Основная образовательная программа 4 Нормативные документы для разработки ооп 5 Общая характеристика основной образовательной программы высшего профессионального образования 5

Скачать 2.12 Mb.

Название	Основная образовательная программа 4 Нормативные документы для разработки ооп 5 Общая характеристика основной образовательной программы высшего профессионального образования 5
страница	17/24
Дата публикации	13.10.2014
Размер	2.12 Mb.
Тип	Основная образовательная программа

100-bal.ru > Военное дело > Основная образовательная программа

1 ... 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 24

6. Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы.

7. Изучение дисциплины заканчивается экзаменом.

Аннотация дисциплины

«Твердотельная электроника»
1. Общая трудоемкость дисциплины составляет 3 ЗЕТ (108 час.).

2. Цели и задачи дисциплины:

цели - формирование научной основы для осознанного и целенаправленного использования полученных знаний при создании элементов, приборов и устройств твердотельной электроники;

задачи - формирование системы знаний в области физики работы твердотельных полупроводниковых приборов и устройств, способности строить простейшие физические и математические модели твердотельных приборов, схем, устройств и установок различного функционального назначения, применять физико-математический аппарат для расчета и моделирования физических процессов, протекающих в полупроводниковых приборах.

3. Место дисциплины в структуре ООП: базовая часть профессионального цикла дисциплин рабочих учебных планов для направления 210100.62 «Электроника и наноэлектроника».

4. Требования к результатам освоения дисциплины:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:

способностью использовать основные законы естественнонаучных дисциплин в профессиональной деятельности, применять методы математического анализа и моделирования, теоретического и экспериментального исследования (ОК-10);
способностью выявлять сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, привлекать для их решения соответствующий физико-математический аппарат (ПК-2);
способностью собирать, анализировать и систематизировать отечественную и зарубежную научно-техническую информацию по тематике исследования в области электроники и наноэлектроники (ПК-18).

В результате изучения дисциплины студент должен:

знать:

цели и задачи курса, социальную значимость своей будущей профессии, обладать высокой мотивацией к выполнению профессиональной деятельности;
основные источники научно-технической информации по твердотельной электронике;
физические основы твердотельной электроники;
основы физики твердого тела: классификацию твердых тел на металлы, полупроводники и диэлектрики с точки зрения зонной теории;
принципы использования физических эффектов в твердом теле, в приборах и устройствах твердотельной электроники;
принципы работы и методы расчета основных параметров твердотельных приборов (диоды, транзисторы, тиристоры);
основные методы и средства измерения параметров и характеристик твердотельных приборов и методы их моделирования;

уметь:

учитывать современные тенденции развития твердотельной электроники, измерительной и вычислительной техники, информационных технологий в своей профессиональной деятельности;
решать задачи обработки данных с помощью инструментальных средств;
применять методы и средства измерения физических параметров твердотельных приборов;
применять методы расчета параметров и характеристик, моделирования твердотельных приборов;
оценивать целесообразность использования различных твердотельных приборов в конкретных устройствах (схемах);
осуществлять выбор твердотельных приборов в зависимости от требований к электрическим характеристикам, параметрам и условий эксплуатации устройств и элементов микроэлектронных устройств;
выявлять естественнонаучную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, привлекать для их решения соответствующий физико-математический аппарат;

владеть:

методами расчета характеристик твердотельных приборов, методами исследования физических свойств полупроводниковых структур, методами теоретического анализа физических процессов в твердотельной электронике;
основными приемами обработки и представления экспериментальных данных;
способностью строить простейшие физические и математические модели твердотельных приборов, а также использовать стандартные программные средства их компьютерного моделирования;
способностью аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик твердотельных приборов;
готовностью анализировать и систематизировать результаты исследований, представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций.

5. Содержание дисциплины. Основные разделы:

5.1. Физические основы твердотельной электроники.

Элементы зонной теории полупроводников. Параметры, характеризующие свойства полупроводниковых материалов. Фундаментальная система уравнений твердотельной электроники. Собственные, примесные и компенсированные полупроводники. Диапазон рабочих температур полупроводниковых приборов. Равновесные и неравновесные носители зарядов в полупроводниках. Основные и неосновные носители. Закон действующих масс. Полупроводники в электрическом поле. Генерация и рекомбинация носителей в полупроводниках. Уравнение электронейтральности. Явления на поверхности полупроводников.

5.2. Контакты металл-полупроводник. Диоды Шоттки.

Принцип выпрямления тока на контакте металл-полупроводник по энергетическим диаграммам. Вольтамперная характеристика выпрямляющего контакта металл-полупроводник. Ширина области пространственного заряда. Диод Шоттки: структура, эквивалентная схема, параметры эквивалентной схемы. Достоинства и недостатки диода Шоттки. Омические контакты и их параметры.

5.3. Электронно-дырочные переходы (p-n-переходы). Диоды на основе p-n-перехода.

Механизм образования ЭДП. Определение ЭДП. Контактная разность потенциалов. Зависимость от температуры, ширины запрещенной зоны, концентрации легирующей примеси. Потоки носителей зарядов в ЭДП по энергетическим диаграммам. Одностороння проводимость p-n перехода.

Некоторые понятия и определения по ЭДП. Методы получения ЭДП. Ширина ОПЗ для резкого и плавного переходов. Вольтамперная характеристика идеального ЭДП. Диоды с "толстой" и "тонкой" базами. Вольтамперная характеристика реального ЭДП. Диффузионная и барьерная емкости ЭДП.

Эквивалентная схема ЭДП. Параметры эквивалентной схемы. Полная проводимость p-n перехода. Зависимость выпрямляющих свойств ЭДП от частоты. Пробой электронно-дырочного перехода. Зависимость параметров ЭДП от температуры.

Диоды на основе электронно-дырочных переходов. Классификация и маркировка диодов. Выпрямительные диоды. Выпрямительные столбы и блоки. Варикапы. Стабилитроны. Туннельные диоды. Фотодиоды. Светодиоды. Оптопары.
5.4. Биполярные транзисторы.

Общие сведения о биполярных транзисторах (БТ). Потоки носителей зарядов в БТ. Внутренние и внешние параметры БТ. Статические параметры.

Явления в БТ при больших токах. Модуляция толщины базы коллекторным напряжением (эффект Эрли). Пробой транзистора. Статические характеристики.

Динамический режим работы. Усилительные свойства. Частотные параметры Эквивалентная схема биполярного транзистора. Системы z, y и h-параметров. Модели биполярного транзистора.

Некоторые разновидности биполярных транзисторов.
5.5. Полевые транзисторы.

Разновидности полевых транзисторов. Полевые транзисторы с управляемым p-n- переходом.

Полевые транзисторы с изолированным затвором.

6. Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы.

7. Изучение дисциплины заканчивается зачетом.

Аннотация дисциплины

«Вакуумная и плазменная электроника»
1. Общая трудоемкость дисциплины составляет 3 ЗЕТ (108 час.).

2. Цели и задачи дисциплины: цели: подготовка к разработке, исследованию и эксплуатации приборов и устройств вакуумной и плазменной электроники на основе изучения базовых физических принципов функционирования основных элементов вакуумной и плазменной электроники;

задачи: изучение явлений, происходящих при эмиссии электронов, протекании тока в газах, вакууме и твердом теле.

3. Место дисциплины в структуре ООП: базовая часть профессионального цикла дисциплин рабочих учебных планов для направления 210100.62 “Электроника и наноэлектроника”; предшествующая для дисциплин профессионального цикла: «Основы проектирования электронной компонентной базы», «Основы технологии электронной компонентной базы»; изучению дисциплины предшествуют дисциплины математического, естественнонаучного и профессионального циклов образовательной программы бакалавриата по направлению 210100 — Электроника и наноэлектроника: «Математика», «Физика» и дисциплины профессионального цикла: «Материалы электронной техники», «Твердотельная электроника».

4. Требования к результатам освоения дисциплины:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:

способностью осуществлять сбор и анализ исходных данных для расчета и проектирования электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения (ПК-9);
готовностью выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования (ПК-10);
способностью аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различного функционального назначения (ПК-20).

В результате изучения дисциплины студент должен:
знать:

основы физики вакуума, плазмы и твердого тела;
принципы использования физических эффектов в вакууме и в плазме в приборах и устройствах вакуумной, плазменной электроники;
конструкции, параметры и характеристики и методы моделирования приборов вакуумной и плазменной электроники;
методы расчета параметров и характеристик приборов вакуумной и плазменной электроники;
методы моделирования и проектирования приборов и устройств вакуумной и плазменной электроники;
анализировать информацию о новых типах вакуумных и плазменных приборах;

владеть:

методами экспериментальных исследований параметров и характеристик материалов, приборов и устройств вакуумной и плазменной электроники;
современными программными средствами моделирования и проектирования приборов вакуумной и плазменной электроники;
методикой расчета основных узлов приборов вакуумной и плазменной электроники.

5. Содержание дисциплины. Основные разделы:

5.1. Электронная эмиссия.

5.2. Электронный поток.

5.3. Управление электронными потоками.

5.4. Элементарные процессы в плазме.

5.5. Основные свойства плазмы.

5.6. Методы измерений параметров плазмы.

5.7. Применение плазмы.

6. Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, практические занятия..

7. Изучение дисциплины заканчивается зачетом.

Аннотация дисциплины

«Квантовая и оптическая электроника»
1. Общая трудоемкость дисциплины составляет 3 ЗЕТ (108 час.)

2. Цели и задачи дисциплины:

цели:

– формирование представлений о фундаментальных основах квантовой и оптической электроники;

задачи:

освоение современных подходов и методов, используемых для анализа и описания явлений квантовой и оптической электроники;
изучение базовых принципов квантовой и оптической электроники;
изучение основных принципов построения и реализации устройств квантовой и оптической электроники, рассмотрение примеров конкретных устройств, технологических подходов к их изготовлению и использованию в технологических приложениях.

