч. ФГУП «НПП «Исток», ФГУП «КБ машиностроения», г. Коломна, ФГУП «КБП», г. Тула, ФГУП «КБточмаш им. А.Э. Нудельмана», ФГУП «НИИ «Квант», ООО «НИИ «Компонент», ОАО «НПК «НИИДАР», ОАО «НПК «Оптические системы и технологии», ГУП «НПЦ «СПУРТ», ФГУП «НТЦ «Орион», ОАО «ОПК Оборонпром», ОАО Концерн «Радиоэлектронные технологии», ОАО «Концерн ПВО «Алмаз-Антей», ЗАО «Акционерная компания «Алроса», ОАО «Газпром», ОАО «Военно-промышленная корпорация «Научно-производственное объединение машиностроения», ОАО «Объединенная авиастроительная корпорация», ОАО «Объединенная промышленная корпорация «Оборонпром», ОАО «Российские железные дороги», ОАО «Ракетно-космическая корпорация «Энергия» имени С.П. Королева», ГК «Росатом», ОАО «Концерн «Созвездие», ОАО «НПП «Волна», ОАО «Объединенная судостроительная корпорация», ОАО «Зеленодольский судостроительный завод им. А.М. Горького», ОАО «Судостроительный завод «Янтарь», ОАО «Судостроительный завод «Северная верфь», ОАО «Корпорация «Тактическое ракетное вооружение», ОАО «Федеральная сетевая компания Единой энергетической системы», ФГУП «ГКНПЦ имени М.В. Хруничева».
Создание образовательных программ опережающей подготовки
и переподготовки, модернизация образовательной деятельности
для обеспечения кадровых потребностей отечественной электроники
Направления образовательной и научно-исследовательской деятель-ности МИЭТ всегда были сконцентрированы на решении задач подготовки кадров и создания научно-технической продукции для научных учреждений и предприятий разработчиков, изготовителей и потребителей электронной продукции. Наиболее значимые результаты были получены в области электронной компонентной базы, систем-на-кристалле, микро- и наносистемной техники, электронных информационно-управляющих и телекоммуникационных систем.
Реалии сегодняшнего дня не только потребовали от исследовательского университета подготовки высококвалифицированных специалистов с компетенциями как исследователей, так и разработчиков для высокотех-нологичных отраслей промышленности и науки, востребованных современным производством, но и поставили задачу опережающей целевой подготовки кадров, ориентированных на перспективные потребности рынка труда и электроники.
В рамках работ по Мероприятию 3 Программы развития НИУ МИЭТ
в 2010 году был выполнен этап проектирования 61-й образовательной программы.
Этап проектирования включал следующие виды работ:
- анализ областей профессиональной деятельности выпускников, объектов этой деятельности, ее видов в соответствии с ПНР НИУ МИЭТ;
- разработку состава основных (дополнительных) программ;
- проектирование образовательных целей и задач, учитывающих специфику ПНР НИУ МИЭТ;
- формирование актуальных профильных компетенций выпускников по направлениям основных образовательных программ;
- разработку паспортов компетенций и программ формирования студентов профильных компетенций;
- проектирование учебных планов, включающих компетентностно-формирующие части, графики учебного процесса;
- составление кратких установочных аннотаций блоков дисциплин, участвующих в формировании профильных компетенций.
Тематика программ по ПНР-1 «Микро- и наноэлектроника», по которым в 2010 году завершен этап проектирования:
«Элементная база наноэлектроники» (магистратура).
«Материалы, процессы и оборудование интегральных микро- и нанотехнологий» (магистратура).
«Материалы и технология твердотельных преобразователей энергии» (магистратура).
«Материалы и технология наноструктур» (магистратура).
«Материалы и технология вакуумной электроники» (магистратура).
«Технология спецматериалов» (магистратура).
«Комплексное системное проектирование средствами Mentor Graphics» (магистратура).
«Проектирование технических средств на основе 3D моделирования» (магистратура).
«Нанодиагностика материалов и структур» (магистратура).
«Проектирование энергосберегающих схем и систем (изучение элементной базы и особенностей проектирования энергосберегающих схем и систем)» (магистратура).
«Физическое проектирование микро- и нанометровых СБИС (автоматизированное проектирование топологии и фотошаблонов для микро- и нанометровых СБИС)» (магистратура).
«Лингвистические средства САПР СБИС и систем-на-кристалле» (магистратура).
«Проектирование и технология устройств интегральной наноэлектроники» (магистратура).
«Проектирование наноэлектронных приборов на новых физических принципах» (магистратура).
«Наноэлектроника» (бакалавриат).
«Материаловедение и технология материалов твердотельной электроники» (бакалавриат).
«Конструирование и технология электронных средств» (бакалавриат).
«Технология материалов и наноструктур» (бакалавриат).
«Лингвистические средства САПР СБИС и систем-на-кристалле» (бакалавриат).
«Интегральная наноэлектроника» (бакалавриат).
«Проектирование системы-на-кристалле с программируемой архитектурой» (повышение квалификации).
«Проектирование сложнофункциональных блоков СБИС» (повышение квалификации).
«Технологии в наноэлектронике» (повышение квалификации).
«Новые материалы и современное развитие интегральных микро- и нанотехнологий» (повышение квалификации).
«Новые материалы и развитие технологии твердотельных преобразователей энергии» (повышение квалификации).
«Новые материалы и развитие технологий наноструктур» (повышение квалификации).
«Новые материалы и развитие технологий вакуумной электроники» (повышение квалификации).
«Современное развитие технологий спецматериалов» (повышение квалификации).
«Проектирование и технология МЭМС» (повышение квалификации).
«Электронно-микроскопическая диагностика полупроводниковых структур» (повышение квалификации).
«Проектирование приборов и систем интегральной наноэлектроники» (повышение квалификации).
«Производство приборов и систем интегральной наноэлектроники» (повышение квалификации).
К перспективным программам, ориентированным на подготовку элитных специалистов, относятся: «Наноэлектроника», «Элементная база наноэлектроники», «Технологии в наноэлектронике», «Материалы, процессы и оборудование интегральных микро- и нанотехнологий», «Проектирование наноэлектронных приборов на новых физических принципах» и др.
Тематика программ по ПНР-2 «Радиоэлектронные приборы и устройства», по которым в 2010 году завершен этап проектирования:
«Биомедицинская инженерия искусственных органов» (магистратура).
«Математическое моделирование в задачах физики твердого тела и конденсированного состояния» (магистратура).
«Цифровая обработка сигналов и изображений» (магистратура).
«Высокопроизводительные вычислительные системы» (магистратура).
«Перспективные многоядерные вычислители» (магистратура).
«Комплексная защита информации в электронных системах» (магистратура).
«Программное обеспечение автоматизированных систем и вычислительных комплексов» (магистратура).
«Проектирование радиолокационных систем на базе АФАР и ЦАР» (магистратура).
«Проектирование радиоинформационных систем» (магистратура).
«Энергетическая эффективность высоких технологий» (магистратура).
«Системы корпоративного управления в бизнесе для высокотехнологичных отраслей» (магистратура).
«Разработка устройств для телекоммуникационных систем» (магистратура).
«Биомедицинская электроника» (бакалавриат).
«Современные вычислительные системы» (бакалавриат).
«Системы корпоративного управления» (бакалавриат).
«Программные технологии распределенной обработки информации» (бакалавриат).
«Проектирование радиоинформационных систем» (бакалавриат).
«Эксплуатация и испытания радиоинформационных систем» (бакалавриат).
«Системная интеграция и системное администрирование» (бакалавриат).
«Технические средства автоматизации и управления» (бакалавриат).
«Разработка, техническое обслуживание, ремонт и контроль качества медицинской техники» (повышение квалификации).
«Преобразователи информации» (повышение квалификации).
«Системы управления базами данных ORACLE» (повышение квалификации).
«Эксплуатация и испытания радиоинформационных систем» (повышение квалификации).
«Цифровые системы управления и контроля в энергосбережении» (повышение квалификации).
«Прикладное программирование для инфокоммуникационных систем» (повышение квалификации).
«Космические системы связи и дистанционного зондирования» (повышение квалификации).
«Межкультурная коммуникация в сфере профессиональной деятельности по направлениям «Микро- и наноэлектроника» и «Радиоэлектронные устройства и системы»» (повышение квалификации).
К программам, рассчитанным на индивидуальную подготовку специалистов по ПНР-2, относятся: «Математическое моделирование в задачах физики твердого тела и конденсированного состояния», «Цифровые системы управления и контроля в энергосбережении», «Биомедицинская инженерия искусственных органов», «Комплексная защита информации в электронных системах» и др.
Образовательные программы по ПНР-1 «Микро- и наноэлектроника» ориентированы на подготовку специалистов для прорывных технологий наноэлектроники и предполагают увеличенный объем фундаментальной подготовки (этап 1), которая может продолжаться до двух лет.
Образовательные программы по ПНР-2 «Радиоэлектронные приборы и устройства» носят практико-ориентированный характер и предполагают меньший объем фундаментальной подготовки (этап 1 занимает один год).
Таким образом, в общем перечне программ содержатся профильно-ориентированные, рассчитанные на подготовку как узкопрофильных специалистов, востребованных рынком труда сегодня, так и элитных специалистов завтрашнего дня.
Первый этап проектирования новых образовательных программ состоял в привлечении работодателей к оценке актуальности, значимости и востребованности проектируемых бакалаврских, магистерских программ и программ повышения квалификации.
|
