Протокол заседания от 2012 года №

1.2. Аттестация и сертификация

1.3. Производство

1.3.1. Кристальное производство.

• 
  Проведение процессов автоматизированных, групповых и индивидуальных химических обработок и травления технологических слоев с применением кислотно-щелочных и органических растворителей, деионизованной воды;
  

• 
  Диффузия, окисление, термообработка. Температура процессов от 400 до 1200С;
  

• 
  Процессы пиролитического ( LP CVD) и плазмохимического (PE CVD) осаждения поликремния, легированного и чистого окисла кремния, нитрида и оксинитрида кремния. Возможна работа с пластинами диаметром 100-150 мм;
  

• 
  Импульсный и многостадийный быстрый термический отжиг;
  

• 
  Установки для напыления многослойных пленок металлов, пара-, ферро- и диамагнетиков, пленок диэлектриков. Толщины слоев от 40А до микрона;
  

• 
  Формирование  фоторезистивных  масок. Разрешение  до  0,3 мкм.   Поле   экспонирование   17,9х25,2 мм;
  

• 
  «Сухое» травление жертвенных слоев;
  

• 
  Имплантация однократно ионизованных примесей с энергией от 10 до 200 КэВ;
  

• 
  Способность имплантации ионов двойного заряда. Доза от 1011 до 1017 ат/см²; Легирование пластин диаметром 60-150 мм;
  

• 
  Формирование знаков совмещения с применением двусторонней контактной фотолитографии. Анодное и термическое соединение пластин, в том числе с применением органических связывающих слоев; Утонение и химикомеханическая полировка пластин и технологических слоев.
  

• 
  Станция нейтрализации химстоков. Мощность – 350 м3/сутки
  
• 
  Газовые «рампы»: водорода, гидридных газов, метана
  
• 
  Деионизованная вода, Модернизация участка – до 10 м3/час
  
• 
  Скважины для забора воды: 2 шт. на глубине 130 м. (оформлено разрешение Росприроднадзора)
  
• 
  Станция воздухоразделения генерации ОСЧ азота мощностью – 340 м3/ч
  
• 
  Класс чистоты - 10 – 1000 - 850 кв.м.
  

• 
  Участок фотолитографии. Площадь участка - 54м². Класс чистоты производственных помещений 100.
  
• 
  Участок химического травления кремниевых пластин. Площадь участка -70м². Класс чистоты производственных помещений 100.
  
• 
  Участок диффузии/осаждения. Площадь участка - 27м². Класс чистоты производственных помещений 100.
  
• 
  Участок плазмохимического травления. Площадь участка - 10м². Класс чистоты производственных помещений 100.
  
• 
  часток напыления. Площадь участка - 10м². Класс чистоты производственных помещений 100.
  

Ниже приведен перечень оборудования кристального производства: Отмывка пластин, нанесение (спиновое и аэрозольное) и проявление фоторезистивной маски (EVG, Австрия) На оборудовании компании EVG выполняется комплекс процессов физико-химической обработки кремниевых пластин: отмывка пластин, нанесение (спиновое и аэрозольное) и проявление фоторезистивной маски. Установка контактной фотолитографии и совмещения (SUSS, Германия) Установки контактной фотолитографии и совмещения SUSS (Германия) позволяют проводить процесс контактного совмещения и экспонирования (существует возможность двухстороннего совмещения) кремниевых пластин диаметром до 150мм. Минимальный размер формируемого элемента топологии на кремниевой пластине — 600 нм. Оборудование фирмы SCR (Чехия) участка химического травления кремниевых пластин Оборудование фирмы SCR (Чехия) обеспечивает приготовление химических растворов, которые автоматически подаются на установки химического травления поверхности кремниевых пластин и отмывки пластин. На установках химического обработки производятся операции химического травления слоев металлов и диэлектрических слоев, анизотропного травления кремния, зачистки поверхности кремния от естественного оксида кремния для дальнейшего проведения осаждения различных технологических слоев; очистки поверхности подложек от пылевых частиц и ионов металлов. Диффузионные печи компании SVCS (Чехия) Диффузионные печи компании SVCS (Чехия) позволяют проводить формирование различных слоев в кремниевой подложке методом высокотемпературного легирования, а также позволяют выращивать высококачественный подзатворный диэлектрик. Установки осаждения из газовой фазы LPCVD и PECVD позволяют проводить операции осаждения различных диэлектрических (оксид кремния, нитрид кремния, ФСС и т.д.) и проводящих слоев (поликремний), на кремниевую подложку. Кластерная установка плазмохимического травления SPTS (Англия) Кластерные установки плазмохимического травления SPTS (Великобритания) VPX и CPX позволяют производить особо ответственные процессы травления кремния в среде сверхчистой плазмы. Установка SPTS VPX предназначена для травления слоев алюминиевой металлизации, а так же посткоррозионной обработки и снятия фоторезистивной маски. Установка SPTS CPX предназначена для травления диэлектрических (нитрид кремния, оксид кремния, ФСС и т.д.) и проводящих слоев (кремний, поликремний), так же установка обеспечивает процесс сверхглубокого травления кремния, т.н. БОШ-процесс, который является наиболее важным для технологии формирования МЭМС. Кластерная установка напыления SEGI (США) Установка напыления SEGI, компании TechSem (США), позволяет производить операции напыления проводящих слоев на подложку, в том числе и из драгоценных металлов.