Скачать 2.12 Mb.
|
3. Место дисциплины в структуре ООП: базовая часть профессионального цикла дисциплин рабочих учебных планов для направления 210100.62 «Электроника и наноэлектроника». 4. Требования к результатам освоения дисциплины: Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:
В результате изучения дисциплины студент должен: знать: критерии, отечественные и международные стандарты и нормы в области безопасности жизнедеятельности. уметь: оценивать последствия воздействия негативных техногенных факторов на человека и окружающую среду. владеть: методами оценки материальных затрат на обеспечение безопасности жизнедеятельности. 5. Содержание дисциплины. Основные разделы: человек и среда обитания, основы физиологии труда и комфортные условия жизнедеятельности. Анатомо-физиологические воздействия на человека электромагнитных излучений и других вредных факторов. Безопасность и экологичность технических систем. Безопасность в чрезвычайных ситуациях. Управление безопасностью жизнедеятельности. 6. Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, практические занятия, самостоятельная работа. 7. Изучение дисциплины заканчивается зачетом. Аннотация дисциплины «Наноэлектроника» 1. Общая трудоемкость дисциплины составляет 4 ЗЕТ (144 час.) 2. Цели и задачи дисциплины: цели — формирование научной основы, необходимой для создания элементов, приборов и устройств микроэлектроники и наноэлектроники; задачи — изучение законов физики наноразмерных полупроводниковых структур для последующего использования их при разработке и эксплуатации приборов и устройств микроволновой, цифровой и оптической электроники, а также при проектировании электронных схем на их основе. 3. Место дисциплины в структуре ООП: базовая часть профессионального цикла дисциплин рабочих учебных планов для направления 210100.62 «Электроника и наноэлектроника». 4. Требования к результатам освоения дисциплины: Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:
В результате изучения дисциплины студент должен: знать:
уметь:
5. Содержание дисциплины. Основные разделы: 5.1. Физические основы наноэлектроники. Квантовое ограничение. Полупроводниковые гетеростуктуры. Сверхрешетки. Полупроводниковые сверхрешетки. Энергетические диаграммы сверхрешеток. Энергетический спектр электронов в сверхрешетках. Свойства электронного газа в сверхрешетках. Влияние квантоворазмерных эффектов на свойства вещества. 5.2. Способы формирования квантово-размерных наноструктур. Формирование квантовых точек. Формирование квантовых проволок (нитей). Формирование квантовых ям. 5.3. Сканирующие электронные, туннельные и атомно-силовые микроскопы. Принципы работы сканирующего электронного, туннельного и атомно-силового микроскопов. Использование туннельного микроскопа для получения структур с нанометровыми размерами. Использование высокоразрешающих методов электронной микроскопии, отражательной электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии и сканирующей туннельной микроскопии для диагностики атомной структуры поверхностей, границ раздела и дефектов в полупроводниковых системах. 5.4. Квантовые эффекты. 2D-электронный газ в магнитном поле. Целочисленный и дробный квантовый эффект Холла. Эффект Ааронова-Бома. Эффект Штарка. Квантово-размерный эффект Штарка в гетеронаноструктурах с квантовыми ямами. Туннельный эффект. Эффект Джозефсона. Кулоновская блокада. Кулоновская блокада с одним туннельным переходом. Кулоновская блокада с двумя туннельными переходами. Сотуннелирование. 5.5. Устройства наноэлектроники. Приборы на резонансном туннелировании. Диоды на резонансном туннелировании. Транзисторы на резонансном туннелировании. Логические элементы на резонансно-туннельных приборах. Приборы на одноэлектронном туннелировании. Одноэлектронный транзистор. Одноэлектронный насос. Одноэлектронная память. Устройства на основе сверхрешеток. Инфракрасные фотоприемники. Сверхрешетки в лазерных структурах. Квантовые каскадные лазеры. Лавинные фотодиоды. Оптические модуляторы. Транзисторы для СВЧ-электроники. Транзисторы с высокой подвижностью HEMT. SiGe-транзисторы. Мощные GaN- и SiC-транзисторы. Транзисторы на антимонидах и арсенидах индия. Транзисторы на углеродных нанотрубках. Алмаз как материал для СВЧ-приборов. 6. Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы. 7. Изучение дисциплины заканчивается экзаменом. Аннотация дисциплины «Основы проектирования электронной компонентной базы» 1. Общая трудоемкость дисциплины составляет 4 ЗЕТ (144 час.). 2. Цели и задачи дисциплины: изучение основ автоматизированного проектирования электронной компонентной базы, современных методов и маршрутов проектирования, средств и способов автоматизации процесса проектирования; формирование и закрепление навыков проектирования с использованием современных программных языков описания и проектирования электронной компонентной базы. 3. Место дисциплины в структуре ООП: базовая часть профессионального цикла дисциплин направления 210100.62 «Электроника и наноэлектроника»; предшествующая для дисциплины профессионального цикла: «Основы технологии электронной компонентной базы»; изучению дисциплины предшествуют дисциплины математического, естественнонаучного и профессионального циклов образовательной программы бакалавриата по направлению 210100 — Электроника и наноэлектроника: «Математическое моделирование и программирование», «Твердотельная электроника», «Схемотехника». 4. Требования к результатам освоения дисциплины: Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:
Дополнительные профессионально-специализированные компетенции (ПСК): Научно-исследовательская деятельность:
знать: - общую характеристику процесса проектирования; - восходящее и нисходящее проектирование; - методы и этапы проектирования; уметь: - выбирать и описывать модели электронной компонентой базы на различных этапах проектирования с учетом выбранного маршрута проектирования; - работать с техническими и программными средствами реализации процессов проектирования; владеть: - языками описания и проектирования современной электронной компонентной базы. 5. Содержание дисциплины. Основные разделы: Общая характеристика процесса проектирования. Виды и способы проектирования электронной компонентной базы. Автоматизированные интегрированные среды проектирования. Командный интерпретатор. Начальные установки проекта. Высокоуровневые, интерактивные языки программирования. Маршруты и этапы проектирования. Восходящее и нисходящее проектирование. Методы и этапы проектирования. Модели электронной компонентой базы на различных этапах проектирования. Средства автоматизированного проектирования. Создание проекта. Основы схемно-графического описания проекта. Иерархическое описание схем. Создание символьного представления. Подсхемы. Сравнение программ схемотехнического моделирования. Методы расчета и моделирования. Многовариантный и параметрический анализ. Описание стандартного технологического маршрута проектирования КМОП. Технологический файл с описанием топологических норм и ограничений проектирования. Основы топологического описания проекта. Проверка топологии на соответствие технологическим и электрическим правилам проекта. Диагностика и исправление ошибок проектирования. Языки проектирования высокого уровня. Маршрут проектирования с использование библиотеки стандартных элементов; синтаксис языка VERILOG; основные способы описания цифровых схем с помощью языка VERILOG. Основные правила описания входного языка. Примеры проектирования и моделирования цифровых устройств. 6. Виды учебной работы: лекции, лабораторные работы, практические занятия. 7. Изучение дисциплины заканчивается экзаменом. Аннотация дисциплины «Основы технологии электронной компонентной базы» 1. Общая трудоемкость дисциплины составляет 4 ЗЕТ (144 час.). 2. Цели и задачи дисциплины: - формирование знаний по технологии электронной компонентной базы; - изучение основных технологических процессов, применяемых в электронике; - приобретение практических навыков по анализу причин технологического брака электронной компонентной базы и поиску путей его устранения. 3. Место дисциплины в структуре ООП: базовая часть профессионального цикла дисциплин рабочих учебных планов для направления 210100.62 «Электроника и наноэлектроника»; предшествующая для дисциплин профессионального цикла: «Энергетическая электроника», «Электронные промышленные устройства»; изучению дисциплины предшествуют дисциплины профессионального циклов образовательной программы бакалавриата по направлению 210100 — Электроника и наноэлектроника: «Материалы электронной техники», «Твердотельная электроника», «Квантовая и оптическая электроника», «Физика конденсированного состояния». 4. Требования к результатам освоения дисциплины: Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:
В результате изучения дисциплины студент должен: знать:
уметь:
владеть:
|
1 Нормативные документы для разработки ооп впо по направлению подготовки... Общая характеристика основной образовательной программы высшего профессионального образования | 1 Нормативные документы для разработки ооп впо по направлению подготовки 5 Общая характеристика основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки 6 | ||
Основная образовательная программа (определение) Нормативные документы... Компетенции выпускника как совокупный ожидаемый результат образования по завершении освоения ооп впо | 1 Нормативные документы для разработки ооп бакалавриата по направлению... Общая характеристика вузовской основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготвки... | ||
Основная образовательная программа (ооп) магистратуры Нормативные... Характеристика профессиональной деятельности выпускника магистерской программы 111100 «Зоотехния» | Основная образовательная программа (ооп) магистратуры. Нормативные... Нормативно-методическое обеспечение системы оценки качества освоения обучающимися ооп | ||
Основной образовательной программы высшего профессионального образования.... Понятие основной образовательной программы высшего профессионального образования | 1 Нормативные документы для разработки ооп впо по направлению подготовки... Общая характеристика вузовской основной образовательной программы высшего профессионального образования по направлению подготовки... | ||
Основная образовательная программа (ооп) магистратуры (магистерская... Компетенции выпускника ооп магистратуры, формируемые в результате освоения магистерской программы | Основная образовательная программа (ооп) магистратуры (магистерская... Компетенции выпускника ооп магистратуры, формируемые в результате освоения магистерской программы | ||
Основная образовательная программа (ооп) магистратуры (магистерская... Характеристики среды вуза, обеспечивающие развитие общекультурных (социально-личностных) компетенций выпускников | Основная образовательная программа высшего профессионального образования Нормативные документы, являющиеся основой для основной образовательной программы высшего профессионального образования 4 | ||
Основная образовательная программа высшего профессионального образования ... | Основная образовательная программа (ооп) бакалавриата, реализуемая... Общая характеристика вузовской основной образовательной программы высшего профессионального образования (впо) (бакалавриат) | ||
Основная образовательная программа высшего профессионального образования... Фгос по направлению подготовки впо и другие нормативные документы, необходимые для разработки ооп | Основная образовательная программа высшего профессионального образования... Нормативные документы для разработки ооп впо (бакалавриата) по направлению подготовки 080200. 62 4 |