3. Место дисциплины в структуре ООП: базовая часть профессионального цикла дисциплин рабочих учебных планов для направления 210100.62 «Электроника и наноэлектроника»; предшествующая для дисциплин профессионального цикла: «Основы проектирования электронной компонентной базы», «Основы технологии электронной компонентной базы», «Основы преобразовательной техники», «Энергетическая электроника»; изучению дисциплины предшествуют дисциплины математического, естественнонаучного и профессионального циклов образовательной программы бакалавриата по направлению 210100 — Электроника и наноэлектроника: «Математика», «Физика», «Квантовая механика», «Методы математической физики» и дисциплины профессионального цикла: «Материалы электронной техники», «Твердотельная электроника», «Вакуумная и плазменная электроника».
4. Требования к результатам освоения дисциплины:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:

готовностью выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования (ПК-10);
способностью аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различного функционального назначения (ПК-20).

В результате изучения дисциплины студент должен:
знать:

фундаментальные принципы квантовой и оптической электроники;
основные линейные и нелинейные явления квантовой и оптической электроники и методы их описания;
принципы функционирования квантовых и оптоэлектронных приборов и систем;

уметь:

применять методы расчета параметров и характеристик приборов квантовой и оптической электроники;
применять методы моделирования и проектирования приборов и устройств квантовой и оптической электроники;
анализировать информацию о новых типах приборов квантовой и оптической электроники;

владеть:

современными подходами и методами анализа и описания линейных и нелинейных эффектов квантовой и оптической электроники.

5. Содержание дисциплины. Основные разделы:

Квантовое усиление электромагнитных волн; электромагнитное излучение оптического диапазона; квантовые ансамбли и процессы релаксации; взаимодействие электромагнитного излучения с веществом; общие вопросы построения лазеров; твердотельные лазеры, газовые и жидкостные лазеры, полупроводниковые лазеры; физические принципы интегральной оптоэлектроники и волоконной оптики; планарные волноводы; полосковые волноводы; нелинейно-оптические эффекты; модуляция, передача и обработка оптического излучения.
6. Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, практические занятия.
7. Изучение дисциплины заканчивается зачетом.

Аннотация дисциплины

«Микроволновая электроника»

1. Общая трудоемкость дисциплины составляет 3 ЗЕТ (108 час.).

2. Цели и задачи дисциплины:

цели - подготовка к разработке, исследованию и эксплуатации приборов и устройств микроволновой электроники на основе изучения базовых физических принципов функционирования основных элементов микроволновой электроники;

задачи - изучение явлений, используемых для анализа и расчета электромагнитных полей в микроволновых направляющих и колебательных системах, проектирование микроволновых устройств.

1 ... 13 14 15 16 17 18 19 20 ... 24

	1 Нормативные документы для разработки ооп впо по направлению подготовки... Общая характеристика основной образовательной программы высшего профессионального образования		1 Нормативные документы для разработки ооп впо по направлению подготовки 5 Общая характеристика основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 6
	Основная образовательная программа (определение) Нормативные документы... Компетенции выпускника как совокупный ожидаемый результат образования по завершении освоения ооп впо		1 Нормативные документы для разработки ооп бакалавриата по направлению... Общая характеристика вузовской основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготвки...
	Основная образовательная программа (ооп) магистратуры Нормативные... Характеристика профессиональной деятельности выпускника магистерской программы 111100 «Зоотехния»		Основная образовательная программа (ооп) магистратуры. Нормативные... Нормативно-методическое обеспечение системы оценки качества освоения обучающимися ооп
	Основной образовательной программы высшего профессионального образования.... Понятие основной образовательной программы высшего профессионального образования		1 Нормативные документы для разработки ооп впо по направлению подготовки... Общая характеристика вузовской основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки...
	Основная образовательная программа (ооп) магистратуры (магистерская... Компетенции выпускника ооп магистратуры, формируемые в результате освоения магистерской программы		Основная образовательная программа (ооп) магистратуры (магистерская... Компетенции выпускника ооп магистратуры, формируемые в результате освоения магистерской программы
	Основная образовательная программа (ооп) магистратуры (магистерская... Характеристики среды вуза, обеспечивающие развитие общекультурных (социально-личностных) компетенций выпускников		Основная образовательная программа высшего профессионального образования Нормативные документы, являющиеся основой для основной образовательной программы высшего профессионального образования 4
	Основная образовательная программа высшего профессионального образования ...		Основная образовательная программа (ооп) бакалавриата, реализуемая... Общая характеристика вузовской основной образовательной программы высшего профессионального образования (впо) (бакалавриат)
	Основная образовательная программа высшего профессионального образования... Фгос по направлению подготовки впо и другие нормативные документы, необходимые для разработки ооп		Основная образовательная программа высшего профессионального образования... Нормативные документы для разработки ооп впо (бакалавриата) по направлению подготовки 080200. 62 4

Похожие: