Воронежский институт

Текст А: Allgemeine Prinzipien von integrierten Schaltungen

1. 
   Die Elektronik hat in einem bestimmten Anwendungsfall eine exakt zu difinierende Aufgabe (Systemfunktion genannt) zu erfüllen, z.B. die Funktionen einer Uhr, eines Weckers, eines Taschenrechners, eines Reglers, eines Bildschirmgerätes. Dabei ergeben sich Systemfunktionen mit analogen und mit digitalen Signalen an den Schnittstellen zur Elektronik. Intern löst man in der ME alle komplexeren Funktionen digital.
   
2. 
   Bei der IS-Herstellung entsteht ein Komplex aller Schaltelemente der IS. Aktive Techniken - das sind die monolithischen Halbleitertechniken - erzeugen komplette aktive Schaltungen. Hybride Techniken - das sind die Dünnschichttechniken - erzeugen komplett nur passive Schaltungen (RC-Netzwerke, Verbindungsschemata). Sie benötigen die Komplettierung mit speziellen aktiven Elementen (Transistoren) oder mit (gehäuselosen) Integrierten Schaltungen (IS). IS-Herstellung von Halbleiter-blocktechniken kommt dabei die größte Bedeutung zu; sie stehen daher
   

3. 
   Zum letztgenannten Punkt gehört, daß bei der IS-Herstellung berücksichtigt werden muß, wie flexibel diese Schaltung in Geräten eingesetzt werden kann. Die Erfüllung dieser Bedingungen erfordert einen hohen Schaltungsaufwand, der wiederum in allen Teilschaltungen eines SSI-Schaltkreises zu erbringen ist. Das betrifft
   

1. 
   Укажите слова с противоположным значением:
   

2. 
   Укажите слова, сочетающиеся друг с другом:
   

3. 
   Переведите:
   

4. 
   Назовите глаголы, от которых образованы данные существительные, определите род существительного:
   

5. 
   Замените данные словосочетания сложными словами:
   Образец: die Geschwindigkeit der Arbeit → die Arbeitsgeschwindigkeit
   

6. 
   Образуйте от глаголов существительные с суффиксом -ung.
   

7. 
   Образуйте от данных слов с помощью приставки un- слова с противоположным значением. Переведите их:
   

8. 
   Дополните предложения инфинитивной группой:
   

9. 
   Ответьте на вопросы к тексту:
   

1. 
   Was sind aktive Techniken? 2. Was sind hybride Techniken? 3. Wo werden gleichzeitig sehr viele ähnliche IS-Schaltungsstrukturen hergestellt? 4. Wieviel Hauptzyklen hat der gesamte IS-Herstellungsprozeß? 5. Wie groß ist der Flächenbedarf für den Ausgangsteil der IS auf dem Halbleiterchip?
   

1. 
   Im Hybrid-IS können (gehäuselose) diskrete, in aktiven Bipolar-IS integrierte Transistoren Anwendung finden. Erstere sind in einer n-leitenden Schicht auf dem n⁺-Transistorchip realisiert, mit der Wärmeableitung und dem Kollektoranschluß darunter. Für die Basis wird eine p-Dotierungsgrube, für den Emitter darin wiederum eine n⁺-Dotierungsgrube angelegt. Der aktive Transistorbereich befindet sich unmittelbar unter dem Emitter und wird senkrecht von Strom durchflossen. Neben dieser npn-Vertikaltransistorstruktur sind parasitäre Berei­che unvermeidlich:
   

• 
  Vertikaldioden,
  
• 
  Lateraldioden,
  

1. 
   Образуйте от следующих глаголов существительные и переведите их:
   

2. 
   Переведите данные группы слов:
   

3. 
   Укажите близкие по значению слова:
   

4. 
   Образуйте конструкцию с Partizip II:
   

6. 
   Определите род сложного существительного. Назовите его составные части и переведите:
   

2. 
   Der mit Sperrschichtisolation verbundene Substrattransistor kann weitgehend unberücksichtigt bleiben, wenn er gesperrt betrieben wird (U_CBS >0). Arbeitet aber der npn-Transistor mit leitender ВС-Diode, d.h. im Invers- oder Übersteuerungszustand, so werden diese Inversströme I1 auch im gesperrten Substrattransistor wirksam mit A_SN ·I1. Bei der Digital-IS wird der Übersteuerungs- und Inverszustand angewendet. Dafür muß der Stromübersetzungsfaktor A_SN (Stromverstärkung im pnp-Transistor bei Normalbetrieb in Basisschaltung) so gering als möglich gemacht werden: Golddotierung zur Verringerung der Lebensdauer/Weglängen der Minoritätsladungsträger, konstruktive Maßnahmen.
   
3. 
   Die Grenzwerte von Bipolartransistoren werden derzeit von Faktoren wie Versorgungs- und Signalpegel nach Zusammenschaltungsnormen (Schaltkreisreihen) bestimmt, d.h. von äußeren Einsatzbedingungen, und von der Beherrschung der technologischen Möglichkeiten, nicht aber von physikalischen Grenzen. So sind in SBC-Techniken mit derzeit üblichen minimalen Strukturen bei 5 μm und Epitaxieschichten bei 8 μm sowie Basisweiten bei 0,3 μm die minimalen Standardtransistoren etwa mit einem Flächenbedarf von 100 x 60 μm² verbunden. Damit können etwa bis 100 Komponenten pro 1 mm² integriert werden. Andere Technologien erlauben eine Steigerung der Komplexität um den Faktor 2. Eine prinzipielle Komplexitätssteigerung verlangt eine ähnliche Verkleinerung aller Abmessungen (Skalierung). Bei IE-Schaltungen (LSI-Schaltungen) werden derzeit Erhöhungen um den Faktor von 10-100 erreicht.
   

1. 
   В каких предложениях указано, как протекает ток между эмитте­ром (Э) и коллектором (К) транзистора ИС?
   
2. 
   Укажите предложение, в котором говорится о величине коэффициента передачи тока.
   
3. 
   Найдите в тексте предложение, где говорится о том, как осуществляется изоляция транзистора в ИС.
   
4. 
   В каком предложении речь идет о минимальных размерах стандартных транзисторов ИС?
   
5. 
   Найдите предложение, в котором сказано, для чего служит так называемый скрытый n+ -слой.
   
6. 
   Укажите, чем определяются предельные значения параметров биполярных транзисторов ИС.
   
7. 
   Задайте 5-6 вопросов к тексту.
   

1. 
   Bipolartransistoren sind Strukturen, die längs des Strompfades n- und p-Bereiche aufweisen. Im Basisgebiet sind die bestimmenden Ladungsträger Minoritätsladungsträger. Das ist mit Speichereffekten (insbesondere im Übersteuerungszustand) verbunden. Die wesentlichen
   

2. 
   Unipolar- oder Feldeffekttransistoren (FET) arbeiten mit Spannungssteuereffekten (Feldeffekte) und unipolaren Strompfaden, d.h. Majoritätsträgern. Vergleichbare Speichereffekte treten daher nicht auf.
   
3. 
   Die Steuereffekte erfolgen beim IG-FET (Feldeffekttransistor mit der isolierten Steuerelektrode) durch Influenzierung/Steuerung eines Kanals zwischen Source (Quelle) und Drain (Senke) von der isolierten Steuerelektrode oder Gate (Tor) aus. Beim anderen Grundtyp ist das die Einschnürung eines Kanals durch die Ausdehnung von Raumladungszonen. Das sind Raumladungszonen von gesperrt betriebenen pn-Übergängen (Sperrschicht-FET; JFET) bzw. Metall-Halbleiter-Übergänge (SCHOTTKY-MS-Aufbau, MS-FET, oft auch mit MES-FET bezeichnet). JFET und MS-FET sind in Bipolartechniken prinzipiell realisierbar und bei Analog-IS sinnvoll anwendbar. MS-FET sind für GaAs-IS (VHSIC) wichtig.
   
4. 
   IG-FET besitzen ein gegen Kanal mit einem Isolator isoliertes Gate. Dünnschichtrealisierungen mit CdS, CdSe u.a. sind nicht genug stabil.
   
5. 
   Eine maßgebliche Bedeutung haben MIS-FET mit Metallgate-Isolator-Halbleiter-Kanal-Aufbau: Halbleiterblocktechnik und MOS-Technik. Der MIS-FET (auch MOS-FET, da I oft SiO₂) ist heute meist ein n-Kanaltyp, daher beziehen sich alle Erläuterungen darauf. Er wird in einem p¯-Substrat selbstisolierend mit zwei n ⁺-Dotierungsgruben für Source (S) und Drain (D) angelegt (Sperrschichtisolation). Das Gate bedeckt den gesamten Kanalbereich zwischen S und D. Zur sicheren Überdeckung wird das Gate auch etwas über die Dotierungsgruben gezogen (Sicherung gegen Toleranzen). Mit der Gatespannung wird das Oberflächenpotenzial des Kanalbereiches gesteuert. Damit wird im p-Substrat unter dem Gateisolator der Kanal gesteuert und influenziert. Der Kanal ist wie die Dotie­rungsgruben gegenüber dem Substrat auf Sperrpotenzial, also von einer Sperrschichtraumladungszone eingegrenzt. Mit der Substratvorspannung kann diese Raumladungszone wie beim IG-FET gesteuert werden.
   

1. 
   Переведите данные группы слов:
   

2. 
   Укажите слова с противоположным значением:
   

2. 
   Назовите составные части существительных, определите род и переведите их:
   

2. 
   Укажите слова, сочетающиеся друг с другом: